高温半导体器件

本专题涉及高温半导体器件的标准有500条。

国际标准分类中，高温半导体器件涉及到半导体分立器件、光电子学、激光设备、集成电路、微电子学、图形符号、整流器、转换器、稳压电源、半导体材料、电子电信设备用机电元件、工业自动化系统、光纤通信、有色金属产品、词汇、电子设备用机械构件、信息技术应用、航空航天用电气设备和系统、建筑材料、电工器件、颜色编码、玻璃、阀门。

在中国标准分类中，高温半导体器件涉及到半导体分立器件综合、敏感元器件及传感器、半导体光敏器件、半导体集成电路、激光器件、半导体整流器件、半导体发光器件、电力半导体器件、部件、电子技术专用材料、半导体二极管、基础标准与通用方法、贵金属及其合金、、光电子器件综合、光通信设备、轻金属及其合金、重金属及其合金、微电路综合、电子设备机械结构件、能源、基础标准和通用方法、电子元器件、半导体三极管、低压配电电器、技术管理、石英玻璃、仪器、仪表用材料和元件、场效应器件、阀门。

英国标准学会，关于高温半导体器件的标准

BS IEC 60747-14-5:2010 半导体器件.半导体传感器.PN-结点半导体温度传感器
BS EN 60749-6:2017 半导体器件机械和气候测试方法高温储存
BS IEC 60747-14-4:2011 半导体器件.分立器件.半导体加速器
BS IEC 60747-5-4:2022 半导体器件-光电器件半导体激光器
BS EN 60749-6:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.高温下储存
BS IEC 60747-5-4:2006 半导体器件.分立器件.光电器件.半导体激光器
BS IEC 60747-14-2:2001 分立半导体器件和集成电路.半导体器件.半导体传感器.霍尔元件
BS IEC 60747-14-2:2000 分立半导体器件和集成电路.半导体器件.半导体传感器.霍尔元件
BS EN 60749-23:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.高温操作寿命
BS EN 60749-23:2004+A1:2011 半导体器件.机械和气候试验方法.高温使用寿命
BS EN 60747-15:2004 半导体分立器件.绝缘的功率半导体器件
BS EN 60747-15:2012 半导体设备.分立器件.绝缘的功率半导体器件
BS IEC 60747-14-1:2001 分立式半导体器件和集成电路.半导体器件.半导体传感器.总则和分类.传感器总则和半导体传感器分类
BS IEC 60747-1:2006+A1:2010 半导体器件.总则
BS IEC 60747-14-1:2010 半导体器件.半导体传感器.传感器用一般规范
BS IEC 62951-4:2019 半导体器件柔性和可拉伸半导体器件柔性半导体器件基材上柔性导电薄膜的疲劳评估
PD IEC/TR 63133:2017 半导体器件基于扫描的半导体器件老化水平估计
BS 6493-1.1:1984 半导体器件.分立器件.综述
BS EN 62779-1:2016 半导体器件. 人体沟通的半导体界面. 通用要求
23/30451654 DC BS EN IEC 60747-15 半导体器件第15部分：隔离功率半导体器件分立器件
BS IEC 60747-7:2011 半导体器件分立器件双极晶体管
BS IEC 60747-7:2010 半导体器件.分立器件.双极晶体管
BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 半导体器件分立器件双极晶体管
BS IEC 60747-6:2000 分立半导体器件和集成电路.半导体闸流管
BS IEC 60747-6:2001 分立半导体器件和集成电路.半导体闸流管
19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4 半导体器件第5-4部分光电器件半导体激光器
BS EN 60749-25:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.温度循环
BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 半导体器件分立器件场效应晶体管
23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. 半导体器件第 5-4 部分光电器件半导体激光器
BS EN IEC 60747-5-5:2020 半导体器件光电器件光电耦合器
BS IEC 62951-5:2019 半导体器件柔性可拉伸半导体器件柔性材料热特性测试方法
BS EN 62779-3:2016 半导体器件. 人体沟通的半导体界面. 功能类型及其操作条件
BS IEC 62047-29:2017 半导体器件微机电器件室温下独立式导电薄膜机电松弛试验方法
BS IEC 60747-14-11:2021 半导体器件半导体传感器基于声表面波的紫外、照度和温度测量集成传感器的测试方法
BS IEC 62779-4:2020 半导体器件用于人体通信的半导体接口胶囊内窥镜
BS EN 13604:2013 铜和铜合金. 高导电性铜制半导体器件, 电子真空产品
BS IEC 62951-7:2019 半导体器件柔性和可拉伸半导体器件表征柔性有机半导体薄膜封装阻隔性能的测试方法
BS EN IEC 63364-1:2022 半导体器件物联网系统用半导体器件声音变化检测的测试方法
BS IEC 60747-2:2016 半导体器件.分立器件.整流二极管
13/30264596 DC BS EN 60747-14-7 半导体器件第14-7部分半导体传感器流量计
BS EN 62779-2:2016 半导体器件用于人体通信的半导体接口接口性能表征
13/30264591 DC BS EN 60747-14-6 半导体器件第14-6部分半导体传感器湿度传感器
PD IEC/PAS 62240:2001 制造商规定温度范围以外的半导体器件的使用
BS IEC 62951-6:2019 半导体器件柔性和可拉伸半导体器件柔性导电薄膜方块电阻的测试方法
BS IEC 60748-1:2002 半导体器件.集成电路.总则
BS 6493-2.1:1985 半导体器件.集成电路.总则
BS EN IEC 62969-1:2018 半导体器件汽车半导体接口汽车传感器电源接口通用要求
BS EN IEC 63287-1:2021 半导体器件通用半导体鉴定指南 IC 可靠性鉴定指南
BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
BS EN 60747-5-5:2011 半导体器件.分立器件.光电器件.光电耦合器
BS IEC 62951-1:2017 半导体器件柔性和可拉伸半导体器件柔性基板上导电薄膜的弯曲测试方法
BS EN 60749-38:2008 半导体器件.机械和气候试验方法.带存储器的半导体器件用软错误试验法
BS EN IEC 63244-1:2021 半导体器件用于无线电力传输和充电的半导体器件一般要求和规范
BS IEC 60747-4:2007+A1:2017 半导体器件分立器件微波二极管和晶体管
BS IEC 60747-9:2019 半导体器件分立器件绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
BS EN 60749-42:2014 半导体器件. 机械和气候试验方法. 温度和湿度存储
BS IEC 62373-1:2020 半导体器件金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试
BS EN IEC 60749-15:2020 半导体器件机械和气候测试方法通孔安装器件的耐焊接温度
BS IEC 60747-14-10:2019 半导体器件半导体传感器可穿戴式葡萄糖传感器的性能评估方法
14/30297227 DC BS EN 62880-1 半导体器件半导体器件的晶圆级可靠性铜应力迁移测试方法
13/30264600 DC BS EN 60747-14-8 半导体器件第14-8部分半导体传感器液体电容式劣化传感器
BS IEC 60747-6:2016 半导体器件第6部分：分立器件 — 晶闸管
BS EN IEC 62969-4:2018 半导体器件汽车用半导体接口汽车传感器数据接口的评价方法
BS EN IEC 60747-16-6:2019 半导体器件微波集成电路倍频器
BS EN 60747-16-1:2002+A2:2017 半导体器件微波集成电路放大器
BS EN 60747-16-3:2002+A2:2017 半导体器件微波集成电路变频器
BS EN 60747-16-5:2013+A1:2020 半导体器件微波集成电路振荡器
BS EN 60747-16-1:2002+A1:2007 半导体器件.微波集成电路.放大器
BS EN 60191-4:2014 半导体器件的机械标准化. 半导体器件包封装外形的编码系统和分类形式
BS EN 62830-3:2017 半导体器件用于能量收集和生成的半导体器件基于振动的电磁能量收集
BS IEC 62830-1:2017 半导体器件用于能量收集和生成的半导体器件基于振动的压电能量收集
BS EN 60191-4:2014+A1:2018 半导体器件机械标准化半导体器件封装的编码系统和封装外形形式分类
BS IEC 62830-7:2021 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件线性滑模摩擦电能量收集
BS EN 60191-6-19:2010 半导体器件的机械标准化.在高温及最大允许翘曲下构装翘曲的测量方法

