单晶 靶
本专题涉及单晶 靶的标准有198条。
国际标准分类中，单晶 靶涉及到半导体材料、金属材料试验、物理学、化学、核能工程、工业炉、频率控制和选择用压电器件与介质器件、光学和光学测量、有色金属、绝缘流体、钢铁产品、粉末冶金、电子元器件综合、教育、陶瓷、切削工具、复合增强材料、空气质量、职业安全、工业卫生、珠宝、医疗设备、太阳能工程、词汇、有色金属产品、电气设备元件、光电子学、激光设备、电信设备用部件和附件、半导体分立器件、整流器、转换器、稳压电源。
在中国标准分类中，单晶 靶涉及到化合物半导体材料、半金属及半导体材料分析方法、人工晶体、金属无损检验方法、金属物理性能试验方法、元素半导体材料、仪器、仪表用材料和元件、金属化学性能试验方法、工业电热设备、石英晶体、压电元件、光电子器件综合、光学计量、计算机综合、半金属与半导体材料综合、稀有分散金属及其合金、金相检验方法、半金属、稀有高熔点金属及其合金、电子技术专用材料、、稀有金属及其合金分析方法、教学专用仪器、磨料与磨具、特殊炭素材料、卫生、安全、劳动保护、其他非金属矿、特种陶瓷、医用核仪器、特种非金属矿、炼焦、烧结设备、、太阳能、半导体二极管、航空与航天用金属铸锻材料、铸造、大气环境有毒害物质分析方法、磁性元器件、红外器件、工业防尘防毒技术、基础标准与通用方法、波导同轴元件及附件、半导体分立器件综合、电力半导体器件、部件、加工专用设备、经济管理、技术管理、教育、学位、学衔、稀有轻金属及其合金。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于单晶 靶的标准
- GB/T 20229-2022 磷化镓单晶
- GB/T 20230-2022 磷化铟单晶
- GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 20228-2021 砷化镓单晶
- GB/T 39123-2020 X射线和γ射线探测器用碲锌镉单晶材料规范
- GB/T 39137-2020 难熔金属单晶晶向测定方法
- GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
- GB/T 5252-2020 锗单晶位错密度的测试方法
- GB/T 5238-2019 锗单晶和锗单晶片
- GB/T 37418-2019 硅酸镥、硅酸钇镥闪烁单晶
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于单晶 靶的标准
- GB/T 35305-2017 太阳能电池用砷化镓单晶抛光片
- GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法
- GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法
国家质检总局，关于单晶 靶的标准
- GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
- GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
- GB/T 30839.46-2015 工业电热装置能耗分等 第46部分:单晶炉
- GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片
- GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
- GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭
- GB/T 10067.410-2014 电热装置基本技术条件 第410部分:单晶炉
- GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片
- GB/T 30118-2013 声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法
- GB/T 29421-2012 钒酸盐双折射光学单晶元件
- GB/T 29420-2012 掺钕钒酸盐激光单晶元件
- GB/T 9532-2012 压电单晶材料型号命名方法
- GB/T 26072-2010 太阳能电池用锗单晶
- GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
- GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶
- GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
- GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片
- GB/T 5238-2009 锗单晶和锗单晶片
- GB/T 22452-2008 硼酸盐非线性光学单晶元件通用技术条件
- GB/T 22453-2008 硼酸盐非线性光学单晶元件质量测试方法
- GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
- GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
- GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
- GB/T 20228-2006 砷化镓单晶
- GB/T 20229-2006 磷化镓单晶
- GB/T 20230-2006 磷化铟单晶
- GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
- GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
- GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法
- GB/T 5238-1995 锗单晶
- GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
- GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
- GB/T 14843-1993 铌酸锂单晶
- GB/T 13843-1992 蓝宝石单晶抛光衬底片
- GB/T 11072-1989 锑化铟多晶、单晶及切割片
- GB/T 11093-1989 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- GB/T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
- GB/T 9532-1988 铌酸锂、钽酸锂、锗酸铋、硅酸铋压电单晶材料型号命名方法
- GB/T 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法
- GB 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法
- GB/T 5252-1985 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
- GB 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
- GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
- GB 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 {新定价}
- GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
- GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
教育部，关于单晶 靶的标准
- JY/T 0588-2020 单晶X射线衍射仪测定小分子化合物的晶体及分子结构分析方法通则
国际标准化组织，关于单晶 靶的标准
- ISO 22278-2020 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.用平行X射线束X射线衍射法测定单晶薄膜（晶片）结晶质量的试验方法
工业和信息化部，关于单晶 靶的标准
- JB/T 13942-2020 超硬磨料 静压法合成工业用大单晶金刚石
- JC/T 2545-2019 高性能红外探测器用热释电单晶
- JC/T 2513-2019 磷酸钛氧钾单晶元件抗灰迹性能测试方法
- JC/T 2512-2019 全固态激光器用高抗灰迹磷酸钛氧钾单晶元件技术要求
- YB/T 4589-2017 单晶炉保温用炭/炭复合材料
- JC/T 2417-2017 四硼酸锂压电单晶材
- YB/T 4588-2017 单晶炉用板状结构炭/炭复合材料
- YB/T 4587-2017 单晶炉用炭/炭复合材料发热体
- YS/T 1182-2016 锗单晶安全生产规范
，关于单晶 靶的标准
- GOST 16153-1980 单晶锗.技术条件
英国标准学会，关于单晶 靶的标准
- BS EN 62276-2016 表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规格和测量方法
- BS EN 62276-2016 表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规格和测量方法
- BS EN 62276-2013 表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规格和测量方法
- BS EN 62276-2005 表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规范和测量方法
国际电工委员会，关于单晶 靶的标准
- IEC 62276-2016 用于表面声波（锯）的单晶硅片器件应用 - 规格和测量方法
- IEC 62276:2016 用于表面声波（锯）的单晶硅片器件应用 - 规格和测量方法
- IEC 62276:2012 用于表面声波（锯）的单晶硅片器件应用 - 规格和测量方法
- IEC 62276-2012 表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规格和测量方法
- IEC 62276-2005 表面声波装置用单晶薄片.规范和测量方法
美国材料与试验协会，关于单晶 靶的标准
- ASTM D6058-96(2016) 确定工作环境中机载单晶陶瓷晶须浓度的标准实践
- ASTM F76-08(2016)e1 测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法
- ASTM F76-08(2016) 测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法
- ASTM D6058-96(2011) 确定工作环境中机载单晶陶瓷晶须浓度的标准实践
- ASTM F76-08 测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法
- ASTM F76-2008 测量单晶半导体的电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率的试验方法
- ASTM F76-2008(2016) 测量电阻率和霍尔系数和测定单晶半导体中霍尔迁移率的标准试验方法
- ASTM D6058-96(2006) 确定工作环境中机载单晶陶瓷晶须浓度的标准实践
- ASTM D6056-96(2006) 用透射电子显微镜测定工作环境中空气中单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法
- ASTM D6059-96(2006) 用扫描电子显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法
