IEC 60749-12-2002
半导体器件.机械和气候试验方法.第12部分: 振动,可变频率

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 12: Vibration, variable frequency

半导体器件.机械和气候试验方法.第12部分: 振动,可变频率 是非强制性国家标准，您可以免费下载前三页

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BS IEC 62830-3-2017半导体器件. 收集和产生能量的半导体器件. 第3部分: 基于振动的电磁能量收集 IEC 60747-15-2010半导体器件.分立器件.第15部分:单独的电力半导体器件 BS IEC 62830-3-2017 DIN EN 62572-3-2015光纤有源部件和装置可靠性标准.第3部分:电讯用激光组件(IEC 62572-3-2014).德文版本EN 62572-3-2014 BS EN 62572-3-2016光纤有源元件和设备.可靠性标准.电讯用激光模块 IEC 62149-8-2014纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 第8部分: 晶种反射半导体光放大器设备 IEC 62149-2-2014光纤有源元件及器件的性能标准.第2部分:850 nm离散垂直空穴表面发射激光器件 IEC 60747-5-6-2016半导体设备. 第5-6部分: 光电设备. 发光二极管 BS EN 62572-3-2014光纤有源元件和设备.可靠性标准.电讯用激光模块 BS EN 62149-2-2014光纤有源组件和设备.性能标准.850 nm离散垂直空腔表面发射激光设备 BS EN 62149-8-2014纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 晶种反射半导体光学放大器设备 DIN EN 62572-3-2017光纤有源部件和装置可靠性标准.第3部分:电讯用激光组件(IEC 62572-3-2016);德文版本EN 62572-3-2016 IEC 62830-1-2017半导体器件. 收集和产生能量的半导体器件. 第1部分: 基于振动的压电能量收集 BS EN 62149-8-2014纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 晶种反射半导体光学放大器设备 IEC 62572-3-2014光导纤维有源部件和装置可靠性标准.第3部分:电讯用激光组件 BS EN 62149-2-2014光纤有源组件和设备.性能标准.850 nm离散垂直空腔表面发射激光设备 IEC 62830-3-2017半导体器件. 收集和产生能量的半导体器件. 第3部分: 基于振动的电磁能量收集 IEC 62830-1-2017

标准号: IEC 60749-12-2002
发布日期: 2002年04月
实施日期
废止日期: 无
中国标准分类号: L40
国际标准分类号: 31.080.01
发布单位: IX-IEC
代替标准: IEC 60749-12-2017
被代替标准: IEC 47/1536A/CDV-2000 IEC 47/1606/FDIS-2002 IEC 60749-1996 IEC 60749 AMD 1-2000 IEC 60749 AMD 2-2001 IEC 60749 Edition 2.2-2002 IEC/PAS 62187-2000

适用范围: This part of IEC 60749 describes a test to determine the effect of variable frequency vibration, within the specified frequency range, on internal structural elements. This is a destructive test. It is normally applicable to cavity-type packages. In general, this variable frequency vibration test is in conformity with IEC 60068-2-6 but, due to specific requirements of semiconductors, the clauses of this standard apply.