国际电工委员会，关于高温半导体器件的标准

IEC 60747-14-5:2010 半导体器件.第14-5部分:半导体传感器.PN-结点半导体温度传感器
IEC 60747-14-4:2011 半导体器件.分立器件.第14-4部分:半导体感应器
IEC 60747-5-4:2022 半导体器件第5-4部分:光电子器件半导体激光器
IEC 60747-5-4:2006 半导体器件.分立器件.第5-4部分:光电器件.半导体激光器
IEC 60747-15:2010 半导体器件.分立器件.第15部分:单独的电力半导体器件
IEC 60747-14-2:2000 半导体器件第14-2部分:半导体元件霍尔元件
IEC 60749-6:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存
IEC 60749-6:2002/COR1:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存
IEC 60749-6:2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存
IEC 60747-15:2003 半导体分立器件.第15部分：孤立的电力半导体器件
IEC 60749-23:2004/AMD1:2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温工作寿命
IEC 60749-23:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温操作寿命
IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV 半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温工作寿命
IEC 60747-14-3:2001 半导体器件第14-3部分：半导体敏感器压力敏感器
IEC 60747-14-3:2009 半导体器件.第14-3部分:半导体敏感器.压力敏感器
IEC 62951-4:2019 半导体器件.柔性和可伸展半导体器件.第4部分:柔性半导体器件衬底上柔性导电薄膜的疲劳评价
IEC 60747-14-1:2000 半导体器件第14-1部分:半导体元件总则和分类
IEC 60191-1:1966 半导体器件的机械标准化第1部分:半导体器件图形绘制
IEC 60747-14-1:2010 半导体器件.第14-1部分:半导体传感器.传感器用总规范
IEC 60749-23:2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温下的工作寿命
IEC PAS 62240:2001 制造商规定温度范围外的半导体器件的使用
IEC 60191-1A:1969 半导体器件的机械标准化第1部分:半导体器件图形绘制补充1
IEC 60191-1C:1974 半导体器件的机械标准化第1部分:半导体器件图形绘制补充3
IEC 60747-4:2001 半导体器件.分立器件.第4部分:微波器件
IEC 60747-1:2006 半导体器件.第1部分:总则
IEC 60747-1:2006/AMD1:2010 半导体器件.第1部分:总则
IEC 60747-1:2010 半导体器件.第1部分:一般
IEC 60747-1:2006+AMD1:2010 CSV 半导体器件第1部分:总则
IEC 62779-4:2020 半导体器件.人体通信用半导体接口.第4部分:胶囊内窥镜
IEC 60747-1:1983 半导体器件分立器件第1部分:总则
IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管
IEC 60747-7:2010 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管
IEC 60747-7:2019 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管
IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管
IEC 62779-3:2016 半导体器件人体通信用半导体接口第3部分:功能类型及其操作条件
IEC 60747-6:2016 半导体器件 - 第6部分:晶闸管
IEC 60747-6:1983 半导体器件.分立器件.第1部分:晶闸管
IEC 60747-7:1988 半导体器件.分立器件.第7部分:二极管
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
IEC 60747-8:2010 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
IEC 60747-8:2021 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
IEC 60747-8:1984 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管
IEC 60749-25:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第25部分:温度循环
IEC 62047-29:2017 半导体器件 - 微机电器件 - 第29部分:室温下独立导电薄膜的机电弛豫试验方法
IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
IEC 63364-1:2022 半导体器件物联网系统用半导体器件第1部分：声音变化检测的试验方法
IEC 62416:2010 半导体器件 - Mos晶体管上的热载体测试
IEC 62951-6:2019 半导体器件.柔性和可拉伸的半导体器件.第6部分:柔性导电薄膜片电阻的试验方法