- ASTM D6057-96(2006) 用相衬显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法
- ASTM D6059-96 用扫描电子显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法
- ASTM D6059-96(2001) 用扫描电子显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法
- ASTM D6056-96(2001) 用透射电子显微镜测定工作场所环境中空气中单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法
- ASTM D6057-96(2001)e1 用相衬显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法
- ASTM D6058-96 确定工作环境中机载单晶陶瓷晶须浓度的标准实践
- ASTM D6056-96 用透射电子显微镜测定工作场所环境中空气中单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法
- ASTM D6058-96(2001) 确定工作环境中机载单晶陶瓷晶须浓度的标准实践
- ASTM D6057-96 用相衬显微镜测定工作环境中气载单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法
- ASTM D6059-1996(2006) 用扫描电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法
- ASTM D6056-1996 用传输电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法
- ASTM D6056-1996(2001) 用传输电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法
- ASTM D6058-1996(2011) 工作环境下空气中单晶陶瓷晶须浓度测定的标准操作规程
- ASTM D6059-1996(2001) 用扫描电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法
- ASTM D6059-1996(2011) 用电子显微镜扫描测定工作环境下空气中单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法
- ASTM D6057-1996(2011) 工作环境下相衬显微镜测定空气中单晶陶瓷晶须浓度的标准试验方法
- ASTM D6057-1996(2001)e1 用相位显微术对工作环境空气中单晶陶瓷晶须浓度的测定的标准试验方法
- ASTM D6057-1996(2006) 用相位显微术对工作环境空气中单晶陶瓷晶须浓度的测定的标准试验方法
- ASTM D6056-1996(2011) 工作环境下空气中单晶陶瓷晶须浓度透射电子显微镜测定的标准试验方法
- ASTM D6057-1996 用相位显微术对工作环境空气中单晶陶瓷晶须浓度的测定的标准试验方法
- ASTM D6056-1996(2006) 用传输电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法
- ASTM D6058-1996(2006) 工作区环境内空中单晶陶瓷接触须测定浓度的标准操作
- ASTM D6058-1996(2001) 工作区环境内空中单晶陶瓷接触须测定浓度的标准操作
- ASTM D6058-1996 工作区环境内空中单晶陶瓷接触须测定浓度的标准操作
- ASTM D6059-1996 用扫描电子显微技术对工作地点环境中气载单晶陶瓷细丝的浓度测定的标准试验方法
- ASTM F847-1994(1999) 单晶硅片参考面结晶学取向X射线测量的标准试验方法
- ASTM F76-86(1996)e1 测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法
- ASTM F76-86(2002) 测量单晶半导体电阻率和霍尔系数及测定霍尔迁移率的标准试验方法
- ASTM F76-1986(2002) 测量单晶半导体的电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率的试验方法
- ASTM F76-1986(1996)e1 测量单晶半导体的电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率的试验方法
国土资源部，关于单晶 靶的标准
- DZ/T 0294-2016 化学气相沉积法合成无色单晶钻石 筛查和鉴定
行业标准-建材，关于单晶 靶的标准
- JC/T 2343-2015 导模法制备单晶三氧化二铝管
- JC/T 2139-2012 核物理领域用高纯二氧化碲单晶
- JC/T 2025-2010 铌镁钛酸铅（PMNT）压电单晶材料
行业标准-电子，关于单晶 靶的标准
- SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
- SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法
- SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
- SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范
- SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法
- SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法
- SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范
- SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法
