EN
KR
JP
ES
RU
DE
硒化钴 半金属
本专题涉及硒化钴 半金属的标准有500条。
国际标准分类中，硒化钴 半金属涉及到有色金属、半导体分立器件、陶瓷、表面处理和镀涂、电子元器件综合、金属材料试验、集成电路、微电子学、半导体材料、黑色金属、电工和电子试验、电学、磁学、电和磁的测量、航空航天制造用材料、纺织产品、光纤通信、阀门、金属矿、滤波器、无线通信、粉末冶金。
在中国标准分类中，硒化钴 半金属涉及到半导体分立器件综合、钢铁与铁合金分析方法、、特种陶瓷、敏感元器件及传感器、电工绝缘材料及其制品、贵金属及其合金分析方法、半导体集成电路、半导体三极管、基础标准与通用方法、微电路综合、电子测量与仪器综合、航空与航天用金属铸锻材料、重金属及其合金分析方法、计算机应用、光通信设备、阀门、场效应器件、贵金属矿、稀土金属及其合金、稀有金属及其合金分析方法、催化剂基础标准与通用方法、计算机设备、半导体分立器件、广播、电视发送与接收设备、半金属及半导体材料分析方法。
RU-GOST R，关于硒化钴 半金属的标准
- GOST 23862.25-1979 稀土金属及其氧化物.钴测定法
- GOST 23862.11-1979 稀土金属及其氧化物.测定钒、铁、钴、锰、铜和镍的化学光谱法
- GOST 23862.4-1979 稀土金属及其氧化物.测定钒、铁、钴、硅、锰、铜、镍、钛、铬的光谱法
PL-PKN，关于硒化钴 半金属的标准
- PN H04232-11-1986 合金含量的化学分析．铬金属，钴的测定
CZ-CSN，关于硒化钴 半金属的标准
- CSN 42 0648 Cast.11-1986 金属铬的化学分析．光度法测定钴
IT-UNI，关于硒化钴 半金属的标准
- UNI 4350-1959 金属材料化学分析方法．锡中的钴测定
- UNI 3672-1955 金属材料化学分析方法．镍中的钴测定．重量法
- UNI 2877-1945 化学实验室用器具．半球形金属水浴器
- UNI 2959-1949 金属材料化学分析方法．钢中的钴测定．氧化锌和阿尔法．亚硝的．β．萘酚重量法
美国国防后勤局，关于硒化钴 半金属的标准
- DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体晶体管对互补金属氧化物半导体,或互补金属氧化物半导体对互补金属氧化物半导体电压转换机构,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
- DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 硅单块 16X16倍增器互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 硅单块 互补金属氧化物半导16X16乘数,数字微型电路
- DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 硅单块 总线控制其N沟道金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 硅单片金属氧化半导体时钟脉冲驱动器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 硅单块 真实时钟,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94745-1995 硅单片电路线型微电路 数字的互补金属氧化物半导体
- DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 硅单片沟道金属氧化物半导体中断发生器数字微电路
- DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 硅单块 8X8倍增器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90997-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 硅单块 八进制高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92026-1992 硅单块 定点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94709-1994 枪战控制互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87744-1987 硅单片1M(64K X 16) BIT,沟道金属氧化物半导体,UVEPROM数字微电路
- DLA SMD-5962-92103-1992 硅单块 浮点处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 硅单片信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-85528-1986 硅单块 总线调停器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 硅单片8 X 8乘数互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 硅单块 互补金属氧化物半导体总线界面直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 硅单片精密定时器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 硅单片微处理器优化数字信号处理互补型金属氧化物半导体微电路
- DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 硅单块 八进制总线接收器,互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,万能中断控制器微型电路
- DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 硅单块 高性能互补金属氧化物半导体总线缓冲器,微型电路
- DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 硅单块 多路调制器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-92106-1993 硅单块 地址处理器2,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 硅单片数字数据处理器沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88599-1988 硅单片时序控制组件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 硅单片16位微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 硅单片四方模拟开关互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96803-1996 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,六角倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体 硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 硅单片,16位微型控制器,沟道金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91513-1993 硅单块 是或倒转门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 硅单块 图像系统处理器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,双直线式微型电路
- DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 硅单片双金属-氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 硅单片8位TTL兼容快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88568-1988 硅单片8位微机单一组装沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 可编程陈列4000GATES互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 硅单片处理器接口电路互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 硅单块 浮点协同处理机,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 硅单片远程终端多协议互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88653-1989 硅单片缓冲收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 硅单块 32比特微处理器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 硅单片8位互补型金属氧化物半导体闪光转换器线性微电路
- DLA SMD-5962-86846 REV C-2001 硅单块 互补金属氧化物半导体64X5平行先进先出,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88758-1991 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86864-1988 可编程逻辑设备互补金属氧化物半导体可擦除数字微型电路
- DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 硅单片总线收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 硅单片四双边开关高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89508-1989 硅单片1/4译码器高速互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体发生器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带三态输入10比特总线或金属氧化半导体主储存器驱动器,双极互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91532 REV C-2004 硅单块 稳压器,低功率双互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 硅单块 互补金属氧化物半导体,可兼容时间钟,微处理器微型电路
- DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 双功率金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-87685-1987 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,8比特微处理器芯片,微型电路
- DLA SMD-5962-92009 REV B-1995 硅单块 VME总线地址控制器,互补金属氧化物半导体,,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92010 REV B-2001 硅单块 VME总线地址控制器,互补金属氧化物半导体,,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87723-1987 硅单块 13输入是非门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92093 REV C-2005 硅单块 操作放大器,互补金属氧化物半导体,四列直线式微型电路
- DLA SMD-5962-92104-1993 硅单块 地址处理器1,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-87805 REV A-2005 硅单片双多谐振荡器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88566 REV C-1994 硅单片双异步接收器/发送器沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86809 REV C-2004 硅单块 16比特微控制器N沟道金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88740 REV D-2007 硅单片2K X 8静态RAM 互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-86824 REV A-1987 硅单块 4比特计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 硅单块 高速互补金属氧化物半导体多功能边缘的数字微型电路
- DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 硅单片16位片状微处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89546-1989 硅单片可编程同步状态机互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 互补金属氧化物半导体微功率定相锁环硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96683-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 128K X 8-BIT数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 四重互补金属氧化物半导体线路激励器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-91605-1992 硅单块 平行D允许登记,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87611 REV D-2006 硅单块 三倍三输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87614 REV G-2007 硅单块 四列二输入或门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87615 REV E-2007 硅单块 四列二输入是门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87623 REV B-2004 硅单块 双1选4译码器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 互补金属氧化物半导体,双重单刀单掷(开关)硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87713 REV A-1991 硅单块 系列控制器多协议高性能金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87722 REV A-2005 硅单块 三倍三输出或门,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87734 REV B-1992 硅单片准备接口时钟发生器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-92057-1993 硅单块 1KX18平行先进先出,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-92101 REV A-1995 硅单块 512X18平行先进先出,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89971-1992 硅单片,远程通用外围接口,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM数字的互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 硅单片H互补型金属氧化物半导体8位输入或无通道数字微电路
- DLA SMD-5962-88576 REV A-2005 硅单片双4输入和通道超速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88628 REV E-2007 硅单片总线控制器远程终端互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 紫外线擦除可编程逻辑器件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86009 REV C-1991 硅单块 高速互补金属氧化物半导体,双二进制计数器数字微型电路
- DLA SMD-5962-86012 REV C-2005 硅单块 七态波纹计数器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88713 REV A-2006 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 硅单片单电源金属氧化物半导体场效应晶体管驱动器线性微电路
- DLA SMD-5962-90901-1992 硅单块 八进制记名的收发器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 硅单块 万能移位寄存器,快速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 硅单片12位乘法D/A转换器互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89497 REV B-2006 硅单片256K X 4 视频内存互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 硅单片56位数字信号处理器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89514 REV A-2006 硅单片并行输入/输出控制器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89532 REV C-2006 硅单片双异步接收器/发送器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89536 REV F-2006 硅单片1K X 9先进先出互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89552 REV A-1997 硅单片四方D型触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重与非门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 抗辐射互补金属氧化物半导体母线控制器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 互补金属氧化物半导体,超电压防护多路器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96786-1996 8-BIT双向互补金属氧化物半导体或转换器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95715-1996 数字的互补金属氧化物半导体时钟驱动器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 硅单块 晶体管-晶体管逻辑电路兼容输入,带倒转三态输出的八进制缓冲器和行驱动线或金属氧化半导体驱动器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90996 REV B-1996 硅单块 12 X 12倍增器或蓄压器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91501 REV D-2005 硅单块 32比特综合微型控制器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91554 REV A-1992 硅单块 