光伏 效应
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国际标准分类中,光伏 效应涉及到机械试验、航空器和航天器综合、电磁兼容性(EMC)、长度和角度测量、电学、磁学、电和磁的测量、分析化学、事故和灾害控制、航空航天用电气设备和系统、光学和光学测量、轴承、建筑物中的设施、橡胶、半导体分立器件、纺织产品、电击防护、有色金属、试验条件和规程综合、半成品材、信息技术应用、教育、建筑材料、电气工程综合、服装、消防、光纤通信、人类工效学、电子元器件综合、地质学、气象学、水文学、航天系统和操作装置、土质、土壤学、增强塑料、质量、机器、装置、设备的特性和设计、电灯及有关装置、建筑物结构、医疗设备、实验室医学、道路工程、公司(企业)的组织和管理、机上设备和仪器、电子设备用机械构件、输电网和配电网、电工器件、钢轨和线路构件、铁路建筑、工业自动化系统、热力学和温度测量、数据存储设备、起重设备、农业机械、工具和设备、太阳能工程、金属材料试验、文娱活动设备、防护设备、辐射测量、绝缘材料、水质、声学和声学测量、航空航天发动机和推进系统、化工产品、电信系统、纸和纸板、塑料、管道部件和管道、电力牵引设备、涂料和清漆、有关航空航天制造用镀涂和有关工艺、摄影技术、医学科学和保健装置综合、音频、视频和视听工程、焊接、钎焊和低温焊、航空航天制造用零部件、空气质量、集成电路、微电子学、橡胶和塑料制品、词汇、有色金属产品、电线和电缆、机械安全、电子电信设备用机电元件、振动和冲击(与人有关的)、环境保护、黑色金属、土方机械、家用品安全、家用电气设备综合、核能工程、印制技术、光电子学、激光设备、耐火材料、建筑物、阀门、铺地非织物、家用、商用和工业用加热器具、文献成像象技术、涂料涂覆设备、表面处理和镀涂、电气设备元件、环境试验、电工和电子试验、无损检测、泵、石蜡、沥青材料和其他石油产品、微生物学、辐射防护、造船和海上构筑物综合、航空航天制造用材料、纺织机械、水力工程、热泵、办公机械、润滑剂、工业油及相关产品、无线通信、接口和互连设备、道路车辆装置、粘合剂和胶粘产品、流体动力系统、结构和结构元件、道路车辆综合、流体存储装置、危险品防护、涂料涂覆工艺。
在中国标准分类中,光伏 效应涉及到环境条件、电子元器件、电磁兼容、基础标准与通用方法、电力综合、化学、卫生、安全、劳动保护、基础标准与通用方法、基础标准与通用方法、基础标准与通用方法、物理学与力学、光学计量、医用光学仪器设备与内窥镜、滑动轴承、建筑电器与防火器材设备、橡胶制品综合、气象学、半导体二极管、半导体三极管、基础标准与通用方法、场效应器件、重金属及其合金分析方法、综合技术、医疗器械综合、半导体分立器件、土壤、肥料综合、可靠性和可维护性、机车车辆通用标准综合、医疗设备通用要求、半导体分立器件综合、电磁计量、光通信设备、机械量仪表、自动秤重装置与其他检测仪表、教育、学位、学衔、滤波器、延迟线、冷却与冷却装置、石油沥青、电气设备与器具综合、电气系统与设备、导航通讯系统与设备、电子测量与仪器综合、数据通信设备、基础标准和通用方法、电力半导体器件、部件、线路构件、人类工效学、计量综合、信息处理技术综合、建材产品综合、毯类、标准化、质量管理、太阳能、金属物理性能试验方法、起重机械、纺织制品综合、电子计算机应用、劳动防护用品、固体废弃物、土壤及其他环境要素采样方法、电工绝缘材料及其制品、纺织检测仪器、土壤环境质量分析方法、发动机辅助系统及其附件、水处理剂、标准化、质量管理、通信网技术体制、供水、排水器材设备、纸浆与纸板、地基、基础工程、涂料、合成橡胶基础标准与通用方法、牵引供电综合、塑料型材、涂料基础标准与通用方法、感光材料、航空与航天用非金属材料、数据媒体、火工产品、卫生综合、其他纺织制品、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、X射线、磁粉、荧光及其他探伤仪器、基础标准与通用方法、消防综合、工农业用加速器、牵引电气设备、服装、服饰品、半导体集成电路、电子设备机械结构件、工程防火、光学计量仪器、电工产品机械结构、印染制品综合、电子元件综合、数据通信、土壤、水土保持、大气、水、土壤环境质量标准、低压配电电器、木材竹材防腐、轻金属及其合金、卫生、安全、劳动保护、基础标准与通用方法、轻金属及其合金分析方法、噪声、振动测试方法、基础标准与通用方法、口腔科器械、设备与材料、矫形外科、骨科器械、移动通信设备、石油产品综合、金属力学性能试验方法、钢铁产品综合、计算机外围设备、建筑工程施工机械、家用电器基础标准与通用方法、微电路综合、核反应堆与核电厂核岛设备、核电厂核岛、密封材料、计算机图形、激光器件、工业电热设备、电力系统、连接器、耐火材料综合、物性分析仪器、基础标准与通用方法、体外循环、人工脏器、假体装置、供热器材设备、工业废水、污染物分析方法、阀门、屋面、铺面防水与防潮材料、天然气、基础标准与通用方法、复合材料与固体燃料、肥料与土壤调理剂、材