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硅片 离子
本专题涉及硅片 离子的标准有328条。
国际标准分类中，硅片 离子涉及到金属材料试验、塑料、电气工程综合、半导体材料、导体材料、医疗设备、电学、磁学、电和磁的测量、无机化学、分析化学、纺织纤维、集成电路、微电子学、质量、建筑物的防护、黑色金属、水质、太阳能工程、废物、铁合金、绝缘流体、航空航天制造用材料、饮料、燃料、非金属矿、有色金属、金属矿、天然气、化工产品、石油产品综合、耐火材料、钢铁产品、橡胶和塑料用原料、建筑材料、乘用车、篷车和轻型挂车、农业和林业、半导体分立器件、烟草、烟草制品和烟草工业设备、光纤通信、粉末冶金。
在中国标准分类中，硅片 离子涉及到半金属及半导体材料分析方法、合成树脂、塑料、其他电工生产设备、半金属与半导体材料综合、、标准化、质量管理、电子测量与仪器综合、其他生产设备、无机盐、化学纤维半制品、微电路综合、分离机械、实验室基础设备、金属物理性能试验方法、元素半导体材料、钢铁与铁合金分析方法、基础标准与通用方法、太阳能、生铁、半导体集成电路、生物制品与血液制品、蒸馏酒、燃料油、建材原料矿、轻金属及其合金分析方法、石油沥青、冶金辅助原料矿、电子光学与其他物理光学仪器、石油产品综合、贵金属及其合金分析方法、稀有高熔点金属及其合金、活塞式内燃机与其它动力设备综合、铬矿、稀有金属及其合金分析方法、其他石油产品、石油地质勘探、化学、土壤、肥料综合、选矿药剂、航空与航天用金属铸锻材料、非金属矿综合、一般有机化工原料、粘结材料、炭黑、铸造、无机酸、碱、绝热、吸声、轻质与防火材料、重金属及其合金分析方法、铁矿、烟草制品、氧化物、单质、光通信设备、半金属、电子技术专用材料、石油焦、半导体分立器件综合、玻璃纤维、石墨材料、耐火材料综合、锰矿、粉末冶金分析方法、硅质耐火材料、商业、贸易、合同。
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于硅片 离子的标准
- GB/T 37385-2019 硅中氯离子含量的测定 离子色谱法
- GB/T 39145-2020 硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 223.90-2021 钢铁及合金 硅含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
- GB/T 24583.8-2019 钒氮合金 硅、锰、磷、铝含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 8704.10-2020 钒铁 硅、锰、磷、铝、铜、铬、镍、钛含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 39138.3-2020 金镍铬铁硅硼合金化学分析方法 第3部分：铬、铁、硅、硼含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 14506.31-2019 硅酸盐岩石化学分析方法 第31部分：二氧化硅等12个成分量测定 偏硼酸锂熔融-电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 36764-2018 橡胶配合剂 沉淀水合二氧化硅 电感耦合等离子体原子发射光谱仪测定重金属含量
- GB/T 38441-2019 生铁及铸铁 铬、铜、镁、锰、钼、镍、磷、锡、钛、钒和硅的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 38812.3-2020 直接还原铁 硅、锰、磷、钒、钛、铜、铝、砷、镁、钙、钾、钠含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 18882.3-2019 离子型稀土矿混合稀土氧化物化学分析方法 第3部分：二氧化硅含量的测定
国家质检总局，关于硅片 离子的标准
- GB/T 32281-2015 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 42276-2022 氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定 离子色谱法
- GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
- GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法
- GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法
- GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
- GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定
- GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
- GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
- GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
- GB/T 14506.12-1993 硅酸盐岩石化学分析方法 离子选择电极法测定氟量
- GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
- GB/T 24583.8-2009 钒氮合金.硅、锰、磷、铝含量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 24585-2009 镍铁 磷、锰、铬、铜、钴和硅含量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 20176-2006 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- GB/T 24582-2009 酸浸取.电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
- GB/T 24194-2009 硅铁.铝、钙、锰、铬、钛、铜、磷和镍含量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 4325.12-2013 钼化学分析方法 第12部分：硅量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 24193-2009 铬矿石和铬精矿.铝、铁、镁和硅含量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 15076.6-2020 钽铌化学分析方法 第6部分:硅量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
- GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 14849.4-2008 工业硅化学分析方法.第4部分:电感耦合等离子体原子发射光谱法测定元素含量
- GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
- GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- GB/T 16477.5-2010 稀土硅铁合金及镁硅铁合金化学分析方法.第5部分：钛量的测定.电感耦合等离子体发射光谱法
- GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- GB/T 6730.63-2006 铁矿石.铝、钙、镁、锰、磷、硅和钛含量的测定.电感耦合等离子体发射光谱法
- GB/T 14849.4-2014 工业硅化学分析方法 第4部分:杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 31854-2015 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
- GB/T 16477.2-2010 稀土硅铁合金及镁硅铁合金化学分析方法.第2部分：钙、镁、锰量的测定.电感耦合等离子体发射光谱法
- GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法.硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- GB/T 16477.3-2010 稀土硅铁合金及镁硅铁合金化学分析方法.第3部分：氧化镁含量的测定.电感耦合等离子体发射光谱法
- GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