八进制记名收发器,双极互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87549 REV F-2007 硅单块 四列二输入是非门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-91585 REV C-2006 硅单块 1K X9平行先进先出,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-87610 REV C-2004 硅单块 三倍三输入是非门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87612 REV E-2007 硅单块 四列二输入非与门,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91639 REV C-2005 硅单块 互补金属氧化物半导体四列差异总线驱动器,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-91640 REV C-2005 硅单块 互补金属氧化物半导体四列差异总线驱动器,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-87646 REV B-2006 硅单块 六进制接触回弹消除器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87665 REV E-2005 硅单块 MIL-STD-1750微处理器,16比特互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87680 REV C-2006 硅单块 14步二进制计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87691 REV A-2005 硅单块 8输入多路调制器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87704 REV C-1993 硅单块 9和10比特总线接收器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 数字互补金属氧化物半导体可编程电池排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 硅单片数位类比转换器双12位互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-95521 REV B-2006 10,000 GATE可编程逻辑陈列互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 硅单片误差检测与校正的单位互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 硅单片高性能奇偶总线收发器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 静电噪声的随机数字存储存储器混合互补金属氧化物半导体微电路
- DLA SMD-5962-88637 REV C-2005 硅单片字段可编程门阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 硅单块 4比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88655-1989 硅单片八进制D型触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90704-1990 硅单块 16比特数字单一处理器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88699-1988 16通道/差分8通道互补型金属氧化物半导体模拟复用器线性微电路
- DLA SMD-5962-90715 REV B-2007 硅单块 互补金属氧化物半导体4K X9先进先出,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 硅单块 八比特移位寄存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 硅单块 八比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 硅单片16 X 16位乘法器累加器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90803 REV C-2007 硅单块 互补金属氧化物半导体8K X8比特程序,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-86821 REV C-2004 二十进制到十进制译码器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89445 REV A-2006 硅单片可编程N分计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90888-1993 硅单块 曼彻斯特编码和解码器,互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 硅单块 8比特量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89483 REV D-1996 硅单片四方通用滤波器数据块互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-89516-1989 硅单片双串行输入/输出控制器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 硅单片A/D转换跑道/搁置8位互补型金属氧化物半导体线性微电路
- DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 硅单块 8比特量值比较器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87518 REV D-2005 硅单块 可编程序中断控制器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87519 REV A-1991 硅单块 通用接口总线控制器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89533-1989 硅单片10位扬声器收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体二元比率乘数硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96615 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT闭锁装置硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重排外与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96671 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导,8-BIT优先编码器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96672 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体可编程定时器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
- DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体1K X 4静态随机存储器微电路
- DLA SMD-5962-96701 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,四重双向开关硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96816-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96820 REV B-1999 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96822-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96825-1996 互补金属氧化物半导体,四重2输入阳性与门,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体16-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,明渠六角硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95824-1996 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT微处理器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-90525 REV C-2008 由互补金属氧化物半导体制成的单硅数字微电路,带通用异步收发器
- DLA SMD-5962-93159 REV A-2005 硅单片,超大规模集成化多协议处理器,高密度互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-85133-1986 硅单块 80比特扩展数字处理器,高性能金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91603 REV A-1998 硅单块 4态同步双向计数器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87625 REV B-2006 硅单块 双4输入多路复用器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 硅单块 双极金属氧化物半导体技术中断接口闩锁设备,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-91692 REV A-2002 硅单块 交直流转换器,20 KHZ16比特互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-91740-1992 硅单块 16比特数字到模拟倍增转换器,互补金属氧化物半导体,微型电路