GSO，关于高温半导体器件的标准

GSO IEC 60747-14-5:2015 半导体仪器第14-5部分：半导体传感器 PN 结半导体温度传感器
OS GSO IEC 60747-15:2014 半导体器件分立器件第15部分：隔离功率半导体器件
OS GSO IEC 60747-5-4:2014 半导体器件分立器件第5-4部分：光电器件半导体激光器
GSO IEC 60747-14-2:2014 半导体器件第14-2部分：半导体传感器霍尔元件
OS GSO IEC 60747-14-4:2014 半导体器件分立器件第14-4部分：半导体加速度计
OS GSO IEC 60749-23:2014 半导体器件机械和气候测试方法第23部分：高温工作寿命
OS GSO IEC 60747-14-3:2014 半导体器件第14-3部分：半导体传感器压力传感器
GSO IEC 60747-14-4:2014 半导体器件分立器件第14-4部分：用于加速度计的半导体器件
OS GSO IEC 60747-14-1:2014 半导体器件第14-1部分：半导体传感器传感器通用规范
GSO IEC 60747-14-1:2014 半导体器件第14-1部分：半导体传感器传感器通用规范
GSO IEC 60749-6:2014 半导体仪器机械和气候试验方法第6部分：高温储存
GSO IEC 60747-1:2014 半导体器件第1部分：概述
GSO IEC 62779-1:2021 半导体器件用于人体通信的半导体接口第1部分：一般要求
GSO IEC 60749-23:2014 半导体仪器机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命
GSO IEC 62779-3:2021 半导体器件人体通信用半导体接口第3部分：功能类型及其操作条件
OS GSO IEC 60747-6:2014 半导体器件第6部分：晶闸管
GSO IEC 60747-6:2014 半导体器件第6部分：晶闸管
OS GSO IEC 60747-8:2014 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

CZ-CSN，关于高温半导体器件的标准

CSN 35 8701-1975 半导体和半导体器件的术语
CSN 35 1560-1969 功率半导体器件．整流器
CSN 01 3347-1989 半导体器件图形符号
CSN 34 5910-1986 半导体器件金连接线
CSN 01 3368-1990 半导体器件图形符号
CSN 34 5175-1979 功率半导体器件变换器术语
CSN 35 4714-1983 半导体器件保护用低压熔断器
CSN 35 8740-1973 半导体器件．晶体管．饱和电压测量
CSN 35 1609-1983 电力半导体器件．散热器．试验方法

