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半导体 材料 检测
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国际标准分类中，半导体 材料 检测涉及到半导体材料、绝缘流体、金属材料试验、试验条件和规程综合、切削工具、电子元器件综合、半导体分立器件、印制电路和印制电路板、密封件、密封装置、电学、磁学、电和磁的测量、电子设备用机械构件、电子电信设备用机电元件、词汇、分析化学、信息技术应用、陶瓷、试验、光学和光学测量、电线和电缆、石蜡、沥青材料和其他石油产品、无机化学、表面处理和镀涂、原油、无损检测、塑料、耐火材料。
在中国标准分类中，半导体 材料 检测涉及到半金属及半导体材料分析方法、半金属与半导体材料综合、元素半导体材料、电子技术专用材料、金属物理性能试验方法、、化合物半导体材料、半导体分立器件综合、基础标准与通用方法、电子测量与仪器综合、微电路综合、特种陶瓷、塑料型材、无机化工原料综合、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、技术管理、通用电子测量仪器设备及系统、计量综合、电子工业生产设备综合、合成树脂、塑料、电工绝缘材料及其制品、炭素材料综合、微型电机、催化剂、炭黑、陶瓷、玻璃综合、耐火材料综合。
德国标准化学会，关于半导体 材料 检测的标准
- DIN 50438-1:1995 半导体工艺材料检验.用红外吸收法测量硅的杂质含量.第1部分:氧
- DIN 50447:1995 半导体工艺材料的检验.用涡流法无接点测量半导体层的表面电阻
- DIN 50451-1:2003 半导体工艺材料检验.液体中痕量元素测定.用原子吸收光谱测定法测定硝酸溶剂中银、金、钙、铜、铁、钾和钠的含量
- DIN 50443-1:1988 半导体工艺使用材料的检验.第1部分:用X射线外形测量法检测半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性
- DIN 50454-2:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第2部分:铟磷化物
- DIN 50454-3:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物
- DIN 50448:1998 半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定
- DIN 50446:1995 半导体工艺材料的检验.硅晶体外延层缺陷种类和缺陷密度的测定
- DIN 50441-1:1996 半导体工艺材料试验.半导体片几何尺寸测量.第1部分:厚度和厚度变化
- DIN SPEC 1994:2017-02 半导体技术材料的测试 弱酸中阴离子的测定
- DIN 50454-1:2000 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓
- DIN 50433-3:1982 半导体工艺材料的检验.第3部分:采用劳埃反向散射法测定单晶体取向
- DIN 50449-1:1997 半导体工艺用材料的检验.通过红外线吸收测定Ⅲ-Ⅴ-连接半导体杂质含量.第1部分:砷化镓中的碳素
- DIN 50441-2:1998 半导体工艺材料的试验.半导体芯片几何尺寸的测量.第2部分:棱角剖面的试验
- DIN 50441-3:1985 半导体工艺材料的检验.第3部分:半导体切片几何尺寸的测量.第3部分:用多射线干涉法测定抛光切片的平面偏差
- DIN 50449-2:1998 半导体工艺材料试验.通过红外线吸收测定半导体中杂质含量.第2部分:砷化镓中的硼
- DIN 50452-1:1995 半导体工艺用材料的检验.液体中粒子分析的试验方法.第1部分:粒子的显微镜测定
- DIN EN 60749-39:2007-01 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- DIN 50434:1986 半导体工艺材料的检验.对(111)和(100)表面采用蚀刻技术的单晶硅的晶体结构缺陷的测定
- DIN EN 62047-2:2007-02 半导体器件微机电器件第2部分：薄膜材料拉伸测试方法
- DIN EN 62047-10:2012-03 半导体器件-微机电器件-第10部分：MEMS材料的微柱压缩测试
- DIN EN 60749-39:2007 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:测量用于半导体元件的有机材料的湿气扩散性和水溶解性
- DIN EN 62047-18:2014-04 半导体器件-微机电器件-第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
- DIN 50452-1:1995-11 半导体技术材料的测试 - 液体中颗粒分析的测试方法 - 第 1 部分：颗粒的显微测定
- DIN 51914:1985 碳素材料检验.抗拉强度测定.固体材料
- DIN 50452-3:1995 半导体工艺材料的检验.液体中颗粒分析的试验方法.第3部分:光学粒子计数器校正
- DIN EN IEC 60749-39:2021-07 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 39 部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量 (IEC 47/2652/CDV:2020)
- DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
- DIN 51937:1994 碳素材料检验.各向异性度测定.固体材料
- DIN 50455-1:2009-10 半导体技术材料测试 光刻胶表征方法 第1部分：用光学方法测定涂层厚度
- DIN 50455-2:1999-11 半导体技术材料测试 光刻胶表征方法 第2部分：正性光刻胶光敏性的测定
- DIN 50441-4:1999 半导体工艺用材料的试验.半导体圆片几何尺寸的测定.第4部分:圆片直径,直径变化量,扁片直径,扁片长度和扁片厚度
- DIN 51064:1981 陶瓷原材料和半成品材料的检验.耐火砖加压耐火性(DFB)的测定
- DIN EN 62047-14:2012-10 半导体器件微机电器件第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
国家质检总局，关于半导体 材料 检测的标准
- GB/T 14264-1993 半导体材料术语
- GB/T 14264-2009 半导体材料术语
- GB/T 31469-2015 半导体材料切削液
- GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
- GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
- GB/T 32981-2016 墙体材料当量导热系数测定方法
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体 材料 检测的标准
- GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法
- GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
- GB/T 37131-2018 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法
- GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
- GB/T 39429-2020 无损检测 导电材料热电势分选方法
HU-MSZT，关于半导体 材料 检测的标准
- MNOSZ 700-16.lap-1955 半导体镍含量的检测
- MNOSZ 700-18.lap-1956 半导体氯含量的检测
- MSZ 771/5-1979 半导体材料的力学性能
- MSZ 7200/2-1984 大功率半导体的一般工艺要求和检测
- MSZ MI 16950/2-1977 电绝缘材料热量检测．指导原则
RO-ASRO，关于半导体 材料 检测的标准
- STAS 6360-1974 半导体材料和设备．术语
- STAS SR 13204-1994 无损检测．导电材料的热电排序法
行业标准-电子，关于半导体 材料 检测的标准
- SJ/T 11775-2021 半导体材料多线切割机
- SJ/T 11067-1996 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
- SJ/Z 3206.13-1989 半导体材料发射光谱分析方法通则
- SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
- SJ 20233-1993 IMPACT-Ⅱ型半导体分立器件测试系统检定规程
印度尼西亚标准，关于半导体 材料 检测的标准
- SNI 19-0429-1989 液体与半固体材料抽样指导
英国标准学会，关于半导体 材料 检测的标准
- BS IEC 62951-5:2019 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性材料热特性测试方法
- BS IEC 62899-203:2018 印刷电子产品 材料 半导体油墨
- BS EN IEC 63364-1:2022 半导体器件 物联网系统用半导体器件 声音变化检测的测试方法
- BS EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候测试方法 测量用于半导体元件的有机材料的水分扩散率和水溶性
- BS EN 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.半导体器件用有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
- BS EN 62047-18:2013 半导体器件.微型机电装置.薄膜材料的弯曲测试方法
- 23/30450091 DC BS IEC 62899-203-2 印刷电子产品 材料 半导体墨水 印刷有机半导体层中的空间电荷有限迁移率测量
- 21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1 半导体器件 用于物联网系统的半导体器件 第1部分 声音变化检测的测试方法
- 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- BS EN 62047-14:2012 半导体装置.微型电机装置.金属薄膜材料的成形极限测量方法
- BS EN 60749-3:2017 半导体器件 机械和气候测试方法 外部目视检查
- BS EN 62047-2:2006 半导体器件.微型机电器件.薄膜材料的拉伸试验方法
- 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203 印刷电子产品 第203部分 材料 半导体油墨
- BS EN 62047-10:2011 半导体装置.微电子机械装置.MEMS材料的微型柱压缩试验
- BS EN 62047-21:2014 半导体器件. 微型机电装置. 薄膜MEMS材料泊松比试验方法
- BS EN 62047-6:2010 半导体装置.微机电装置.薄膜材料的轴向疲劳试验方法
- BS PD CEN/TS 16599:2014 光催化. 半导体材料光催化性能试验的辐照条件以及此类条件的测量
- BS IEC 62047-31:2019 半导体器件 微机电器件 层状MEMS材料界面粘附能的四点弯曲测试方法
- BS ISO 10677:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级技术陶瓷).半导体光催化材料测试用紫外光源
中国团体标准，关于半导体 材料 检测的标准
- T/CASME 798-2023 半导体材料专用加工刀具
- T/SHDSGY 135-2023 新能源半导体硅片材料技术
- T/SZBSIA 007-2022 IC类半导体固晶机检测规范
- T/ICMTIA CM0035-2023 半导体硅材料制程装置用密封垫片
- T/CIE 120-2021 半导体集成电路硬件木马检测方法
- T/CZSBDTHYXH 001-2023 半导体晶圆缺陷自动光学检测设备
- T/CNIA 0143-2022 半导体材料痕量杂质分析用超纯树脂器皿
- T/QGCML 3970-2024 半导体车间金属粉尘智能检测分析系统
- T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
未注明发布机构，关于半导体 材料 检测的标准
- DIN SPEC 1994 E:2016-07 半导体技术材料的测试 弱酸中阴离子的测定
- DIN CEN/TS 16599:2014*DIN SPEC 7397:2014 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
- AS/NZS 1660.2.3:1998(R2017) 电缆、包皮和导体的测试方法 绝缘、挤压半导体屏蔽和非金属外壳 PVC和卤素热塑性塑料材料的特定方法
- AS/NZS 1660.2.3:1998/AMD 1:2000 电缆、包皮和导体的测试方法 绝缘、挤压半导体屏蔽和非金属外壳 PVC和卤素热塑性塑料材料的特定方法