- DLA SMD-5962-91762 REV B-1993 硅单块 4X8比特多级流水线寄存器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92124 REV A-2004 硅单块 倒转转换控制器,低功率互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-92153 REV M-2006 硅单块 32K X8静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-95525-1995 带电可消除编程分压计互补金属氧化物半导体硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-92156 REV J-2007 硅单块 800门场可编程门阵列,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 数字的互补金属氧化物半导体可编程逻辑排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-94733-1995 数字的互补金属氧化物半导体1200配置逻辑排列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 硅单片16位误码检测与校正部件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88638 REV C-1996 硅单片可编程逻辑单元阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-85519 REV C-2005 硅单块 8比特可寻址锁存器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 硅单块 无缓冲六位变换电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-86011 REV C-2005 硅单块 译码计数器或分离器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88652-1989 硅单片高速向前进行发电机高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90727 REV A-1993 硅单块 数字互补金属氧化物半导体图形处理系统处理器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-90731 REV E-2004 硅单块 单刀单掷模拟开关,互补金属氧化物半导体四列,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-86810 REV A-1988 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,双万能系列交流控制器数字微型电路
- DLA SMD-5962-86854-1987 硅单块 4比特二进制计数器 高速互补金属氧化物半导体 数字微型电路
- DLA SMD-5962-88775 REV A-1991 硅单片八进制缓冲器/线路驱动器互补型金属氧化物半导体快速微电路
- DLA SMD-5962-89446-1991 硅单片8位可变长度移位寄存器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89463 REV D-2005 硅单片浮点运算的协处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89505 REV A-2005 硅单片内存管理数据块保护部件互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-90969 REV B-2007 硅单块 第功率电压比较器,四列互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-89523 REV C-2006 硅单片64K X 4平行先进先出互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 硅单片80位数字处理器扩建工程互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96526 REV C-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96596 REV B-2007 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重4输入与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96602 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体先入先出寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96610 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体8输入与非与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体四重排外或与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96617 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体18部静态寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96625 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体计数器或分配器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96632 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重互补缓冲器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96669 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重向上计数器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96682 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体4X4多端口寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96684 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体4X4多端口寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96708 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,9-BIT奇偶发生器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,8-BIT数量比较器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95717-1995 数字的互补金属氧化物半导体八角母线接收器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95720 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95725 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角倒相器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96895-1997 双互补金属氧化物半导体,光学的铜传播器接口硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96896-1997 双互补金属氧化物半导体,光学的铜接收器接口硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-97522 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-97523 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-97524 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-97525 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-95779 REV B-1999 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95780 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95781 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95811 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT全加速硅单片电路线型微电路
- DLA DSCC-DWG-85006 REV E-2008 1.0安,60伏的直流光隔密封固态继电器,采用互补金属氧化物半导体输入
- DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 硅单块 64K X8紫外线消除式可程序化只读存储器,,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89561 REV B-2004 硅单片同步预定二进制计数器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 硅单块 高性能双开关电容过滤器,互补金属氧化物半导体,直线式微型电路