- GB/T 23613-2009 锇粉化学分析方法.镁、铁、镍、铝、铜、银、金、铂、铱、钯、铑、硅量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 24197-2009 锰矿石.铁、硅、铝、钙、钡、镁、钾、铜、镍、锌、磷、钴、铬、钒、砷、铅和钛含量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
行业标准-化工，关于硅片 离子的标准
- HG/T 3314-1999 阳离子羟基硅油乳液
- HG/T 3315-1999 阴离子羟基硅油乳液
美国通用公司（北美），关于硅片 离子的标准
- GM 9982042-1996 棒材、等离子弧、硅青铜
工业和信息化部，关于硅片 离子的标准
- JB/T 14231-2022 锂离子电芯叠片机
- JB/T 14230-2022 锂离子电池极片涂布机
- YB/T 4983-2022 磷铁 磷、硅、锰、钛含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YB/T 4566.4-2016 氮化钒铁 硅、锰、磷、铝含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YB/T 4174.1-2022 硅钙合金分析方法 第1部分：铝含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YB/T 6057-2022 钢渣中铁、硅、铝、钙、镁、锰含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
- YB/T 4908.2-2021 钒铝合金 硅、铁、磷、硼、铬、镍、钨、铜、锰、钼含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YS/T 426.5-2021 锑铍芯块化学分析方法 第5部分:硅含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- JC/T 618-2019 绝热材料中可溶出氯化物、氟化物、硅酸盐和钠离子的化学分析方法
- YS/T 1057.3-2022 四氧化三钴化学分析方法 第3部分：硅含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YB/T 4511-2017 直接还原铁 硅、锰、磷、钒、钛、铜、铝、砷、镁、钙、钾、钠含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YB/T 4801-2020 锰铁、锰硅合金和金属锰 铅、砷、钛、铜、镍、钙、镁、铝含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YS/T 1164-2016 硅材料用高纯石英制品中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
- YB/T 4590-2017 硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
- YS/T 1563.3-2022 钼铼合金化学分析方法 第3部分：铝、钙、铜、铁、镁、锰、硅、钛含量的测定 电感耦合等离子原子发射光谱法
- YS/T 1179.4-2017 铝渣化学分析方法 第4部分：硅、镁、钙含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
- YS/T 1263.4-2018 镍钴铝酸锂化学分析方法 第4部分：铝、铁、钙、镁、铜、锌、硅、钠、锰量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YS/T 1075.13-2022 钒铝、钼铝中间合金化学分析方法 第13部分：铁、硅、钼、铬含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YS/T 1585.3-2022 银钨合金化学分析方法 第3部分：钴、铬、铜、镁、铁、钾、钠、锡、镍、硅、锌含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YS/T 1509.3-2021 硅碳复合负极材料化学分析方法 第3部分：铁、镍、锆、钙、铅、铝、铪含量的测定？电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YS/T 1379-2020 纯铂化学分析方法 钯、铑、铱、钌、金、银、铝、铋、铬、铜、铁、镍、铅、镁、锰、锡、锌、硅含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YS/T 833-2020 铼酸铵化学分析方法 铍、镁、铝、钾、钙、钛、铬、锰、铁、钴、铜、锌、钼、铅、钨、钠、锡、镍、硅量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YS/T 1378-2020 纯钯化学分析方法 铂、铑、铱、钌、金、银、铝、铋、铬、铜、铁、镍、铅、镁、锰、锡、锌、硅含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
美国国防后勤局，关于硅片 离子的标准
- DLA DSCC-VID-V62/08627-2008 单片硅高速隔离器数字微电路
- DLA SMD-5962-89441 REV C-2002 硅单片隔离反馈发生器线性微电路
- DLA SMD-5962-88646 REV F-2002 硅单片电压调节器离去阳性可调线性微电路
- DLA MIL-M-38510/476 A VALID NOTICE 3-2010 微电路、数字、CMOS 4 位总线缓冲器/分离器、单片硅
- DLA SMD-5962-91669 REV A-2008 单片硅,5V稳压调节器,线性微电子电路
- DLA SMD-5962-95839 REV C-2008 单片硅5V稳压调节器,线性微电子电路
- DLA SMD-5962-95586 REV B-2010 微电路，线性，可编程，离线，脉冲宽度调制器控制器，单片硅
- DLA SMD-5962-86018 REV D-2006 硅单块 交流型等离子体显示设备直线微型电路
- DLA MIL-M-38510/178A-1984 正逻辑单片硅多路复用器/多路信号分离器,CMOS数字微电路
- DLA SMD-5962-83017 REV G-2005 硅单片解码器/信息分离器,TTL肖脱基小功率数字微型电路
- DLA SMD-5962-87571 REV H-2013 微电路，线性，抗辐射，两个端子温度传感器，单片硅
- DLA SMD-5962-94556 REV B-2004 硅单片,氧化物半导体RF/视频信号倍增器/信号分离器,线性微型电路
- DLA SMD-5962-87641 REV A-2008 单片硅锁存驱动器,串行输入BIMOS 8位的线性微电子电路
- DLA SMD-5962-77047 REV G-2005 硅单片二进制-四分之一译码器/信号分离器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-77048 REV F-2005 硅单片二进制-四分之一译码器/信号分离器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-97508 REV A-2006 双极低功率双2行到4行解码器或信号分离器硅单片电路数字微电路
- DLA MIL-M-38510/316 E VALID NOTICE 1-2008 单片硅级联锁存器,低功率肖特基TTL,双极数字式微电子电路
- DLA MIL-M-38510/319 C VALID NOTICE 1-2008 单片硅级联式,4x4寄存器,低功率肖特基TTL,数字式微电子电路
- DLA SMD-5962-77052 REV L-2005 硅单片8通道正逻辑多路复用器/信号分离器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-94554-1994 硅单片,十六分之一解码器/信号分离器,改进型肖脱基TTL,双极数字微型电路
- DLA SMD-5962-81018 REV H-2005 硅单片三重2通道模拟多路复用器/信息分离器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-79015 REV J-2005 硅单片差速4通道模拟多路复用器/信息分离器,氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-95691 REV B-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95692 REV A-1999 抗辐射互补金属氧化物半导体多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
- DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 高级双极CMOS电子微电路带三态输出的16比特总线收发器单片硅,
- DLA SMD-5962-94761 REV B-2008 单片硅电气式可重写式逻辑编程设备,CMOS数字存储器微电子电路
- DLA SMD-5962-90512-1992 硅单片,8位微型电子计算机,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90654 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,模拟多路复用器/信息分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-96651 REV D-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体,类似体多路器或信号分离器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96679 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体类似体多路器或信号分离器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95693 REV D-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体超电压多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95694 REV D-2006 抗辐射互补金属氧化物半导体超电压多路器或信号分离器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-89745 REV A-2005 硅单片,TTL可兼容输入,3线至8线解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-93217 REV C-2008 单片硅TTL兼容输出,8触发-D型沿触发器,高级双极CMOS数字式微电子电路
- DLA SMD-5962-90613-1990 硅单片,装有地址锁存器的3-8线路解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-90665 REV A-2005 硅单片,装有地址锁存器的3-8线路解码器/信号分离器,高速氧化物半导体数字微型电路
- DLA SMD-5962-97526 REV B-2001 低电压互补金属氧化物半导体,3行到8行解码器或信号分离器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-95825 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体3行到8行解码器或信号分离器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95727 REV D-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体3到8行译码器或信号分离器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95729 REV B-2000 高速抗辐射互补金属氧化物半导体4到16行译码器或信号分离器硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96673 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重二元1到4解码器和信号分离器,硅单片电路数字微电路
- DLA SMD-5962-96544 REV C-2004 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体,3行到8行解码器或信号分离器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-95804 REV B-2005 高速抗辐射互补金属氧化物半导体,双重2到4行解码器或信号分离器,硅单片电路线型微电路
- DLA SMD-5962-96570 REV C-2008 单片硅8缓存和线式驱动器带三种状态的输出,抗辐射的高级CMOS数字式微电子电路
中国团体标准，关于硅片 离子的标准
- T/NAIA 0172-2022 锂离子电池硅碳负极材料
- T/CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
- T/SCS 000013-2021 碳化硼-碳化硅芯块 无机阴离子（F-、Cl-、Br-、I-）的测定 离子色谱法
- T/CAS 455-2020 锂离子电池自动极片刮涂机
- T/ZZB 0699-2018 阳离子染料易染聚酯（PET）切片（ECDP）
- T/CSTM 00193-2020 锂离子动力电池用气凝胶隔热片
- T/CSTM 00014-2019 钢铁 硅含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- T/CNIA 0017-2019 多晶硅用氯硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- T/QAS 040-2021 《卤水 硅的测定 电感耦合等离子体发射光谱法》
- T/CNIA 0061-2020 硅外延用四氯化硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- T/DZJN 114-2022 废旧锂离子电池 极片材料回收技术规范
- T/CMES 08008-2020 钼铁 磷、铜、硅、锡、锑的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- T/CNIA 0012-2019 硅粉中硼、磷、铁、铝、钙、钛含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- T/CPCIF 0096-2021 聚乙烯、聚丙烯中硅含量测定 电感耦合等离子体发射光谱法
- T/NAIA 015-2020 汽油中铁、锰、铅、硅的测定 直接进样-电感耦合等离子体发射光谱法
- T/CNIA 0064-2020 多晶硅行业用无尘擦拭布中杂质含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- T/CSTM 00531-2023 聚丙烯腈基碳纤维中 钾、钠、钙、镁、铁、硅含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- T/SCS 000012-2021 碳化硼-碳化硅芯块 微量元素的测定 电感 耦合等离子体发射光谱法
- T/SASJL 0005-2023 汽车用制动器衬片中铅、镉和总铬的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- T/CNIA 0020-2019 氯硅烷歧化反应用树脂催化剂中杂质含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- T/CNIA 0116-2021 多晶硅生产尾气净化用活性炭中杂质含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
- T/CNIA 0141-2022 多晶硅生产用氢气中金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- T/NXCL 009-2021 铍化学分析方法 铁、铝 、铬、铜、锰、镍、镁、锌、铅 和硅含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- T/CSTM 00780.3-2023 钒酸钠分析方法 第3部分：硅铝等12种杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体光谱法
广东省标准，关于硅片 离子的标准
- DB44/T 1925-2016 锂离子电池刮片设备
- DB44/T 1667-2015 锂离子电池自动叠片机
法国标准化协会，关于硅片 离子的标准
- NF T20-528:1980 工业用硅酸钠和硅酸钾.离子 - 1.10 含量的测定
- NF EN ISO 12624:2022 建筑设备和工业装置用隔热产品 少量水溶性氯离子、氟离子、硅酸根和钠离子的测定及pH测量
- NF X21-070*NF ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度.