美国国防后勤局，关于高温半导体器件的标准

DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，二极管，硅，高电导型 JAN 1N3207
DLA DSCC-DWG-04029-2005 2N5927高功率型,硅NPN晶体管半导体器件
DLA DSCC-DWG-04030-2005 2N5926高功率型,硅NPN晶体管半导体器件
DLA DESC-DWG-84002-1984 半导体器件散热器
DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 半导体器件，晶体管，PNP，锗，高频，25 毫瓦，JAN-2N128 型
DLA QML-19500-31-2007 半导体器件.一般规格
DLA QML-19500-QPD-2010 半导体器件通用规范
DLA QML-19500-QPD-2011 半导体器件通用规范
DLA QML-19500-2011 半导体器件通用规范
DLA QML-19500-QPD-2012 半导体器件通用规范
DLA QML-19500-2012 半导体器件通用规范
DLA QML-19500-2013 半导体器件通用规范
DLA MIL-S-19500/335 VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，硅，电压参考（温度稳定）类型 1N430A、1N430B
DLA MIL-S-19500/529 VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，晶体管，硅型 2N3904
DLA MIL-PRF-19500/622 C-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率型 2N7368 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-S-19500/208 B VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，晶体管，NPN，硅，高功率，类型 2N1487、22N1488、2N1489 和 2N1490
DLA MIL-S-19500/217 B VALID NOTICE 4-2011 半导体器件、晶体管、PNP、锗、高功率类型 2N456B、2N457B、2N458B、2N1021A、2N1022A
DLA MIL-PRF-19500/622 D-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率型 2N7368 JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA DSCC-DWG-91011 REV B-2003 超快二极管半导体器件
DLA MIL-STD-750 F CHANGE 1-2013 半导体器件的测试方法
DLA MIL-S-19500/273 A VALID NOTICE 3-2011 半导体器件，晶体管类型 2N744 型
DLA MIL-S-19500/303 VALID NOTICE 3-2011 半导体器件，晶体管，2N2631 和 2N2876 型
DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 2-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频类型 2N6603 和 2N6604 JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/384 F VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅高功率、类型 2N3584、2N3585、JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/384 G-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅高功率、类型 2N3584、2N3585、JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/262 G-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率类型 2N1722 和 2N1724，JAN 和 JANTX
DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 3-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频类型 2N6603 和 2N6604 JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA DSCC-DWG-90025 REV C-2013 半导体器件、电源开关稳压器组件
DLA MIL-S-19500/288 VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，晶体管，PNP，硅类型 2N2377
DLA MIL-S-19500/170 A VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，晶体管，PNP，锗类型 2N1499A
DLA MIL-S-19500/179 A VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，晶体管，PNP，硅类型 2N1234
DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，晶体管，NPN，硅类型 2N1051
DLA MIL-STD-750 F-2012 半导体器件测试方法标准
DLA MIL-S-19500/298 VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，二极管，硅型 1N1742A
DLA MIL-S-19500/236 A VALID NOTICE 3-2011 半导体器件，二极管，硅 1N31 型
DLA MIL-PRF-19500/413 F-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、类型 2N3771 和 2N3772、JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/415 A VALID NOTICE 1-2008 半导体、器件、晶体管、NPN、硅、高功率类型 2N2812 和 2N2814 JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/488 E VALID NOTICE 1-2013 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、2N5671 和 2N5672 型、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-S-19500/72 C VALID NOTICE 4-2011 半导体器件、晶体管、PNP、锗 2N499 和 2N499A 型
DLA MIL-S-19500/49 C VALID NOTICE 4-2011 半导体器件，晶体管，PNP，锗，2N464、2N465、2N467 型
DLA MIL-S-19500/215 VALID NOTICE 3-2011 半导体器件，晶体管，2N1173 和 2N1174 型（海军）
DLA MIL-PRF-19500/408 J-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、类型 2N3715 和 2N3716、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA MIL-PRF-19500/488 E-2008 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高功率、类型 2N5671 和 2N5672、JAN、JANTX、JANTXV 和 JANS
DLA DSCC-DWG-94022 REV G-2000 标准恢复二极管半导体器件
DLA MIL-STD-750 E-2006 半导体器件的试验方法标准
DLA MIL-S-19500/227 VALID NOTICE 3-2011 半导体器件，二极管，1N995M 型（海军）
DLA MIL-S-19500/229 VALID NOTICE 3-2011 半导体器件，二极管，1N830AM 型（海军）
DLA DSCC-DWG-90024 REV C-2006 功率开关调节组件的半导体器件
DLA DSCC-DWG-90025 REV B-2002 功率开关调节组件的半导体器件
DLA MIL-S-19500/341 B VALID NOTICE 3-2011 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频、功率类型 2N3375、2N3553 和 2N4440 JAN、JANTX 和 JANTXV
DLA MIL-S-19500/341B-1968 半导体器件、晶体管、NPN、硅、高频、功率类型 2N3375、2N3553 和 2N4440 JAN、JANTX 和 JANTXV

HU-MSZT，关于高温半导体器件的标准

MNOSZ 700-10.lap-1955 意法半导体是非常高温蒸馏

丹麦标准化协会，关于高温半导体器件的标准

DS/EN 60747-15:2012 半导体器件分立器件第15部分：隔离功率半导体器件
DS/EN 60749-6/Corr.1:2004 半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温储存
DS/EN 60749-6:2003 半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温储存
DS/EN 60749-23/A1:2011 半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命
DS/EN 60749-23:2004 半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命
DS/IEC 747-5:1986 半导体器件.分立器件.第5部分:光电子器件
DS/EN 62415:2010 半导体器件-恒流电迁移测试
DS/EN 60749-25:2004 半导体器件机械和气候测试方法第25部分：温度循环
DS/EN IEC 63244-1:2021 半导体器件《无线电力传输和充电用半导体器件》第1部分：一般要求和规范
DS/EN 13604:2013 铜和铜合金由高导电铜制成的半导体器件、电子和真空产品

ES-UNE，关于高温半导体器件的标准

UNE-EN 60747-15:2012 半导体器件分立器件第15部分：隔离功率半导体器件
UNE-EN 62779-1:2016 半导体器件用于人体通信的半导体接口第1部分：一般要求
UNE-EN 62415:2010 半导体器件-恒流电迁移测试

法国标准化协会，关于高温半导体器件的标准

NF EN 60747-15:2013 半导体器件 - 分立器件 - 第 15 部分：隔离半导体功率器件
NF C96-022-6*NF EN 60749-6:2017 半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温储存
NF EN 60749-6:2017 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 6 部分：高温存储
NF C96-015*NF EN 60747-15:2013 半导体器件分立器件第15部分：孤立的电力半导体器件
NF C96-015:2005 半导体分立器件.第15部分:绝缘电力半导体器件
NF C96-022-23*NF EN 60749-23:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温操作寿命
NF C96-022-23/A1*NF EN 60749-23/A1:2012 半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第23部分: 高温工作寿命.
NF C86-010:1986 半导体器件.电子器件质量评估协调体系电子元件.半导体分立器件.一般规范
NF EN 60749-23:2004 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 23 部分：高温下的工作寿命
NF EN 60749-23/A1:2012 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 23 部分：高温下的工作寿命
NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 半导体器件的机械标准化.第6-16部分:半导体试验与BGA、LGA、FBGA和FLGA用高温加速老化插座试验用术语表
NF C96-779-1*NF EN 62779-1:2016 半导体器件人体沟通的半导体界面第1部分：通用要求
NF EN IEC 63364-1:2023 半导体器件 - IDO 系统用半导体器件 - 第 1 部分：声学变化检测测试方法
NF C96-822:1981 半导体器件大功率晶闸管
NF A51-310*NF EN 13604:2013 铜和铜合金高导电性铜制半导体器件、电子管和真空产品
NF C96-779-3*NF EN 62779-3:2016 半导体器件人体通信用半导体接口第3部分：功能类型及其操作条件
NF EN 62415:2010 半导体器件 – 恒流电迁移测试
NF C96-022-25*NF EN 60749-25:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第25部分:温度循环
NF EN 60749-25:2003 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 25 部分：温度循环
NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验