料防护、安装、接线连接件、家用电热器具、环境条件与通用试验方法、标准化、质量管理、泵、测磁仪器、物质成份分析仪器与环境监测仪器综合、数据元表示方法、装修材料、医学、石油勘探、开发与集输工程综合、防护用具与设备、航空、航天材料基础标准、基础标准与通用方法、船舶电气、观通、导航设备综合、合成树脂、塑料、纺织机械零部件、化工原料矿、微波、毫米波二、三极管、纺织机械与器具综合、液压与气动装置、通风、空调工程、文具、绘图仪器、簿册、卡片、润滑脂、通用核仪器、航空与航天用金属铸锻材料、输变电设备综合、无线电通信设备、工程水文、一般与显微外科器械、胶粘剂、粘结材料、电离辐射计量、起飞着陆装置、电工材料和通用零件综合、化学助剂、卫星广播设备、卫星通信设备、、制动系统、油罐汽车、专用材料及其制品、合成材料综合。
国家质检总局,关于光伏 效应的标准
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于光伏 效应的标准
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会,关于光伏 效应的标准
中华人民共和国国家卫生和计划生育委员会,关于光伏 效应的标准
卫生部国家职业卫生标准,关于光伏 效应的标准
美国材料与试验协会,关于光伏 效应的标准
国际标准化组织,关于光伏 效应的标准
国际电工委员会,关于光伏 效应的标准
,关于光伏 效应的标准
德国标准化学会,关于光伏 效应的标准
中国气象局,关于光伏 效应的标准
英国标准学会,关于光伏 效应的标准
工业和信息化部,关于光伏 效应的标准
国家铁路局,关于光伏 效应的标准
法国标准化协会,关于光伏 效应的标准
国家质量监督检验检疫总局,关于光伏 效应的标准
欧洲标准化委员会,关于光伏 效应的标准
广东省质量技术监督局,关于光伏 效应的标准
国家能源局,关于光伏 效应的标准
国际电信联盟,关于光伏 效应的标准
行业标准-能源,关于光伏 效应的标准
立陶宛标准局,关于光伏 效应的标准
韩国标准,关于光伏 效应的标准
日本工业标准调查会,关于光伏 效应的标准
行业标准-有色金属,关于光伏 效应的标准
行业标准-航空,关于光伏 效应的标准
美国电气电子工程师学会,关于光伏 效应的标准
国家计量技术规范,关于光伏 效应的标准
美国机动车工程师协会,关于光伏 效应的标准
美国国家标准学会,关于光伏 效应的标准
欧洲电工标准化委员会,关于光伏 效应的标准
行业标准-卫生,关于光伏 效应的标准
湖北省地方标准,关于光伏 效应的标准
国家军用标准-总装备部,关于光伏 效应的标准
(美国)空军,关于光伏 效应的标准
美国国防后勤局,关于光伏 效应的标准
- DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 半导体器件.N-通道高压场效应硅晶体管.型号2N7387和2N7387U1,JAN,JANTX,JANTXV和JANS
- DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7405,2N7406,2N7407和2N7408,JANSD和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 半导体装置,N通道晶体管场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应),硅型号2N7488T3,2N7489T3和2N7490T3,JANTXVR和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 半导体器件.N-通道场效应辐射硬化(总剂量和单事件效应)硅晶体管.型号:2N7485U3,2N7486U3和2N7487U3,JANTXVR和JANSR
- DLA MIL-PRF-19500/747-2008 半导体装置,场效应耐辐射(总剂量和单粒子效应)晶体管,N通道,硅,型号2N7504T2,JANTXVR,JANTXVF,JANTXVG,JANTXVH,JANSF,JANSG,JANSR和JANSH
- DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 单片硅互补开关场效应晶体管驱动,耐辐射数字线性微电路
- DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 线性单稳态单硅数字微电路,为低功率双极肖特基晶体管.晶体管逻辑电路,带两个场效应晶体管
- DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008 型号为2N7334,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC,JANKCA2N7334以及JANHCA2N7334的硅晶体场效应半导体设备,带N个通道具四个三极管
- DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 2N7292,2N7294,2N7296,和2N7298,JANTXVM,D,R,H 和JANSM,D和R型硅N通道耐辐射(仅总计量效应)场效应晶体管半导体装置
- DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2,JANTXVR,F,G和H 和JANSR,F,G和H型耐辐射N通道场效应晶体管(总剂量和单粒子效应)半导体装置
- DLA MIL-PRF-19500/158 R-2008 半导体装置,硅二极管,参考电压,补偿温度,类型1N3154-1到1N3157-1和1N3154UR-1到1N3157UR-1,JAN,JANTX,JANTXV和JANS,耐辐射(仅总剂量效应)JANTXVM,D,L,R,F,G,H和JANSM
- DLA MIL-PRF-19500/452 H-2008 半导体装置,温度补偿低电平参考电压硅二极管,型号1N4565A-1 THROUGH 1N4584A-1和1N4565AUR-1到1N4584AUR-1,JAN,JANTX,JANTXV,JANS,JANHC和JANKC,耐辐射(仅总剂量效应) TYPES JAN
- DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 定制场效应晶体管500伏带门级保护混合微电路
- DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 硅单块 高速结型场效应晶体管,双操作增强器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-91519 REV C-2007 硅单块 高速操作放大器,双精密结型场效应晶体管,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 硅单片双极场效应晶体管运算扬声器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 硅单片,四重双极结型场效应晶体管,运算放大器,线性微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/739-2006 场效应抗辐射半导体装置(总剂量和单粒子效应),N型通道和P型通道硅四晶体管,类型2N7518和2N7518U,JANTXVR,F和JANSR,F
- DLA SMD-5962-97633 REV B-2006 微型电路,线型,双路,低功率J型场效应输入运算放大器,单块硅
- DLA SMD-5962-98515 REV C-2006 微型电路,线型,双路J型场效应运算放大器,单块硅
- DLA SMD-5962-89976 REV B-2006 硅单片,结型场效应晶体管高速准确运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 硅单块 操作增强器,四列微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
- DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 双信道光耦合器金属氧化物半导体场效应晶体管电源的线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 600V或500V同门保护自定义混合微电路场效应晶体管
- DLA SMD-5962-91574 REV C-2005 输入场效应晶体管,差异操作放大器,直线式混合微型电路
- DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA MIL-PRF-19500/606 B-2004 2N7291,2N7293,2N7295和2N7297,JANTXVM(D和R)以及JANSM(D和R)型硅N型通道场效应抗辐射加固(仅总剂量)晶体管半导体装置
- DLA MIL-S-19500/378 B VALID NOTICE 2-2004 类型2N2497到2N2500,2N3329到2N3332,JANTX的P型通道硅场效应晶体管半导体装置
- DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 单片硅辐射硬化数字非线性微电路互补开关场效应管驱动器
- DLA SMD-5962-97637 REV A-2003 微型电路,线型,快速J型场效应运算放大器,单块硅
- DLA SMD-5962-01520 REV B-2003 单片硅线性微电路高电流场效应管驱动器