- DIN EN 62047-21 E:2012-11 半导体器件-微机电器件-第21部分：薄膜MEMS材料泊松比测试方法（草案）
- SEMI S23-0311-2011 半导体制造设备使用的能源、公用事业和材料节约指南
SCC，关于半导体 材料 检测的标准
- SPC GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电型测试方法（文档文本为中文）
- SPC GB/T 14844-2018 半导体材料的名称（文档文本为中文）
- CEI EN 62047-18:2014 半导体器件微机电器件 第18部分：薄膜材料弯曲测试方法
- CEI EN 62047-10:2012 半导体器件 微机电器件 第10部分：MEMS材料的微柱压缩测试
- DANSK DS/EN 62047-10:2011 半导体器件 微机电器件 第10部分：MEMS材料的微柱压缩测试
- DANSK DS/EN 62047-18:2013 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
- CEI EN 62047-21:2016 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜MEMS材料泊松比测试方法
- DANSK DS/CEN/TS 16599:2014 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
- DIN CEN/TS 16599:2014 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
- DANSK DS/EN 62047-21:2014 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜MEMS材料泊松比的测试方法
- CEI EN 62047-14:2013 半导体器件微机电器件 第14部分：金属薄膜材料成形极限测量方法
- DANSK DS/EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
- DIN 50451-5 E:2008 半导体技术材料测试 液体中微量元素的测定 第5部分：材料选择指南及其对采样和样品制备设备的适用性测试 .. 草案
法国标准化协会，关于半导体 材料 检测的标准
- NF EN IEC 63364-1:2023 半导体器件 - IDO 系统用半导体器件 - 第 1 部分：声学变化检测测试方法
- NF ISO 10677:2011 技术陶瓷 用于测试半导体光催化材料的紫外光源
- XP CEN/TS 16599:2014 光催化 确定照射条件以测试半导体材料的光催化性能
- NF EN 62047-2:2006 半导体器件 微机电器件 第 2 部分：薄膜材料拉伸测试方法
- NF EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 39 部分：半导体元件中使用的有机材料的水分扩散率和水溶性的测量
- NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 半导体装置 机械和气候试验方法 第39部分：测量用于半导体元件的有机材料的湿气扩散性和水溶解性
- NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 半导体器件.微电子机械器件.第10部分:MEMES材料微极压缩测试
- NF ISO 14605:2013 技术陶瓷 在室内照明环境中测试半导体光催化材料的光源
- NF EN 62047-21:2014 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜MEMS材料泊松比的测试方法
- XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 光催化 用于测试半导体材料光催化性能的辐照条件和这些条件的测量
- NF EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属层材料成形极限的测量方法
- NF T51-223:1985 塑料制品.半晶体材料.用热分析法测定常规熔点
- NF B44-103*NF ISO 10677:2011 细瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）测试半导体光催化材料所用的紫外光源
- NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 半导体装置 微电机装置 第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
SE-SIS，关于半导体 材料 检测的标准
- SIS SS IEC 759:1986 核检测仪表．半导体X射线能谱仪检测程序
- SIS SS IEC 333:1986 核检测仪表．半导体带电微粒探测器测试程序
- SIS SS IEC 596:1981 核检测仪表．半导体辐射探测器及闪烁计数器检测法术语解析
- SIS SS IEC 340:1981 核检测仪表．电离辐射半导体检测器用放大器和前置放大器测试程序
TR-TSE，关于半导体 材料 检测的标准
- TS 2643-1977 电离辐射半导体检测器的测试程序
韩国科技标准局，关于半导体 材料 检测的标准
- KS C 6520-2021 半导体工艺的部件和材料.用等离子体测量磨损特性
- KS C 6520-2019 半导体工艺的部件和材料 - 的通过等离子体磨损特性的测量
- KS C IEC 60749-39-2006(2021) 半导体器件机械和气候试验方法第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- KS C IEC 60749-39-2006(2016) 半导体器件机械和气候试验方法第39部分:半导体器件用有机材料水分扩散率和水溶性的测定
- KS C IEC 60749-39-2021 半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：半导体元件用有机材料水分扩散率和水溶性的测量
- KS C IEC 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体器件使用的有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
国际电工委员会，关于半导体 材料 检测的标准
- IEC 62899-203:2018 印刷电子 第203部分：材料 半导体油墨
- IEC 62951-5:2019 半导体器件.柔性和可伸展半导体器件.第5部分:柔性材料热特性的试验方法