- NF ISO 14237:2010 表面化学分析 二次离子质谱分析 使用均匀掺杂材料的硅中硼原子的剂量
- NF EN 1788:2001 食品产品 食品离子热释光检测 不排除硅酸矿物的额外成分
- NF X21-051*NF ISO 17560:2006 表面化学分析 再生离子质量的光谱测定 硅中硼的深仿形方法
- NF ISO 17560:2006 表面化学分析 二次离子质谱分析 通过厚度分析确定硅中硼的剂量
- NF ISO 23812:2009 表面化学分析 二次离子质谱 使用多三角层状参比材料的硅深度校准方法
- NF EN ISO 21587-3:2007 铝硅酸盐耐火制品的化学分析（X射线荧光法的替代方法）-第3部分：原子吸收光谱法（AAS）和等离子体原子发射光谱法...
- NF X21-066*NF ISO 23812:2009 表面化学分析 次级离子质谱分析法 用多δ层参考物质对硅进行深度校准的方法
- FD A06-325*FD CEN/TR 10353:2011 黑色金属材料的化学分析 硅铁的分析 用电感耦合等离子体发射光谱法测定Al、Ti和P
CH-SNV，关于硅片 离子的标准
- SEV 1004-1959 路面的沙子，硅土，碎片和碎石
行业标准-纺织，关于硅片 离子的标准
- FZ/T 51012-2016 阳离子染料易染聚酯切片(ECDP)
- FZ/T 51003-2011 阳离子染料可染聚酯切片(CDP)
RU-GOST R，关于硅片 离子的标准
- GOST 4.168-1985 超速离心机和切片转子.指标项目
- GOST R 53369-2009 伏特加酒和专用伏特加酒.离子色谱法测定硅酸盐
- GOST 31641-2012 伏特加酒和专用伏特加酒.硅酸盐测定的离子色谱法
国际标准化组织，关于硅片 离子的标准
- ISO 17560:2014 表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法
- ISO/TR 17055:2002 钢.硅含量测定.感应耦合等离子体原子发射光谱测量法
- ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- ISO 14237:2000 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- ISO/FDIS 2613-2:2023 天然气分析 生物甲烷中的硅含量 第2部分：离子迁移谱气相色谱法测定硅氧烷含量
- ISO 17560:2002 表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深仿形方法
- ISO 10478:1994 石油产品 中间燃份油中的铝和硅的测定 感应耦合等离子发射和原子吸收光谱法
- ISO/DIS 2613-2 分析天然气《生物甲烷》第2部分：气相色谱离子迁移谱法测定硅氧烷含量
- ISO 23812:2009 表面化学分析.次级离子质谱测定法.使用多δ层参考材料的硅深度校准方法
- ISO 21587-3:2007 硅酸铝耐火材料的化学分析(可选择X射线荧光法).第3部分:感应耦合等离子体和原子吸收光谱测量法
行业标准-电子，关于硅片 离子的标准
- SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
- SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
- SJ/T 11829.1-2022 晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）设备 第1部分：管式PECVD设备
- SJ/T 11829.2-2022 晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）设备 第2部分：板式PECVD设备
韩国科技标准局，关于硅片 离子的标准
- KS B ISO TR 17055:2008 钢.硅含量测定.感应耦合等离子体原子发射光谱测量法
- KS B ISO TR 17055-2008(2018) 钢中硅含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法
- KS D ISO 14237-2003(2018) 表面下学分析-二次离子质量分析-硅内均匀添加的硼原子浓度的测量方法
- KS D ISO 17560-2003(2018) 表面化学分析-二次离子质量分析-硅内硼深度分布测量方法
- KS D ISO 17560:2003 表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深仿形方法
- KS D ISO 14237:2003 表面化学分析.次级离子质谱法.使用非均一掺杂材料的硅中硼原子的浓度测定
- KS L ISO 21587-3-2012(2017) 硅酸铝耐火制品化学分析方法第3部分:电感耦合等离子体和原子吸收光谱法
- KS L ISO 21587-3-2012(2022) 铝硅酸盐耐火制品的化学分析第3部分:电感耦合等离子体和原子吸收光谱法
- KS M ISO 10478-2003(2018) 在燃料的铝和硅的石油产品的测定油 - 电感耦合等离子体发射和原子吸收光谱法
- KS M ISO 10478:2003 石油产品.燃料油中铝和硅含量测定.感应耦合等离子体发散和原子吸收光谱分析法
- KS L ISO 21587-3:2012 硅酸铝耐火材料的化学分析(可选择X射线荧光法).第3部分:感应耦合等离子体和原子吸收光谱测量法
云南省地方标准，关于硅片 离子的标准
- DB53/T 421-2012 工业硅中硼的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- DB53/T 501-2013 多晶硅用三氯氢硅杂质元素含量测定 电感耦合等离子体质谱法