德国标准化学会，关于高温半导体器件的标准

DIN EN 60747-15:2012-08 半导体器件-分立器件-第15部分：隔离功率半导体器件
DIN EN 60749-6:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温储存
DIN EN 60749-6:2017-11 半导体器件机械和气候测试方法第6部分：高温储存
DIN EN 60749-23:2011-07 半导体器件机械和气候测试方法第23部分：高温工作寿命
DIN 43653:1976 半导体换流器用高遮断容量的熔断器
DIN EN 62415:2010-12 半导体器件-恒流电迁移测试
DIN EN 60749-25:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第25部分:温度循环
DIN EN 60749-25:2004-04 半导体器件机械和气候测试方法第25部分：温度循环
DIN 43653:1976-03 用于半导体转换器的高熔断能力熔断器
DIN EN 13604:2013-09 铜及铜合金高导电率铜制成的半导体器件、电子和真空产品

TH-TISI，关于高温半导体器件的标准

TIS 1863-2009 半导体器件.分立器件
TIS 1972-2009 半导体器件.第6部分:晶闸管
TIS 2121-2002 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管

AENOR，关于高温半导体器件的标准

UNE-EN 60749-6:2003 半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温储存
UNE-EN 60749-23:2005 半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命
UNE-EN 60749-23:2005/A1:2011 半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命
UNE-EN 60749-25:2004 半导体器件机械和气候试验方法第25部分：温度循环
UNE-EN 13604:2014 铜和铜合金由高导电铜制成的半导体器件、电子和真空产品

韩国科技标准局，关于高温半导体器件的标准

KS C IEC 60749-6:2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第6部分:高温储存
KS C IEC 60749-6:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存
KS C IEC 60749-23:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温操作寿命
KS C IEC 60749-23:2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温工作寿命
KS C IEC 60749-23-2006(2016) 半导体器件机械和气候试验方法第23部分:高温工作寿命
KS C IEC 60747-14-1:2021 半导体器件第14-1部分:半导体传感器传感器总规范
KS C IEC 60747-14-1:2003 半导体器件.第14-1部分:半导体传感器.总则和分类
KS C IEC 60747-14-1:2019 半导体器件 - 第14-1部分:半导体传感器 - 传感器的通用规范
KS C IEC PAS 62240-2008(2018) 在制造商规定的温度范围外使用半导体器件
KS C IEC 60050-521-2002(2022) 半导体器件和集成电路
KS C IEC 60050-521-2002(2017) 半导体器件和集成电路
KS C IEC 60050-521-2022 半导体器件和集成电路
KS C IEC PAS 62240-2023 在制造商规定的温度范围之外使用半导体器件
KS C IEC 60747-5:2020 半导体器件分立器件第5部分:光电器件
KS C IEC 60747-1:2020 半导体器件 - 第1部分:总则
KS C IEC 60747-1:2004 半导体器件.分立器件.第1部分:总则
KS C IEC 62047-5-2015(2020) 半导体器件MEMS器件第5部分:rfmems开关
KS C IEC 60747-7:2022 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管
KS C IEC 60747-7:2006 半导体器件.第7部分:双极晶体管
KS C IEC 60747-7:2017 半导体器件第7部分：双极晶体管
KS C IEC 60747-6:2006 半导体器件.第6部分:晶闸管
KS C 7013-2004 半导体器件的类型指定系统
KS C IEC 60747-6-2006(2016) 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管
KS C IEC 60747-6:2021 半导体器件第6部分:分立器件晶闸管
KS C IEC 62047-5-2020 半导体器件 MEMS 器件第5部分：RF MEMS 开关
KS C IEC 60747-8:2020 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

KR-KS，关于高温半导体器件的标准

KS C IEC 60749-6-2020 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第6部分:高温储存
KS C IEC 60749-23-2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温工作寿命
KS C IEC 60747-14-1-2021 半导体器件第14-1部分:半导体传感器传感器总规范
KS C IEC 60747-14-1-2019 半导体器件 - 第14-1部分:半导体传感器 - 传感器的通用规范
KS C IEC PAS 62240-2008(2023) 在制造商规定的温度范围之外使用半导体器件
KS C IEC 60747-5-2020 半导体器件分立器件第5部分:光电器件
KS C IEC 60747-1-2020 半导体器件 - 第1部分:总则
KS C IEC 60747-7-2022 半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管
KS C IEC 60747-7-2017 半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管
KS C IEC 60747-6-2021 半导体器件第6部分:分立器件晶闸管
KS C IEC 60747-8-2020 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

欧洲电工标准化委员会，关于高温半导体器件的标准

EN 60747-15:2012 半导体器件.分立器件.第15部分:独立的电力半导体器件
EN 60749-6:2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分:高温下储存
EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
EN 60749-23:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.第23部分:高温操作寿命 IEC 60749-23-2004
EN 62779-1:2016 半导体器件人体通信用半导体接口第1部分：一般要求
EN 62779-3:2016 半导体器件人体通信用半导体接口第3部分：功能类型及其操作条件