- DLA SMD-5962-91566 REV C-1996 硅单块 互补金属氧化物半导体单一芯片8比特微型控制器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91696 REV A-1996 硅单块 16 X 8比特双流水线寄存器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87668 REV C-1991 硅单块 互补高性能金属氧化物半导体结构,32比特微处理器数字微型电路
- DLA SMD-5962-87676 REV A-1988 硅单块 64K X4动态随机存取存储器N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92155 REV A-2006 硅单块 记名的32K X 8比特程序,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-95654 REV C-2000 互补金属氧化物半导体数字的四重2输入排外的硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88520 REV E-2007 硅单片双D型阳性边缘触发器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字微电路
- DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 硅单片256 X 4静态记忆体复位互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 硅单片TTL兼容10位放大镜调节快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88624-1988 硅单片TTL兼容可编程N计数器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 硅单片TTL兼容9位放大镜调节高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88661-1989 硅单片9位扬声器总线收发器快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86061 REV D-2006 硅单块 4列2输入多路复用器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89462 REV B-2005 硅单片16位和8/16位微处理器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-89501 REV D-2007 硅单片总线控制器远程终端多协议互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-87531 REV D-2006 硅单块 平行512 X9先进先出,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89550 REV E-2003 硅单片四方2输入独占或通道互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-89551 REV A-2001 硅单片双 J-K正极边缘触发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-96509 REV A-2006 数字互补金属氧化物半导体512 X 18 X 2先入先出硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体三重3输入硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96603 REV D-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角施密特持发器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96652 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重双向转换开关硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96656 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体4-BIT的D类寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96667 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4-BIT闭锁装置硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96680 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体双重4-BIT闭锁装置硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96728-1995 抗辐射互补金属氧化物半导体静态16-BIT微处理器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 双极互补金属氧化物半导体,四重2输入排外与门硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96836 REV A-2002 互补金属氧化物半导体可编程与门排列2000门硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-96837-2000 互补金属氧化物半导体可编程与门排列8000门硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-95728 REV C-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体8输入多路器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-97504-1997 互补金属氧化物半导体双8设备安全检查过滤器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95818 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体8-BIT输入或输出端硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87649-1988 硅单块 N 沟道金属氧化物半导体电压消除式可程序化只读存储器,32K X 8数字微型电路
- DLA SMD-5962-86830 REV A-1989 硅单块 N沟道金属氧化物半导体8X8比特电压消除式可程序化只读存储器,数字微型电路
- DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 硅单片16千比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 双信道光耦合器金属氧化物半导体场效应晶体管电源的线性混合微型电路
- DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体紫外可编程逻辑阵列,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-91546 REV B-2007 硅单块 一次可编程逻辑阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-91568 REV A-1993 硅单块 1次可编程逻辑阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-91618-1994 硅单块 2K X 9平行先进先出,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-87622 REV E-2007 硅单块 八选一译码器或去复用器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-91677 REV A-2007 硅单块 8K X 9双门先进先出,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-91695-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体可编程逻辑阵列(600门),数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-94663 REV G-2003 数字微电路连续的微码多方式智能终端和收发器硅互补金属氧化物半导体
- DLA SMD-5962-91757 REV A-2001 硅单块 256X8水平同步先进先出互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-91772-1993 硅单块 互补金属氧化物半导体,紫外可擦拭逻辑阵列,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-95610 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95611 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95612 REV A-1996 数字的互补金属氧化物半导体 可编程逻辑电池陈列硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-87700 REV B-2003 硅单块 8比特倍增数字到模拟转换器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87702 REV D-2004 硅单块 12比特倍增数字到模拟转换器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87732 REV B-1991 硅单片J-K触发器与预设和明确高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-87733 REV B-2005 硅单片J-K触发器与预设和明确高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-87753-1988 硅单片双抛四刀类比多工器/解多工器互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-88516 REV D-2002 硅单片10超宽总线接口记数器高性能互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-95643 REV D-2006 数字256K X 16互补金属氧化物半导体录像随机存储器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-88620-1988 硅单片2输入阳性闸门开漏输出高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