- DB53/T 880-2018 磷矿石中磷镁铁铝硅钙锰硫钛锶的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
RO-ASRO，关于硅片 离子的标准
- STAS 9163/17-1973 硅铝混合产品．互换阳离子的测定：钙、镁、钠和钾
德国标准化学会，关于硅片 离子的标准
- DIN V VDE V 0126-18-4-1:2007 太阳能硅片.第4-1部分:硅片电气特性的测量程序.联机测量法测定少数载流子寿命
- DIN V VDE V 0126-18-6:2007 太阳能硅片.第6部分:光电器件用硅中代位碳原子和间隙氧含量的测量方法
- DIN ISO 10478:2016-07 石油产品 燃料油中铝和硅的测定 电感耦合等离子体发射和原子吸收光谱法
- DIN V VDE V 0126-18-4-2:2007 太阳能硅片.第4-2部分:硅电气特性的测量程序.实验室测量法测定少数载流子寿命
- DIN 51456:2013-10 半导体技术材料测试 使用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)在水性分析溶液中进行多元素测定 对硅晶片进行表面分析
- DIN ISO 10478:2016 石油产品.中间燃份油中的铝和硅的测定.感应耦合等离子发射和原子吸收光谱法(ISO 10478-1994)
- DIN 51456:2013 半导体技术用材料的试验. 使用电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 通过水分析解决方案的多元素测定进行硅晶片的表面分析
- DIN 38405-21:1990-10 德国水、废水和污泥检验标准方法；阴离子（D 组）；光谱法测定溶解硅酸盐 (D 21)
- DIN EN ISO 21587-3:2007-12 铝硅酸盐耐火制品的化学分析（替代X射线荧光法）-第3部分：电感耦合等离子体和原子吸收光谱法
- DIN EN ISO 21587-3:2007 硅酸铝耐熔制品的化学分析(可选择X射线荧光法).第3部分:感应耦合等离子体和原子吸收光谱测定法
- DIN EN 13468:2001 建筑设备和工业设施隔热制品.痕量水溶性氯化物、氟化物、硅酸盐、钠离子和pH值测定
- DIN 51390-4:2000 石油产品的检验.硅含量测定.第4部分:感应耦合等离子体发射的光谱分析直接测定法
行业标准-黑色冶金，关于硅片 离子的标准
- YB/T 4462-2015 高纯硅铁 硼含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YB/T 4461-2015 高纯硅铁 锆和钼含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YB/T 4174.1-2008 硅钙合金 铝含量的测定电感耦合等离子体发射光谱法
- YB/T 4174.2-2008 硅钙合金 磷含量的测定电感耦合等离子体发射光谱法
- YB/T 4231-2010 硅钡铝、硅钙钡和硅钙钡铝合金铝、钡、铁、钙、锰、铜、铬、镍和磷含量的测定电感耦合等离子体发射光谱法
- YB/T 6088-2023 氮化硅铁 钙、铝、铬、锰、钛、磷含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
行业标准-商品检验，关于硅片 离子的标准
- SN/T 2953-2011 生铁中硅、锰、磷、铬的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 2254-2009 残渣燃料油中铝、硅、钒的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 4304-2015 出口氯化钡中铝、镁、铅、硅的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 1427-2004 金属锰中硅、铁、磷含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）
- SN/T 2493-2010 煤沥青中钙、铁、钠、镍、硅、钛、钒的测定 电感耦合等离子体原子发射光普法
- SN/T 3367-2012 钛铁中钛、铝、硅、磷、铜、锰含量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 3708-2013 铬铁中硅和磷含量的测定 微波消解-电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 2264-2009 铝合金中铜、铁、镁、锰、硅、钛、钒、锌和锆的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 4025-2014 稀土硅铁合金及镁硅铁合金化学分析方法 稀土总量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- SN/T 3319.1-2012 进出口磷铁 第1部分：磷、锰、硅、钛、钒、铬的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 3343-2012 不锈钢中锰、磷、硅、铬、镍、铜、钼和钛含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 1650-2005 金属硅中铁、铝、钙、镁、锰、锌、铜、钛、铬、镍、钒含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 2619-2010 金属铬中铝、锑、砷、铋、铜、铁、铅、硅、锡杂质元素的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 4107-2015 白刚玉、铬刚玉中硅、铁、钾、 钠、铬、钙、镁的测定 电感耦合等离子体质谱法