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于高温半导体器件的标准

EN 60747-15:2004 半导体器件.分立器件.第15部分:独立的电力半导体器件
EN 62415:2010 半导体器件-恒流电迁移测试

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于高温半导体器件的标准

GB/T 15651.4-2017 半导体器件分立器件第5-4部分:光电子器件半导体激光器

国家质检总局，关于高温半导体器件的标准

GB 15651.4-2017 半导体器件分立器件第5-4部分:光电子器件半导体激光器
GB/T 4937.23-2023 半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命
GB/T 20522-2006 半导体器件第14-3部分:半导体传感器压力传感器
GB/T 12560-1999 半导体器件分立器件分规范
GB/T 20521-2006 半导体器件第14-1部分:半导体传感器总则和分类
GB/T 8750-1997 半导体器件键合金丝
GB 12565-1990 半导体器件光电子器件分规范
GB/T 8750-2007 半导体器件键合用金丝
GB 7423.1-1987 半导体器件散热器通用技术条件
GB/T 32817-2016 半导体器件微机电器件 MEMS总规范
GB 7423.2-1987 半导体器件散热器型材散热器
GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分:微波器件
GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号
GB/T 2900.32-1994 电工术语电力半导体器件
GB 7423.3-1987 半导体器件散热器叉指形散热器
GB/T 15291-2015 半导体器件第6部分：晶闸管
GB/T 15291-1994 半导体器件第6部分晶闸管
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管

国家军用标准-总装备部，关于高温半导体器件的标准

GJB/Z 41.3-1993 军用半导体分立器件系列型谱半导体光电子器件
GJB/Z 41.7-1993 军用半导体分立器件系列型谱温差电致冷组件
GJB 33/17-2011 半导体光电子器件 GO11型半导体光电耦合器详细规范
GJB 33/16-2011 半导体光电子器件 3DU32型半导体光敏晶体管详细规范
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 33/001-1989 半导体分立器件高频小功率晶体管空白详细规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
GJB/Z 10-1989 半导体分立器件系列型谱
GJB 33B-2021 半导体分立器件通用规范
GJB 3164-1998 半导体分立器件包装规范
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法
GJB 33/14A-2021 半导体分立器件3DG44 型硅超高频低噪声晶体管详细规范
GJB 33A/14-2003 半导体分立器件 3DG44 型硅超高频低噪声晶体管详细规范
GJB 8119-2013 半导体光电子器件通用规范
GJB 923-1990 半导体分立器件管壳总规范
GJB 33/15-2011 半导体光电子器件 BT401型半导体红外发射二极管详细规范

未注明发布机构，关于高温半导体器件的标准

DIN EN 60749-6 E:2016-09 半导体器件机械和气候测试方法第6部分：高温储存（草案）
GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
DIN EN 13604:2002 铜和铜合金高导电性铜制半导体器件、电子和真空产品
DIN EN 13604 E:2011-04 铜和铜合金高导电性铜制半导体器件、电子和真空产品（草案）

行业标准-电子，关于高温半导体器件的标准

SJ/T 10414-2015 半导体器件用焊料
SJ/T 10414-1993 半导体器件用焊料
SJ/T 10535-1994 半导体器件用钨舟
SJ/Z 9021.1-1987 半导体器件的机械标准化第1部分：半导体器件图形绘制
SJ 50033/1-1994 半导体分立器件.3DA150型高频功率晶体管详细规范
SJ 50033/103-1996 半导体分立器件.3DA89型高频功率晶体管详细规范
SJ 20072-1992 半导体分立器件.GH24、GH25和GH26型半导体光耦合器.详细规范
SJ 20066-1992 半导体分立器件.2CL3型硅高压整流堆详细规范
SJ/T 11089-1996 半导体分立器件文字符号
SJ 50033/61-1995 半导体分立器件.3DK6547型高压功率开关晶体管详细规范
SJ 50033/62-1995 半导体分立器件.3DK406型高压功率开关晶体管详细规范
SJ 50033/29-1994 半导体分立器件.EK20型砷化镓高速开关组件详细规范
SJ 50033/159-2002 半导体分立器件.3DG142型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
SJ 20059-1992 半导体分立器件.3DG111型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
SJ 20060-1992 半导体分立器件.3DG120型NPN硅高频小功率晶体管.详细规范
SJ 50033/160-2002 半导体分立器件.3DG122型硅超高频小功率晶体管.详细规范
SJ 50033/158-2002 半导体分立器件.3DG44型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
SJ 50033/154-2002 半导体分立器件.3DG251型硅超高频低噪声晶体管.详细规范
SJ 50033/75-1995 半导体分立器件.3DG135型硅超高频小功率晶体管详细规范
SJ 50033/67-1995 半导体分立器件.3DD103型高压低频大功率晶体管详细规范
SJ/T 11848-2022 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范
SJ 2247-1982 半导体光电子器件外形尺寸
SJ/T 10416-1993 半导体分立器件芯片总规范
SJ 2849-1988 半导体分立器件封装件结构尺寸
SJ 50033/35-1994 GH30型半导体高速光耦合器详细规范
SJ 20175-1992 半导体分立器件3DG918型NPN硅超高频小功率晶体管详细规范
SJ/T 11849-2022 半导体分立器件 3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率晶体管详细规范

美国保险商实验所，关于高温半导体器件的标准

UL 1557-1993 电绝缘半导体器件
UL 1557-1997 电绝缘半导体器件
UL 1557-2006 电绝缘半导体器件
UL 1557-2011 电绝缘半导体器件