- DLA SMD-5962-86076 REV D-2002 硅单块 4比特同步二进制计数器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-86081 REV B-1996 硅单块 4096X4比特静态随机存取存储器,N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-88702 REV A-2003 硅单片八进制D型触发器的时钟互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-90772 REV C-2004 硅单块 输入,三倍三输入正极是门,高级互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 硅单片TTL兼容输入8输入多工器互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 硅单片12位缓冲成倍增加数位类比转换器互补型金属氧化物半导体微电路
- DLA SMD-5962-90849-1991 硅单块 带重设置的双J-K触发器,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90964 REV B-2007 硅单块 1200门场可编程门阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-90965 REV G-2005 硅单块 2000门场可编程门阵列,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 硅单块 8比特允许的量值比较器,高速互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-89524 REV B-2006 硅单片64K X 4静态存取存储器OE 互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
- DLA SMD-5962-96576 REV A-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,计数器发生器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96599 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体9-BIT发生器或监测器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96614 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重单稳多频振荡器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体双重互补加法变极器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96620 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器或转换器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96623 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体8部静态转换寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96626 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体可预先设置的分配器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96633 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重时钟D闭锁装置硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96635 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体低功率单稳多振荡器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96647 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体64部静态转换寄存器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96674 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,类似体4BIT数量比较器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96706 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,4-BIT二元同步计数器硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96801 REV B-2003 互补金属氧化物半导体,六角施密特触发脉冲倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96802 REV B-2005 互补金属氧化物半导体,六角施密特触发脉冲倒相器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96818 REV A-2003 互补金属氧化物半导体,八角母线三状态输出接收器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95691 REV B-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95692 REV A-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95713 REV B-2007 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体可编程计时器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96862-1996 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96868-1996 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95724 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 互补金属氧化物半导体,128K X 8静态随机存储器,硅单片电路数字记忆微电路
- DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 高电压金属氧化物半导体场效应晶体管运算放大器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95777 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体三重3输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95778 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体双重4输入与非硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95783 REV B-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95812 REV C-2006 反射变硬互补金属氧化物半导体双重双刀单掷开关硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95813 REV E-2007 反射变硬互补金属氧化物半导体双重单刀双掷开关硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95814 REV A-1998 高速抗辐射互补金属氧化物半导体四重 2输入排外硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95829 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器或转换器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 硅单片65536 X 1比特动态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
- DLA SMD-5962-90986-1992 硅单块 256K X 4图象随机存储器,互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-87575 REV B-2005 硅单块 多模式直接存储器存取控制器,N沟道金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87624 REV C-2007 硅单块 施米特触发器,六进制转换器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87641-1988 硅单块 闩锁设备,输入密封,双极金属氧化物半导体技术8比特,直线型微型电路