- SN/T 4026-2014 日用玻璃产品中铝、铁、钙、镁、钠、钾、钛、铅、镉、硅、锌、铜的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 3321.1-2012 石灰石、白云石 第1部分：镁、硅、铝、铁、锰和磷含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 4028-2014 塑料及其制品中钙、镁、铝、硅、钛、钴、锑和锌的测定 微波灰化-电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 1829-2006 石油焦炭中铝、钡、钙、铁、镁、锰、镍、硅、钠、钛、钒、锌含量测定.电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）法
- SN/T 0750-1999 进出口碳钢、低合金钢中铝、砷、铬、钴、铜、磷、锰、钼、镍、硅、锡、钛、钒、含量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法
- SN/T 0481.7-2007 进出口矾土检验方法 电感耦合等离子体原子发射光谱法 测定三氧化二铁、二氧化钛、二氧化硅、氧化钙、氧化镁含量
美国国防部标准化文件（含MIL标准），关于硅片 离子的标准
- DOD MIL-M-37401 VALID NOTICE 1-1989 美国标准二甲麦角新碱马来酸阴离子药片
- DOD MIL-M-37401-1976 美国标准二甲麦角新碱马来酸阴离子药片
河北省标准，关于硅片 离子的标准
- DB13/T 2855-2018 钼铁 硅、磷和铜含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
日本工业标准调查会，关于硅片 离子的标准
- JIS K 0164:2023 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度分析方法
- JIS K 0143:2023 表面化学分析-二次离子质谱-使用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
- JIS K 0143:2000 表面化学分析.次级离子质谱法.利用均匀掺杂材料测定硅中硼原子浓度
- JIS K 0164:2010 表面化学分析.再生离子质量的光谱测定.硅中硼的深压型用方法
- JIS K 1200-5:2000 工业用氢氧化钠.第5部分:硅含量的测定.感应耦合等离子体原子发射光化学分析法
- JIS K 0156:2018 表面化学分析-二次离子质谱法-使用多δ层参考材料的硅深度校准方法
- JIS H 1632-2:2014 钛.ICP等离子发射光谱仪.第2部分:钯、锰、铁、镁、硅、铝、钒、镍、铬、锡、铜、钼、锆、铌、钽、钴和钇的测定
YU-JUS，关于硅片 离子的标准
- JUS H.G2.099-1997 离子交换树脂水处理用氯化钠片剂．技术要求
- JUS H.G2.098-1997 离子交换树脂水处理用氯化钠片剂．技术要求
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于硅片 离子的标准
- GB/T 33465-2016 电感耦合等离子体发射光谱法测定汽油中的氯和硅
- GB/T 4702.6-2016 金属铬 铁、铝、硅和铜含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 5195.16-2017 萤石 硅、铝、铁、钾、镁和钛含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- GB/T 33647-2017 车用汽油中硅含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
- GB/T 34099-2017 残渣燃料油中铝、硅、钒、镍、铁、钠、钙、锌及磷含量的测定 电感耦合等离子发射光谱法
四川省标准，关于硅片 离子的标准
- DB51/T 1692-2013 汽油中硅含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
- DB51/T 2038-2015 钒铝合金 硅、铁等15种杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
英国标准学会，关于硅片 离子的标准
- BS ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
- BS ISO 12406:2010 表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
- BS ISO 17560:2002 表面化学分析.再生离子质量光谱测定.硅中硼的深仿形分析法
- BS ISO 17560:2014 表面化学分析.再生离子质量光谱测定.硅中硼的深仿形分析法
- BS EN ISO 21587-3:2007 硅酸铝耐熔制品的化学分析(可选择X射线荧光法).感应耦合等离子体和原子吸收光谱测定法
- BS ISO 23812:2009 表面化学分析.次级离子质谱分析法.用多δ层基准物质对硅进行深度校准的方法
- BS 2000-377:1995 石油及其产品的测试方法 石油产品 燃料油中铝和硅的测定 电感耦合等离子体发射和原子吸收光谱方法