- IEC 63364-1:2022 半导体器件物联网系统用半导体器件第1部分：声音变化检测的试验方法
- IEC 60749-39:2021 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- IEC 60749-39:2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- IEC 62047-18:2013 半导体器件.微型机电器件.第18部分:薄膜材料的弯曲测试方法
- IEC 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体器件使用的有机材料的湿气扩散性和水溶解性的测量
- IEC 62047-14:2012 半导体装置.微电机装置.第14部分:金属薄膜材料的成型极限测量方法
美国国家标准学会，关于半导体 材料 检测的标准
- ANSI/IEEE 300:1988 半导体带电粒子检测器的试验程序
- ANSI/ASTM D3004:2008 压塑交联和热塑性半导体导管和绝缘防护材料用规范
- ANSI/ASTM D6095:2012 压塑交叉连接的热塑性半导体、导体和绝缘屏蔽材料的体电阻纵向测量的试验方法
陕西省标准，关于半导体 材料 检测的标准
- DB61/T 1250-2019 Sic（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范
KR-KS，关于半导体 材料 检测的标准
- KS C IEC 62899-203-2023 印刷电子产品第203部分:材料半导体油墨
- KS L ISO 10677-2023 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工艺陶瓷）半导体光催化材料测试用紫外光源
ES-UNE，关于半导体 材料 检测的标准
- UNE-EN IEC 63364-1:2023 半导体器件 用于物联网系统的半导体器件 第1部分：声音变化检测的测试方法
- UNE-EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- UNE-EN 62047-10:2011 半导体器件 微机电器件 第10部分：MEMS 材料的微柱压缩测试
- UNE-EN 62047-18:2013 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
- UNE-EN 60749-39:2006 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量(IEC 60749-39:2006)
- UNE-EN 62047-6:2010 半导体器件 微机电器件 第6部分：薄膜材料的轴向疲劳测试方法
- UNE-EN 62047-21:2014 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜 MEMS 材料泊松比的测试方法
- UNE-EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
- UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）
- UNE-EN 62047-2:2006 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）
- UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）
美国材料与试验协会，关于半导体 材料 检测的标准
- ASTM D3004-02 挤压交联和热塑性半导体、导体和绝缘屏蔽材料的标准规范
- ASTM D3004-97 挤压交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的标准规范
- ASTM D3004-08(2020) 交联和热塑性挤出半导体 导体和绝缘屏蔽材料的标准规范
- ASTM D6095-06 挤制交联和热塑半导性导体和绝缘防护材料体电阻率的经度测量标准试验方法
- ASTM D6095-12 挤制交联和热塑半导性导体和绝缘防护材料体电阻率的经度测量标准试验方法
- ASTM D6095-12(2023) 挤压交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的体积电阻率纵向测量的标准试验方法
- ASTM D6095-12(2018) 用于挤出交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的体积电阻率的纵向测量的标准测试方法
- ASTM D6095-99 挤制交联和热塑半导性导体和绝缘防护材料体电阻率的标准试验方法
- ASTM D6095-05 挤压交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的体积电阻率的标准试验方法
RU-GOST R，关于半导体 材料 检测的标准
- GOST 22622-1977 半导体材料.基本电气物理参数.术语和定义
- GOST 19656.13-1976 超高频检波半导体二级管.正切灵敏度测定方法
- GOST 19656.7-1974 超高频检波半导体二极管.电流灵敏度测量方法
- GOST 32183-2013 半固体沥青材料. 使用比重瓶测定密度.
GSO，关于半导体 材料 检测的标准
- GSO IEC 60749-39:2014 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- OS GSO IEC 60749-39:2014 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- GSO 1264:2002 沥青材料的测试方法：测定半固体沥青材料的比重
- OS GSO IEC 62047-10:2014 半导体器件 微机电器件 第10部分：MEMS材料的微柱压缩测试
- OS GSO IEC 62047-2:2014 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料拉伸测试方法
- BH GSO IEC 62047-10:2016 半导体器件 微机电器件 第10部分：MEMS材料的微柱压缩测试
- GSO IEC 62047-10:2014 半导体器件 微机电器件 第10部分：MEMS材料的微柱压缩测试
- BH GSO IEC 62047-2:2016 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料拉伸测试方法
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