IEC 60749-12-2002系列标准

IEC 60749-1 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和环境试验方法.第1部分:总则 IEC 60749-1-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第1部分:总则 IEC 60749-10 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第10部分:机械冲击 IEC 60749-10-2022 半导体器件.机械和气候试验方法.第10部分:机械冲击.器件和组件 IEC 60749-11 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分:温度的急速变化.双液电镀槽法 IEC 60749-11 Corrigendum 2-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分:温度的急速变化.双液电镀槽法 IEC 60749-11-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第11部分: 温度的急速变化.双液电镀槽法 IEC 60749-12 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第12部分:振动、可变频率 IEC 60749-13 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第13部分:盐性环境 IEC 60749-13-2018 IEC 60749-13-2018 IEC 60749-14-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第14部分:终端装置的坚固性(引线牢固性) IEC 60749-15 Edition 2.0-2010 半导体器件.机械和气候试验方法.第15部分:透孔安装设备对焊接温度的抗性 IEC 60749-15-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第15部分:通孔安装器件的耐焊接温度 IEC 60749-16-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第16部分:粒子冲击噪声探测(PIND) IEC 60749-17-2019 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第17部分:中子照射 IEC 60749-18-2019 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第18部分:电离辐射（总剂量） IEC 60749-19 AMD 1-2010 修改件1.半导体器件.机械和环境试验方法.第19部分:剪切强度试验 IEC 60749-19 Edition 1.1-2010 半导体器件.机械和气候试验方法.第19部分:模剪切强度 IEC 60749-19-2003/AMD1-2010 修改件1.半导体器件.机械和气候试验方法.第19部分:模具剪切强度 IEC 60749-19-2003/AMD1-2010 修改件1.半导体器件.机械和气候试验方法.第19部分:模具剪切强度 IEC 60749-9:2017 半导体器件机械和气候试验方法第9部分:标记持久性 IEC 60749-2 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第2部分:低气压 IEC 60749-2-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第2部分:低气压 IEC 60749-20 CORR 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第20部分:塑料封装的SMDs抗湿气和焊接热的综合影响 IEC 60749-20-1-2019 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第20-1部分:表面贴装装置的处理包装标签和运输对水分和焊接热的综合影响敏感 IEC 60749-20-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第20部分:塑料封装Smds的电阻与水分和焊接热的组合效应 IEC 60749-21-2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第21部分:可焊性 IEC 60749-22 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第22部分:粘接强度 IEC 60749-22-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第22部分:粘接强度 IEC 60749-23 AMD 1-2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温寿命周期 IEC 60749-23 Edition 1.1-2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温下的工作寿命 IEC 60749-23-2011 IEC 60749-23-2011 IEC 60749-23-2004/AMD1-2011 修改件1.半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温工作寿命 IEC 60749-24-2005 半导体器件.机械和气候试验方法.第24部分:加速抗湿性.无偏HAST IEC 60749-25-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第25部分:温度循环 IEC 60749-26-2018 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第26部分:静电放电（ESD）灵敏度测试 - 人体模型（HBM） IEC 60749-27 AMD 1-2012 半导体器件.机械和气候试验方法.第27部分:静电放电(ESD)敏感度检验.机器模型(MM).修改件1 IEC 60749-27 Edition 2.1-2012 半导体器件.机械和气候试验方法.第27部分:静电放电(ESD)敏感度检测.机械模型(MM) IEC 60749-27-2006/AMD1-2012 修改件1.半导体器件.机械和气候试验方法.第27部分:静电放电（ESD）灵敏度试验.机器模型（MM） IEC 60749-27-2006/AMD1-2012 修改件1.半导体器件.机械和气候试验方法.第27部分:静电放电（ESD）灵敏度试验.机器模型（MM） IEC 60749-28-2022 半导体器件.机械和气候试验方法.第28部分:静电放电（ESD）灵敏度试验.带电器件模型（CDM）.器件级 IEC 60749-29-2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第29部分:闭锁试验 IEC 60749-3 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第3部分:外观检验 IEC 60749-3-2017 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第3部分:外部视觉检查 IEC 60749-30 AMD 1-2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第30部分:先于可靠性测试的非密封性表面贴装设备的预处理 IEC 60749-30 Edition 1.1-2011 半导体器件的机械和环境试验.