- DLA SMD-5962-91760 REV D-2007 硅单块 一次可编程逻辑设备,双互补金属氧化物半导体,数字主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-95624 REV C-2006 混合数字的512K X 32-BIT,静电噪声随机存取存储器互补金属氧化物半导体微电路
- DLA SMD-5962-87701 REV C-2003 硅单块 8比特倍增数字到模拟转换器,双互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-87756 REV D-2005 硅单片八进制D型触发器与主复位互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
- DLA SMD-5962-92122 REV B-1993 硅单块 32比特通流误差检测和校正装置,互补金属氧化物半导体,数字微型电路
- DLA SMD-5962-92154 REV A-2001 硅单块 64K X 1静态随机存取存储器,互补金属氧化物半导体,主储存器微型电路
- DLA SMD-5962-89951-1990 硅单片,256 X 4位非易失随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
国家质检总局，关于硒化钴 半金属的标准
- GB 8654.6-1988 金属锰化学分析方法 盐酸联氨-碘量法测定硒量
- GB/T 15652-1995 金属氧化物半导体气敏元件总规范
- GB/T 15653-1995 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
- GB/T 5121.28-2010 铜及铜合金化学分析方法 第28部分：铬、铁、锰、钴、镍、锌、砷、硒、银、镉、锡、锑、碲、铅、铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 20899.15-2023 金矿石化学分析方法 第15部分：铜、铅、锌、银、铁、锰、镍、钴、铝、铬、镉、锑、铋、砷、汞、硒、钡和铍含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 12690.5-2017(英文版) 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质的化学分析方法 第5条：钴、锰、铅、镍、铜、锌、铝、铬、镁、镉、钒的测定
中国团体标准，关于硒化钴 半金属的标准
- T/CECA 35-2019 金属氧化物半导体气体传感器
- T/CSTM 00761-2021 金属镍 硒和碲含量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
- T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
- T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
- T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
法国标准化协会，关于硒化钴 半金属的标准
- NF C80-204*NF EN 62418:2011 半导体器件 金属化应力空隙试验
- NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- NF EN 62418:2011 半导体器件 - 测试由金属化应力引起的腔体
- NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
- NF L09-775:1984 用于航空建设的标准化有色金属合金半成品的零件号码编号
- NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验
- NF EN 62373:2006 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
- NF EN 62374-1:2011 半导体器件 - 第 1 部分：金属间化合物层的瞬态介电击穿 (TDDB) 测试
- NF EN 27627-5:1993 硬金属 火焰原子吸收光谱法化学分析 第5部分：测定 0.5 至 2% (m/m) 之间的钴、铁、锰、钼、镍、钛和钒
- NF EN 27627-3:1993 硬金属 火焰原子吸收光谱法化学分析 第3部分：含量在 0.01 至 0.5% (m/m) 之间的钴、铁、锰和镍的测定
行业标准-建材，关于硒化钴 半金属的标准
- JC/T 2024-2010 陶瓷金属卤灯用半透明氧化铝管
丹麦标准化协会，关于硒化钴 半金属的标准
- DS/EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
- DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试
- DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试
欧洲电工标准化委员会，关于硒化钴 半金属的标准
- EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
- EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
- EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 IEC 62373:2006
国际电工委员会，关于硒化钴 半金属的标准
- IEC 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验
- IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
- IEC 62373:2006 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
- IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
- IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
- IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
英国标准学会，关于硒化钴 半金属的标准
- BS EN 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验
- BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
- BS IEC 60747-8-4:2004 半导体分立器件.电力开关设备的金属氧化物半导体场效应晶体管
- BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- BS ISO 17299-5:2014 纺织品 除臭剂性能的测定 金属氧化物半导体传感器方法
- BS EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
- BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
- BS IEC 63275-1:2022 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法
- 18/30381548 DC BS EN 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
- 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 第1部分.快速BTI测试方法
德国标准化学会，关于硒化钴 半金属的标准
- DIN EN 62418:2010-12 半导体器件-金属化应力空洞测试
- DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
- DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
- DIN EN 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验(IEC 62418-2010);德文版本EN 62418-2010
- DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
- DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
- DIN EN 10351:2011-05 黑色金属材料的化学分析 非合金钢和低合金钢的电感耦合等离子体发射光谱分析 锰、磷、铜、镍、铬、钼、钒、钴、铝的测定
ES-UNE，关于硒化钴 半金属的标准
- UNE-EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
- UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试
- UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试
- UNE-EN 27627-3:1993 硬金属 通过火焰原子吸收光谱法进行化学分析 PATR 3：测定含量从 0.01 到 0.50/0(M/M)的钴、铁、锰和镍
SCC，关于硒化钴 半金属的标准
- CEI EN 62418:2011 半导体器件 金属化应力空洞测试
- DANSK DS/EN 62418:2010 半导体器件 金属化应力空洞测试
- DANSK DS/CEN/TR 10362:2014 黑色金属材料化学分析钢中硒的测定电热原子吸收光谱法
- SN-CEN/TR 10362:2014 黑色金属材料化学分析 钢中硒的测定 电热原子吸收光谱法
- CEI EN 62417:2011 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
- DANSK DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试