ESD - ESD ASSOCIATION，关于高温半导体器件的标准

EP118-2007 半导体器件物理学

立陶宛标准局，关于高温半导体器件的标准

LST EN 60747-15-2012 半导体器件分立器件第15部分：隔离功率半导体器件（IEC 60747-15:2010）
LST EN 60749-6-2003 半导体器件机械和气候测试方法第6部分：高温储存（IEC 60749-6:2002）
LST 1412-1995 半导体器件术语和定义
LST EN 60749-23-2004 半导体器件机械和气候测试方法第23部分：高温工作寿命（IEC 60749-23:2004）
LST EN 60749-23-2004/A1-2011 半导体器件机械和气候测试方法第23部分：高温工作寿命（IEC 60749-23:2004/A1:2011）

IEC - International Electrotechnical Commission，关于高温半导体器件的标准

IEC TR 63133:2017 半导体器件基于扫描的半导体器件老化水平估计（1.0 版）

IN-BIS，关于高温半导体器件的标准

IS 5000 OD.1-1969 半导体器件尺寸器件外形 OD1
IS 5000 OD.15-1973 半导体器件尺寸器件外形 OD15
IS 5000 OD.6-1969 半导体器件尺寸器件外形 OD6
IS 5000 OD.2-1969 半导体器件尺寸器件外形 OD2
IS 5000 OD.16-1973 半导体器件尺寸器件外形 OD16
IS 5000 OD.30-1981 半导体器件尺寸器件外形 OD30
IS 5000 OD.5-1969 半导体器件尺寸器件外形 OD5
IS 5000 OD.8-1969 半导体器件尺寸器件外形 OD8
IS 5000 OD.31-1981 半导体器件尺寸器件外形 OD31
IS 5000 OD.13-1971 半导体器件尺寸器件外形 OD13
IS 5000 OD.19-1974 半导体器件尺寸器件外形 OD19
IS 5000 OD.12-1971 半导体器件尺寸器件外形 OD12
IS 5000 OD.18-1974 半导体器件尺寸器件外形 OD18
IS 5000 OD.4-1969 半导体器件尺寸器件外形 OD4
IS 5000 OD.14-1971 半导体器件尺寸器件外形 OD14
IS 5000 OD.7-1969 半导体器件尺寸器件外形 OD7
IS 5000 OD.33-1981 半导体器件尺寸器件外形 OD33
IS 5000 OD.10-1971 半导体器件尺寸器件外形 OD1O
IS 5000 OD.17-1974 半导体器件尺寸器件外形 OD17
IS 5000 OD.35-1981 半导体器件尺寸器件外形 OD35
IS 5000 OD.11-1971 半导体器件尺寸器件外形 OD11
IS 5000 OD.9-1969 半导体器件尺寸器件外形 OD9
IS 5001-1969 半导体器件制图指南
IS 4411-1967 半导体器件名称代码
IS 5001 Pt.1-1969 半导体器件制图指南
IS 5000 OD.25-1978 半导体器件尺寸器件外形 OD 25
IS 5000 OD.24-1979 半导体器件尺寸器件外形 OD 24
IS 5000 OD.29-1979 半导体器件尺寸器件外形 OD 29
IS 5000 OD.21-1979 半导体器件尺寸器件外形 OD 21
IS 5000 OD.23-1978 半导体器件尺寸器件外形 OD 23
IS 5000 OD.36-1981 半导体器件尺寸器件外形图 36
IS 5000 OD.28-1978 半导体器件尺寸器件外形 OD 28
IS 5000 OD.20-1978 半导体器件尺寸器件外形 OD 20
IS 5000 OD.26-1978 半导体器件尺寸器件外形 OD 26
IS 5000 OD.27-1978 半导体器件尺寸器件外形 OD 27
IS 5000 OD.22-1978 半导体器件尺寸器件外形 OD 22
IS 5000 OC.4-1969 半导体器件尺寸 CASE OUTLINE OC4
IS 7412-1974 半导体器件的寿命测试
IS 5000 OD.34-1981 半导体器件尺寸 DEVICE OUTLINE 34
IS 5000 OD.37-1982 半导体器件尺寸器件外形尺寸 OD 37
IS 5000 OB.7-1969 半导体器件基本外形尺寸 OB7
IS 5000 OB.4-1969 半导体器件基本外形尺寸 OB4
IS 5469-1969 半导体结器件使用操作规范
IS 5000 OB.1-1969 半导体器件基本外形尺寸 OB1
IS 5000 OB.5-1969 半导体器件基本外形尺寸 OB5
IS 5000 OB.2-1969 半导体器件基本外形尺寸 OB2
IS 5000 OB.6-1969 半导体器件基本外形尺寸 OB6

RU-GOST R，关于高温半导体器件的标准

GOST R 57439-2017 半导体器件. 基准尺寸
GOST 18472-1988 半导体器件.基本尺寸
GOST 15133-1977 半导体器件.术语和定义
GOST 20859.1-1989 电力半导体器件.一般技术条件
GOST 28578-1990 半导体器件.机械及气候试验
GOST 24376-1991 半导体变换器.一般技术条件
GOST 20215-1984 超高频半导体二极管.一般技术条件