第30部分:非密封表面安装设备可靠性测试前的预处理 IEC 60749-30-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第30部分:在可靠性测试之前对非密封性表面贴装器件进行预处理 IEC 60749-30-2005/AMD1-2011 修改件1.半导体器件.机械和气候试验方法.第30部分:可靠性试验前非密封表面安装器件的预处理 IEC 60749-31 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第31部分:塑料密封器件的易燃性(内部引起的) IEC 60749-31-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第31部分:塑料密封器件的易燃性(内部感应) IEC 60749-32 AMD 1-2010 修改件1.半导体器件.机械和环境试验方法.第32部分:塑料密封器件的易燃性(外部引起的) IEC 60749-32 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第32部分:塑料密封器件的易燃性(外部引起的) IEC 60749-32 Edition 1.1-2010 半导体器件.机械和气候试验方法.第32部分:塑料密封器件的易燃性(外部感应) IEC 60749-32-2002/AMD1-2010 修改件1.半导体器件.机械和气候试验方法.第32部分:塑料封装器件的可燃性（外部诱导） IEC 60749-32-2002/AMD1-2010 修改件1.半导体器件.机械和气候试验方法.第32部分:塑料封装器件的可燃性（外部诱导） IEC 60749-33-2005 半导体器件.机械和气候试验方法.第33部分:加速抗湿.无偏压热器 IEC 60749-34 Edition 2.0-2010 半导体器件.机械和气候试验方法.第34部分:电力循环 IEC 60749-34-2010 半导体器件.机械和环境测试方法.第34部分:电力循环 IEC 60749-35-2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第35部分:塑封电子器件的超声显微检测方法 IEC 60749-36-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第36部分:稳态加速 IEC 60749-37-2008 半导体装置.机械和气候试验方法.第37部分:用加速计的电路板级落锤试验方法 IEC 60749-38-2008 半导体器件.机械和气候试验方法.第38部分:带存储器的半导体器件用软错误试验法 IEC 60749-39-2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量 IEC 60749-4 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分:湿热、稳态、高加速应力试验 IEC 60749-4-2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分:湿热,稳态,高加速应力试验 IEC 60749-40-2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第40部分:使用应变计的板级跌落试验方法 IEC 60749-41-2020 半导体器件.机械和气候试验方法.第41部分:非易失性存储器器件的标准可靠性试验方法 IEC 60749-42-2014 半导体器件. 机械和气候试验方法. 第42部分: 温度和湿度存储 IEC 60749-43-2017 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第43部分:Ic可靠性资格认证计划指南 IEC 60749-44-2016 半导体器件 - 机械和气候测试方法第44部分:中子束照射单事件效应（见）半导体器件测试方法 IEC 60749-5-2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第5部分:稳态温度湿度偏差耐久性试验 IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存 IEC 60749-6-2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存 IEC 60749-7 CORR 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第7部分:其他残余气体的分析和内部含水量的测量 IEC 60749-7-2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第7部分:其他残余气体的分析和内部水分含量的测量 IEC 60749-8 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第8部分:密封 IEC 60749-8 Corrigendum 2-2003 半导体器件.机械和环境试验方法.第8部分:密封 IEC 60749-8-2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第8部分:密封 IEC 60749-9 Corrigendum 1-2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第9部分:标记的持久性 IEC 60749-9-2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第9部分:标记的永久性

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BS IEC 62830-3-2017 半导体器件. 收集和产生能量的半导体器件. 第3部分: 基于振动的电磁能量收集 IEC 60747-15-2010 半导体器件.分立器件.第15部分:单独的电力半导体器件 BS IEC 62830-3-2017 DIN EN 62572-3-2015 光纤有源部件和装置可靠性标准.第3部分:电讯用激光组件(IEC 62572-3-2014).德文版本EN 62572-3-2014 BS EN 62572-3-2016 光纤有源元件和设备.可靠性标准.电讯用激光模块 IEC 62149-8-2014 纤维光学有源元件和器件. 性能标准. 第8部分: 晶种反射半导体光放大器设备 IEC 62149-2-2014 光纤有源元件及器件的性能标准.第2部分:850 nm离散垂直空穴表面发射激光器件 IEC 60747-5-6-2016 半导体设备. 第5-6部分: 光电设备. 发光二极管 BS EN 62572-3-2014 光纤有源元件和设备.可靠性标准.电讯用激光模块 BS EN 62149-2-2014 光纤有源组件和设备.性能标准.850 nm离散垂直空腔表面发射激光设备

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