- CEI EN 62373:2007 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
- DANSK DS/EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
- SPC GB/T 37211.2-2018 金属锗化学分析方法 第2部分：铝、铁、铜、镍、铅、镉、镁、钴、铟、锌含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- NS-EN 27627-3:1993 硬金属 火焰原子吸收光谱法化学分析 第3部分：钴、铁、锰和镍含量 0.01 至 0.5%（m/m）的测定（ISO 7627-3:1983）
- AENOR UNE-EN 2600:2019 航空航天系列 金属半成品的命名 规则（由西班牙标准化协会于 2019 年 2 月批准 ）
GSO，关于硒化钴 半金属的标准
- BH GSO IEC 62418:2022 半导体器件 金属化应力空洞测试
- GSO IEC 62418:2021 半导体器件 金属化应力空洞测试
- GSO IEC 62373:2014 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的温度偏置稳定性测试
- OS GSO IEC 62373:2014 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试
- GSO IEC 63275-1:2024 半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性测试方法 第1部分：偏置温度不稳定性测试方法
行业标准-电子，关于硒化钴 半金属的标准
- SJ 20025-1992 金属氧化物半导体气敏元件总规范
- SJ 20026-1992 金属氧化物半导体气敏元件测试方法
- SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
- SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法
欧洲标准化委员会，关于硒化钴 半金属的标准
- CEN/TR 10362:2014 黑色金属材料化学分析钢中硒的测定电热原子吸收光谱法
- PD CEN/TR 10362:2014 黑色金属材料的化学分析.测定钢中含硒.电热原子吸收光谱法
- EN 27627-3:1993 硬质金属.用火焰原子吸收光谱法进行化学分析.第3部分:钴,铁,锰和镍0.01-0.5%(m/m)的测定(ISO 7627-3-1983)
- EN 27627-5:1993 硬质金属.用火焰原子吸收光谱法进行化学分析.第5部分:0.5-2%(m/m)含量钴,铁,钼,镍,钛和钒的测定
(美国)军事条例和规范，关于硒化钴 半金属的标准
- ARMY MIL-M-48646 NOTICE 1-1997 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
- ARMY MIL-M-48646-1986 多片互补金属氧化物半导体SCO/DLA数字化微电路
- ARMY MIL-M-63530 NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63530 (1)-1987 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63530-1981 互补金属氧化物半导体(逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63320 A-1981 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 互补金属氧化物半导体(初级逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-I-48632 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48632 (2)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48632-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634 NOTICE 1-1996 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634 (3)-1993 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-I-48634-1986 铁制硅互补金属氧化物半导体制数字集成电路
- ARMY MIL-M-63321 A (4)-1990 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63321 A-1981 互补金属氧化物半导体(决定性逻辑)数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A-1981 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 无闸特殊用途的互补金属氧化物半导体数字微电路
- ARMY MIL-M-64034 NOTICE 1-1997 B级命令输出(SCO)同步器单块集成微电路和互补金属氧化物半导体集成电路
- ARMY MIL-M-64034-1986 B级命令输出(SCO)同步器单块集成微电路和互补金属氧化物半导体集成电路
立陶宛标准局，关于硒化钴 半金属的标准
- LST EN 62418-2010 半导体器件 金属化应力空洞测试（IEC 62418:2010）
- LST EN 62417-2010 半导体设备 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试（IEC 62417:2010）
- LST EN 62373-2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳定性测试（IEC 62373:2006）
行业标准-有色金属，关于硒化钴 半金属的标准
- YS/T 561-2009 贵金属合金化学分析方法.铂铑合金中铑量的测定.硝酸六氨合钴重量法
行业标准-农业，关于硒化钴 半金属的标准
- 水和废水监测分析方法 3.4.18-2003 第三篇 综合指标和无机污染物 第四章 金属及其化合物 十八 硒
- 空气和废气监测分析方法 5.3.14-2003 第五篇 污染源监测 第三章 颗粒物及金属化合物测定 十四 硒及其化合物
- 水和废水监测分析方法 3.4.8-2003 第三篇 综合指标和无机污染物 第四章 金属及其化合物 八 钴
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于硒化钴 半金属的标准
- IEEE 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的标准定义和表征
美国电气电子工程师学会，关于硒化钴 半金属的标准
- ANSI/IEEE Std 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的 IEEE 标准定义和表征
台湾地方标准，关于硒化钴 半金属的标准
- CNS 8104-1981 金属氧化物半导体场效晶体管线性临界电压测试法
- CNS 8106-1981 金属氧化物半导体场效晶体管饱和临界电压测试法
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于硒化钴 半金属的标准
- GB/T 5121.28-2021 铜及铜合金化学分析方法 第28部分：铬、铁、锰、钴、镍、锌、砷、硒、银、镉、锡、锑、碲、铅和铋含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 37211.2-2018 金属锗化学分析方法 第2部分：铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
国际标准化组织，关于硒化钴 半金属的标准
- ISO 17299-5:2014 纺织品. 除臭性能的测定. 第5部分: 金属氧化物半导体传感器法
工业和信息化部，关于硒化钴 半金属的标准
- SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
美国通用公司（北美），关于硒化钴 半金属的标准
- GM GM6078M-1989 固体膜润滑剂涂层树脂粘合的金属氧化物半导体和聚四氟乙烯
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于硒化钴 半金属的标准
- JEDEC JEP184-2021 电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评估指南
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于硒化钴 半金属的标准
- GB/T 12690.5-2017 稀土金属及其氧化物中非稀土杂质化学分析方法 第5部分：钴、锰、铅、镍、铜、锌、铝、铬、镁、镉、钒、铁量的测定
行业标准-化工，关于硒化钴 半金属的标准
- HG/T 5764～5767-2020 石油炼制催化剂孔结构的测定、催化裂化催化剂中金属元素的测定、负载型松香歧化用催化剂活性试验方法和硫化钴钼用催化剂（2020）
PH-BPS，关于硒化钴 半金属的标准
- PNS IEC 62373-1:2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验
欧洲电工电子元器件标准，关于硒化钴 半金属的标准
- CECC 90 104- 125 ISSUE 1-1981 BS CECC 90 104-125;带(B)缓冲输出腔体封装封装的硅互补式金属氧化物半导体(英文)
美国材料与试验协会，关于硒化钴 半金属的标准
- ASTM F616M-96 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
- ASTM F616M-96(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
SE-SIS，关于硒化钴 半金属的标准
- SIS SS 02 81 52-1980 无焰原子吸收光谱火焰雾化法测定水，污泥和沉积物中的金属含量铅；铁；镉；钴；铜；镍和锌的特别准则
可能用到的仪器设备
