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简介光电二极管特性与本征参数关系

2021.8.25

  ① 量子效率,

  η=(1-R反)(1-286431_202108251419061.jpg)

  R反为光敏面反射系数,为空穴的扩散长度。为了减小R反,通常在受光面镀抗反膜。

  ②响应速度,在全耗尽情况,响应速度由耗尽区渡越时间τd及(Rs+RL)C时间常数决定。τd=W/V,Vs,为饱和漂移速度,Rs为二极管串联电阻,RL为负载电阻,C为器件电容。

  ③噪声来源,噪声包括散弹噪声和热噪声。前者来源于光电流、背景光电流及暗电流等的随机量子起伏。热噪声由负载电阻及跟随放大器的输入阻抗等温度起伏所引起。

  ④暗电流Id,耗尽区的峰值电场超过临界值Em(InGaASEm≈1.5×10V/cm)时,隧道电流将成为暗电流的主要成分。使用时必须保Em<Em。

  ⑤寿命,反映光电二极管退化的主要参数是反向漏电流,室温反向漏电流增加至原始值10倍时的工作时间为光电二极管的寿命。

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