- 23/30433267 DC BS EN ISO 2613-2 天然气分析 生物甲烷 第 2 部分：气相色谱离子迁移光谱法测定硅氧烷含量
- PD ISO/TS 19392-6:2023 油漆和清漆 风力涡轮机转子叶片的涂层系统 使用离心机测定和评估冰附着力
吉林省地方标准，关于硅片 离子的标准
- DB22/T 265-2020 铬铁中硅和磷含量的测定 酸溶、碱熔-电感耦合等离子体原子发射光谱法
KR-KS，关于硅片 离子的标准
- KS D ISO 14237-2003(2023) 表面下学分析-二次离子质谱分析-硅内均匀添加硼原子浓度的测定方法
- KS D ISO 17560-2003(2023) 表面化学分析-二次离子质谱分析-硅内硼深度分布测定场法
- KS M ISO 10478-2003(2023) 石油产品-重油中铝和硅含量测试方法-诱导结合等离子体发射和原子吸收分光光度法
行业标准-有色金属，关于硅片 离子的标准
- YS/T 1601-2023 六氯乙硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- YS/T 426.5-2000 锑铍芯块化学分析方法.电感耦合等离子体发射光谱法测定硅量
- YS/T 1085-2015 精炼镍 硅、锰、磷、铁、铜、钴、镁、铝、锌、铬含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
- YS/T 861.1-2013 铌钛合金化学分析方法 第1部分：铝、镍、硅、铁、铬、铜、钽量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YS/T 904.3-2013 铁铬铝纤维丝化学分析方法 第3部分:硅、锰、钛、铜、镧、铈量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- YS/T 470.1-2004 铜铍合金化学分析方法.电感耦合等离子体发射光谱法测定.铍、钴、镍、钛、铁、铝、硅、铅、镁量
- YS/T 928.4-2013 镍、钴、锰三元素氢氧化物化学分析方法 第4部分:铁、钙、镁、铜、锌、硅、铝、钠量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
河南省标准，关于硅片 离子的标准
- DB41/T 1568-2018 三水铝土矿 有效铝、活性硅含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法
国家质量监督检验检疫总局，关于硅片 离子的标准
- SN/T 4757-2017 出口钒铁中硅、铝、锰、磷、铜、镍、铬、钛的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- SN/T 4758-2017 金红石中三氧化二铁、二氧化硅、二氧化锆含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
美国材料与试验协会，关于硅片 离子的标准
- ASTM F1366-92(1997)e1 用次级离子质谱仪测量重掺杂硅基底中氧含量的测试方法
- ASTM D6130-97a(2009) 感应耦合等离子-原子发散光谱法测定发动机冷却剂中硅和其它素的标准试验方法
- ASTM UOP796-09 用电感耦合等离子体发射光谱分析法(ICP-OES)测定石油液体中硅含量
- ASTM F1617-98 用次级离子质谱测定法(SIMS)测定表面钠,铝,钾-硅和EPI衬底的标准试验方法
- ASTM F374-00a 用单型程序直列式四点探针法测定硅外延层、扩散层、多晶硅层和离子注入层的薄膜电阻的测试方法
- ASTM D6130-11 用感应耦合等离子体.原子发散光谱法测定发动机冷却剂中硅和其它元素的标准试验方法
- ASTM D5184-00 通过灰化 融合 电感耦合等离子体原子发射光谱法和原子吸收光谱法测定燃料油中铝和硅的标准测试方法
- ASTM D5184-12(2017) 通过灰化 融合 电感耦合等离子体原子发射光谱法和原子吸收光谱法测定燃料油中铝和硅的标准测试方法
- ASTM D5184-22 用灰化、熔融、电感耦合等离子体原子发射光谱法和原子吸收光谱法测定燃料油中铝和硅的标准试验方法
- ASTM D6130-97a(2003) 通过感应耦合等离子-原子发散光谱术对发动机冷却剂中硅和其它元素测定的标准试验方法
- ASTM D6130-97a 通过感应耦合等离子-原子发散光谱术对发动机冷却剂中硅和其它元素测定的标准试验方法
- ASTM D6130-11(2018) 通过电感耦合等离子体原子发射光谱测定发动机冷却液中的硅和其他元素的标准测试方法
- ASTM C871-18(2023) 可浸出氯化物、氟化物、硅酸盐和钠离子用隔热材料化学分析的标准试验方法
- ASTM C871-11e1 浸出氯化物,氟化物,硅酸盐及钠离子保温隔热材料化学分析的标准试验方法
- ASTM D5184-12 通过灰化、熔融、电感耦合等离子体原子发射光谱法和原子吸收分光光谱法测定燃料油中铝和硅的标准试验方法
- ASTM C871-08ae2 可浸出氯化物,氟化物,硅酸盐及钠离子用绝热材料的化学分析的标准试验方法
- ASTM C871-08a 可浸出氯化物、氟化物、硅酸盐及钠离子用绝热材料的化学分析的标准试验方法
- ASTM C871-08ae1 可浸出氯化物,氟化物,硅酸盐及钠离子用绝热材料的化学分析的标准试验方法
- ASTM C871-11 可浸出氯化物,氟化物,硅酸盐及钠离子用绝热材料的化学分析的标准试验方法
- ASTM C871-04 可浸出氯化物、氟化物、硅酸盐及钠离子用绝热材料的化学分析的标准试验方法
- ASTM D5184-01 通过灰化、熔融、感应耦合等离子体原子放射分光光度法和原子吸收分光光谱法测定燃料油中铝和硅的标准试验方法