- SJ 20843-2002 砷化镓单晶AB微缺险密度定量检验方法
- SJ 20844-2002 半绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法
- SJ/T 11207-1999 钇铁石榴石单晶磁性薄膜磁特性的测量方法
- SJ 20641-1997 红外探测器用锑化铟单晶规范
- SJ 20606-1996 二氧化碲单晶规范
- SJ 20607-1996 钼酸铅单晶规范
- SJ 20605-1996 声表面波（SAW）器件用钽酸锂单晶规范
- SJ 3249.2-1989 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
- SJ 3241-1989 砷化镓单晶棒及片
- SJ 3243-1989 磷化铟单晶棒及片
- SJ 3249.1-1989 半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料的电阻率测试方法
- SJ 3244.3-1989 砷化镓、磷化铟单晶晶向的测量方法
- SJ 3245-1989 磷化铟单晶位错的测量方法
- SJ 2915-1988 微波铁氧体单晶器件名词术语和定义
- SJ/Z 2655-1986 锗单晶缺陷图集
- SJ/T 31109-1994 高压单晶炉完好要求和检查评定方法
- SJ/T 11450-2013 单晶炉能源消耗规范
- SJ/T 31108-1994 CG3000型单晶炉完好要求和检查评定方法
- SJ 20444-1994 铌酸锂单晶规范
行业标准-有色金属，关于单晶 靶的标准
- YS/T 977-2014 单晶炉碳/碳复合材料保温筒
- YS/T 978-2014 单晶炉碳/碳复合材料导流筒
- YS/T 792-2012 单晶炉用碳/碳复合材料坩埚
- YS 783-2012 红外锗单晶单位产品能源消耗限额
- YS/T 42-2010 钽酸锂单晶
- YS/T 554-2007 铌酸锂单晶
- YS/T 554-2006 铌酸锂单晶
行业标准-机械，关于单晶 靶的标准
- JB/T 12068-2014 TDR-Z直拉法锗单晶炉
- JB/T 7996-2012 普通磨料.单晶刚玉
- JB/T 5203-2012 单晶刚玉化学分析方法
- JB/T 10439-2004 单晶炉 TDR系列直拉法单晶炉
- JB/T 7996-1999 普通磨料.单晶刚玉
- JB/T 5203-1991 单晶刚玉.化学分析方法
- JB/T 5633-1991 单晶炉 能耗分等
日本工业标准调查会，关于单晶 靶的标准
- JIS C6760-2014 表面声波 (SAW) 器件用单晶晶片. 规范和测量方法
- JIS C6760-2014 表面声波 (SAW) 器件用单晶晶片. 规范和测量方法
2013/12/02，关于单晶 靶的标准
- DB13/T 1828-2013 太阳能级类单晶硅片
德国标准化学会，关于单晶 靶的标准
- DIN EN 62276-2013 表面声波(SAW)装置用单晶薄片.规格和测量方法(IEC 62276-2012).德文版本EN 62276-2013
- DIN 6855-2-2013 核医疗仪器的质量控制.第2部分:用于单光子X线断层术的带旋转检测头的角型γ射线摄像机和平面闪烁扫描术的单晶γ射线摄像机的稳定试验
- DIN V VDE V 0126-18-3-2007 太阳能硅片.第3部分:结晶硅片的碱性腐蚀损坏.单晶硅片和多晶硅片腐蚀速度的测定方法
- DIN 6855-2-2005 核医疗仪器的质量控制.第2部分:用于单光子X线断层术的带旋转检测头的角型γ射线摄像机和平面闪烁扫描术的单晶γ射线摄像机的稳定试验
- DIN 50454-2-1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第2部分:铟磷化物
- DIN 50454-3-1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物
- DIN 50439-1982 半导体技术材料的试验.用电容--电压法和水银接点确定单晶层半导体材料中掺杂剂的浓度分布曲线
- DIN 41762-2-1974 静态大功率整流器.第2部分:半导体整流器组和组件、单晶半导体整流器组和组件额定值代码标识
法国标准化协会，关于单晶 靶的标准
- NF C93-616-2013 表面声波 (SAW) 器件用单晶晶片 - 规范和测量方法
陕西省市场监督管理局，关于单晶 靶的标准
- DB61/T 512-2011 太阳电池用单晶硅片检验规则
2010/11/15，关于单晶 靶的标准
- DB13/T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片
韩国标准，关于单晶 靶的标准
- KS C IEC 62276-2007 表面声波装置用单晶薄片.规范和测量方法
行业标准-航空，关于单晶 靶的标准
- HB 7762-2005 航空发动机用定向凝固柱晶和单晶高温合金锭规范
- HB 6742-1993 单晶叶片晶体取向的测定X射线背射劳厄照相法
国家军用标准-国防科工委，关于单晶 靶的标准
- GJB 5512.3-2005 铸造高温合金和铸造金属间化合物高温材料母合金规范 第3部分：单晶铸件用铸造高温合金母合金
美国国家标准学会，关于单晶 靶的标准
- ANSI/ASTM D6058-2001 工作环境空气中单晶陶瓷须晶浓度测定惯例
- ANSI/ASTM D6057-2001 用相衬显微镜测定工作环境空气中单晶陶瓷须晶浓度的方法
- ANSI/ASTM D6056-2001 用传输电子显微镜测定工作环境空气中单晶陶瓷须晶浓度的方法
- ANSI/ASTM D6059-2001 用扫描电子显微镜测定工作环境空气中单晶陶瓷须晶浓度的方法
中国团体标准，关于单晶 靶的标准
- T/CEC 290-2019 背接触单晶硅片技术要求
行业标准-教育，关于单晶 靶的标准
- JY/T 008-1996 四圆单晶X射线衍射仪测定小分子化合物的晶体及分子结构分析方法通则