- DLA SMD-5962-98636 REV C-2003 微型电路,线型,辐射加固,J型场效应输入运算放大器,单块硅
- DLA SMD-5962-90958 REV B-2003 硅单块 操作放大器,低功率高输出驱动器,结型场效应晶体管输入,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-90500 REV B-2002 高速场效应晶体管输入运算放大器,线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-90902 REV A-2002 闭合环路缓冲放大器,输入场效应晶体管,直线式混合微型电路
- DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 硅单块 操作增强器,微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
- DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 硅单片,结型场效应晶体管四重高速准确运算放大器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-87717 REV B-2002 硅单块 结型场效应晶体管模拟多路复用器,16沟道直线型微型电路
- DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 硅单块 操作增强器,双微功率结型场效应晶体管直线型微型电路
- DLA SMD-5962-01512-2001 单片硅双高速线性微电路场效应管驱动器
- DLA SMD-5962-89669 REV A-2001 硅单片,四重单刀单掷结型场效应晶体管模拟开关,线性微型电路
- DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87706 REV A-2000 硅单块 操作扩大器,精密结型场效应晶体管输入,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87716 REV A-2000 硅单块 结型场效应晶体管模拟多路复用器,8沟道直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87718 REV A-2000 硅单块 结型场效应晶体管模拟多路复用器,4沟道差异直线型微型电路
- DLA MIL-PRF-19500/569 NOTICE 2-1999 JANTX,JANTXV和JANS 2N6966,2N696,2N6968和2N6969型硅制N型通道场效应晶体管半导体装置
- DLA MIL-PRF-19500/378 B NOTICE 1-1999 类型2N2497到2N2500,2N3329到2N3332,JANTX的P型通道硅场效应晶体管半导体装置
- DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 硅单块 单一或双或四列操作增强器,结型场效应晶体管低功率,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89622 REV A-1994 硅单片,结型场效应晶体管高速运算放大器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89659-1990 场效应晶体管缓冲器线性混合微型电路
国家军用标准-国防科工委,关于光伏 效应的标准
行业标准-纺织,关于光伏 效应的标准
行业标准-航天,关于光伏 效应的标准
美国采暖、制冷与空调工程师协会,关于光伏 效应的标准
欧洲电信标准协会,关于光伏 效应的标准
印度尼西亚标准,关于光伏 效应的标准
台湾地方标准,关于光伏 效应的标准
加拿大标准协会,关于光伏 效应的标准
欧洲航空工业协会,关于光伏 效应的标准
行业标准-农业,关于光伏 效应的标准
(美国)福特汽车标准,关于光伏 效应的标准
行业标准-电子,关于光伏 效应的标准
美国电信工业协会,关于光伏 效应的标准
美国电子元器件、组件及材料协会,关于光伏 效应的标准
行业标准-机械,关于光伏 效应的标准
行业标准-核工业,关于光伏 效应的标准
美国混凝土学会,关于光伏 效应的标准
行业标准-石油,关于光伏 效应的标准
(美国)军事条例和规范,关于光伏 效应的标准
(美国)固态技术协会,隶属EIA,关于光伏 效应的标准
行业标准-船舶,关于光伏 效应的标准
行业标准-商品检验,关于光伏 效应的标准
国家计量检定规程,关于光伏 效应的标准
(美国)海军,关于光伏 效应的标准
美国公路与运输员工协会,关于光伏 效应的标准
丹麦标准化协会,关于光伏 效应的标准
欧洲电工电子元器件标准,关于光伏 效应的标准
中国轻工总会,关于光伏 效应的标准