- ASTM D5184-01(2006) 通过灰化、熔融、感应耦合等离子体原子放射分光光度法和原子吸收分光光谱法测定燃料油中铝和硅的标准试验方法
- ASTM C871-18 用于可浸出氯化物 氟化物 硅酸盐和钠离子的隔热材料化学分析的标准试验方法
- ASTM F1392-00 用带汞探针的容量-电压测量法测定硅晶片中净载流子密度分布的标准试验方法
美国国家标准学会，关于硅片 离子的标准
- ANSI/ASTM D6130:1998 感应耦合等离子-原子发散光谱法测定发动机冷却剂中硅和其它元素的方法
行业标准-石油化工，关于硅片 离子的标准
- SH/T 0706-2001 燃料油中铝和硅含量测定法(电感耦合等离子体发射光谱及原子吸收光谱法)
- NB/SH/T 0828-2010 发动机冷却液中硅与其它元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
国家能源局，关于硅片 离子的标准
- SY/T 7410.2-2020 岩石三维孔隙结构测定方法 第2部分：聚焦离子束切片法
青海省标准，关于硅片 离子的标准
- DB63/T 1823-2020 土壤中有效硅的测定柠檬酸浸提 电感耦合等离子体发射光谱法
- DB63/T 1431-2015 工业铬酸钠中铝、钙、镁、铁、硅、钒含量的测定—电感耦合等离子体发射光谱法
- DB63/T 1430-2015 工业铬酸酐中铝、钙、镁、铁、硅、钒含量的测定—电感耦合等离子体发射光谱法
- DB63/T 1611-2017 光纤预制棒原料四氯化硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
- DB63/T 1432-2015 工业重铬酸钠中铝、钙、镁、铁、硅、钒含量的测定—电感耦合等离子体发射光谱法
内蒙古自治区标准，关于硅片 离子的标准
- DB15/T 1240-2017 硅粉中铁、铝、钙、钛、硼、磷含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
- DB15/T 1239-2017 多晶硅生产净化氢气用活性炭中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
- DB15/T 927-2015 电感耦合等离子发射光谱法测定电池级混合稀土金属中镧、铈、镨、钕、锌、镁、铁和硅含量
澳大利亚标准协会，关于硅片 离子的标准
- AS ISO 14237:2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．使用均一的绝缘材料测定硅中的硼原子浓度
- AS ISO 17560:2006 表面化学分析．次级离子质谱测量法．硅中注入硼的深度分布分析法
行业标准-建材，关于硅片 离子的标准
- JC/T 2133-2012 半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 —电感耦合等离子体原子发射光谱法
- JC/T 618-2005 绝热材料中可溶出氯化物、氟化物、硅酸盐及钠离子的化学分析方法
PT-IPQ，关于硅片 离子的标准
- NP ISO 10478:2001 石油制品．燃料油中铝和硅成分的测量，电感耦合等离子发射以及原子吸收光谱分析法
国家烟草专卖局，关于硅片 离子的标准
- YC/T 377-2019 卷烟 主流烟气中氨的测定 浸渍处理剑桥滤片捕集-离子色谱法
行业标准-航空，关于硅片 离子的标准
- HB 6731.12-2005 铝合金化学成分光谱分析方法 第12部分：电感耦合等离子体原子发射光谱法测定硅含量
黑龙江省地方标准，关于硅片 离子的标准
- DB23/T 3602-2023 石墨矿化学分析方法 钾、钠、硅含量测定 偏硼酸锂熔融-电感耦合等离子体原子发射光谱法
行业标准-农业，关于硅片 离子的标准
- SN/T 2953-2023 生铁中硅、铬、锰、磷、钼、镍、钛、钒、钨、铜、铝、锑的测定 电感耦合等离子体发射光谱法
行业标准-稀土，关于硅片 离子的标准
- XB/T 618.1-2015 钕镁合金化学分析方法 第1部分:铝、铜、铁、镍和硅量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
- XB/T 614.6-2011 钆镁合金化学分析方法.第6部分：铝、钙、铜、铁、镍、硅量的测定.电感耦合等离子体原子发射光谱法
丹麦标准化协会，关于硅片 离子的标准
- DS/EN ISO 21587-3:2007 铝硅酸盐耐火制品的化学分析（替代 X 射线荧光法）第3部分：电感耦合等离子体和原子吸收光谱法
- DS/CEN/TR 10353:2012 黑色金属材料的化学分析 硅铁的分析 用电感耦合等离子体发射光谱法测定Al、Ti和P
海关总署，关于硅片 离子的标准
- SN/T 5249-2020 沉淀水合二氧化硅中铁、锰、铜、铝、钛、铅、铬、钙、镁、锌、钾、钠含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
欧洲标准化委员会，关于硅片 离子的标准
- PD CEN/TR 10353:2011 黑色金属材料的化学分析,分析铁-硅测定,Ti和P电感耦合等离子体光学发射光谱法
- CEN/TR 10353:2011 黑色金属材料的化学分析 硅铁的分析 用电感耦合等离子体发射光谱法测定铝、钛和磷
立陶宛标准局，关于硅片 离子的标准
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AENOR，关于硅片 离子的标准
- UNE-EN ISO 21587-3:2008 铝硅酸盐耐火制品的化学分析（替代 X 射线荧光法） 第3部分：电感耦合等离子体和原子吸收光谱法（ISO 21587-3:2007）