行业标准-机械，关于高温半导体器件的标准

JB/T 4277-1996 电力半导体器件包装
JB/T 5843-2005 电力半导体器件用接插件
JB/T 5843-1991 电力半导体器件用接插件
JB/T 10097-2000 电力半导体器件用管壳
JB/T 10097-1999 电力半导体器件用管壳
JB/T 9684-2000 电力半导体器件用散热器选用导则
JB/T 10501-2005 电力半导体器件用管壳瓷件
JB/T 9687.1-1999 电力半导体器件用钼圆片
JB/T 9687.2-1999 电力半导体器件用钨圆片
JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片
JB/T 5844-1991 电力半导体器件参数符号
JB/T 10096-2000 电力半导体器件用管壳选用导则
JB/T 5835-2005 电力半导体器件用门极组合件
JB/T 5835-1991 电力半导体器件用门极组合件
JB/T 8757-1998 电力半导体器件用热管散热器
JB/T 5631-1991 半导体器件外延炉能耗标准
JB/T 5629-1991 半导体器件烧结炉能耗分等
JB/T 5630-1991 半导体器件扩散炉能耗分等
JB/T 7064-1993 半导体逆变器通用技术条件
JB/T 5537-1991 半导体压力传感器技术条件

行业标准-航天，关于高温半导体器件的标准

QJ 2225-1992 半导体器件使用规则
QJ 1511A-1998 半导体分立器件验收规范
QJ 787-1983 半导体分立器件筛选技术条件
QJ 10007/11-2008 宇航用半导体分立器件 3DG182型硅高频小功率高反压晶体管详细规范

GOST，关于高温半导体器件的标准

GOST R 71055-2023 半导体器件名称系统
GOST R 71070-2023 电子半导体器件术语和定义

中国团体标准，关于高温半导体器件的标准

T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
T/QGCML 2041-2023 878 nm高功率半导体激光器芯片

机械电子工业部，关于高温半导体器件的标准

JB 5843-1991 电力半导体器件用接插件
JB 5835-1991 电力半导体器件用门极组合件

行业标准-邮电通信，关于高温半导体器件的标准

YD/T 1687.1-2007 光通信用高速半导体激光器组件技术条件第1部分：2.5Gbit/s致冷型直接调制半导体激光器组件
YD/T 1687.2-2007 光通信用高速半导体激光器组件技术条件第2部分：2.5Gbit/s无致冷型直接调制半导体激光器组件

行业标准-有色金属，关于高温半导体器件的标准

YS/T 678-2008 半导体器件键合用铜丝
YS/T 641-2007 半导体器件键合用铝丝

美国国家标准学会，关于高温半导体器件的标准

ANSI/EIA 370-B:1992 半导体器件的命名系统
ANSI/EIA 321-C:1987 半导体器件同名终端功能的编号和多单元半导体器件的单元名称
ANSI/EIA 236-C:1986 分立半导体器件的彩色编码

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于高温半导体器件的标准

JEDEC JESD370B-1982 半导体器件的命名系统
JEDEC EIA-323-1966 半导体器件同名终端功能的编号和多单元半导体器件的单元命名
JEDEC EIA-236-C-1986 分立半导体器件的彩色编码
JEDEC JESD236-C-1986 分立半导体器件的颜色编码
JEDEC JESD51-1995 元件套件的热测方法(单半导体器件)
JEDEC EIA-321-C-1987 半导体器件同名终端功能的编号和多单元半导体器件的单元名称和牌号

PL-PKN，关于高温半导体器件的标准

PN T01503 ArkusZ06-1973 半导体器件尺寸A24装置
PN T01503 ArkusZ15-1973 半导体器件尺寸A33装置
PN T01503 ArkusZ16-1973 半导体器件尺寸A51装置
PN T01204-1990 半导体器件．分立器件的断面规格

GOSTR，关于高温半导体器件的标准

GOST R 57436-2017 半导体器件术语和定义
GOST 18577-1980 热电半导体器件术语和定义

SCC，关于高温半导体器件的标准

IEC 60148:1963 半导体器件的字母符号
IEC 60146:1973/AMD1:1975 修改件1 半导体转换器
IEC 60747-4:1991+AMD1:1993+AMD2:1999 CSV 半导体器件分立器件第4部分：微波器件
IEC 60191-1B:1970 半导体器件的机械标准化第1部分：半导体器件图纸的准备第二次补充

政府电子与信息技术协会（US-GEIA改名为US-TECHAMERICA)，关于高温半导体器件的标准

GEIA-4900-2001 生产商规定温度范围以外的半导体器件的使用
GEIA SP4900-2002 生产商规定温度范围以外的半导体器件的使用

PH-BPS，关于高温半导体器件的标准

PNS IEC 62830-2:2021 半导体器件.能量收集和发电用半导体器件.第2部分：热电能量收集

日本工业标准调查会，关于高温半导体器件的标准

JIS C 8377:2021 保护半导体器件的熔断体要求

SE-SIS，关于高温半导体器件的标准

SIS SS CECC 50000-1987 通用规范．分立半导体器件
SIS SS CECC 20000-1983 通用规范．半导体光电器件和液晶器件

澳大利亚标准协会，关于高温半导体器件的标准

AS 4424:1996 半导体器件标准参考指南

工业和信息化部，关于高温半导体器件的标准

SJ/T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范
SJ/T 1480-2016 半导体分立器件 3CG130型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
SJ/T 1472-2016 半导体分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
SJ/T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于高温半导体器件的标准

GB/T 15879.4-2019 半导体器件的机械标准化第4部分：半导体器件封装外形的分类和编码体系

RO-ASRO，关于高温半导体器件的标准

STAS 11381/13-1981 电气图图形符号．半导体器件

行业标准-建材，关于高温半导体器件的标准

JC/T 181-2011 半导体用透明石英玻璃器件

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc.，关于高温半导体器件的标准

NAS4122-1996 散热器电气-电子元件半导体器件挤压
NAS4121-1996 散热器@电气电子元件@半导体器件@成型