EN
RU
ES
常用的半导体材料
本专题涉及常用的半导体材料的标准有236条。
国际标准分类中，常用的半导体材料涉及到电子元器件综合、切削工具、半导体材料、塑料、半导体分立器件、分析化学、绝缘流体、电子设备用机械构件、电子电信设备用机电元件、电子显示器件、电线和电缆、陶瓷、电学、磁学、电和磁的测量、光学和光学测量、表面处理和镀涂、橡胶和塑料制品、消防、流体存储装置、化工产品、绝缘材料、集成电路、微电子学、废物、消毒和灭菌。
在中国标准分类中，常用的半导体材料涉及到基础标准与通用方法、、元素半导体材料、合成树脂、塑料基础标准与通用方法、半金属与半导体材料综合、半导体分立器件综合、塑料型材、半金属及半导体材料分析方法、电子工业生产设备综合、其他、化合物半导体材料、特种陶瓷、微型电机、无机化工原料综合、合成树脂、塑料、电工绝缘材料及其制品、催化剂、微电路综合、电子设备机械结构件、包装材料与容器、电磁计量、工业气体与化学气体、家用电器基础标准与通用方法、电工材料和通用零件综合、耐火材料综合、公共医疗设备。
行业标准-电子，关于常用的半导体材料的标准
- SJ/T 11067-1996 红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语
- SJ 20744-1999 半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
HU-MSZT，关于常用的半导体材料的标准
- MSZ 771/5-1979 半导体材料的力学性能
中国团体标准，关于常用的半导体材料的标准
- T/CASME 798-2023 半导体材料专用加工刀具
- T/CNIA 0143-2022 半导体材料痕量杂质分析用超纯树脂器皿
- T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
德国标准化学会，关于常用的半导体材料的标准
- DIN 50447:1995 半导体工艺材料的检验.用涡流法无接点测量半导体层的表面电阻
- DIN 50448:1998 半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定
- DIN 50445:1992 半导体工艺材料检验.用涡流法无接触测定电阻率.均匀掺杂半导体片
- DIN 50439:1982 半导体技术材料的试验.用电容--电压法和水银接点确定单晶层半导体材料中掺杂剂的浓度分布曲线
- DIN 50441-2:1998 半导体工艺材料的试验.半导体芯片几何尺寸的测量.第2部分:棱角剖面的试验
- DIN SPEC 1994:2017-02 半导体技术材料的测试 弱酸中阴离子的测定
- DIN 50443-1:1988 半导体工艺使用材料的检验.第1部分:用X射线外形测量法检测半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性
- DIN 50442-1:1981 半导体无机材料的检验.圆形单晶体半导体薄片表面结构的测定.第1部分:切割和研磨的薄片
- DIN 50449-1:1997 半导体工艺用材料的检验.通过红外线吸收测定Ⅲ-Ⅴ-连接半导体杂质含量.第1部分:砷化镓中的碳素
- DIN EN 60749-39:2007 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:测量用于半导体元件的有机材料的湿气扩散性和水溶解性
- DIN EN 60749-39:2007-01 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- DIN 50449-2:1998 半导体工艺材料试验.通过红外线吸收测定半导体中杂质含量.第2部分:砷化镓中的硼
- DIN 50433-2:1976 无机半导体材料的检验.第2部分:采用反射光影法测定单晶体取向
- DIN 50454-2:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第2部分:铟磷化物
- DIN 50454-3:1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物
- DIN 50433-3:1982 半导体工艺材料的检验.第3部分:采用劳埃反向散射法测定单晶体取向
- DIN 50433-1:1976 无机半导体材料的检验.第1部分:采用X射线衍射现象对单晶体取向的测定
- DIN 50437:1979 半导体无机材料的试验.用红外线干涉法测量硅外延生长层的的厚度
- DIN 50441-3:1985 半导体工艺材料的检验.第3部分:半导体切片几何尺寸的测量.第3部分:用多射线干涉法测定抛光切片的平面偏差
- DIN 50441-4:1999 半导体工艺用材料的试验.半导体圆片几何尺寸的测定.第4部分:圆片直径,直径变化量,扁片直径,扁片长度和扁片厚度
- DIN EN IEC 60749-39:2021-07 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 39 部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量 (IEC 47/2652/CDV:2020)
- DIN EN 62047-10:2012-03 半导体器件-微机电器件-第10部分：MEMS材料的微柱压缩测试
- DIN 50452-1:1995 半导体工艺用材料的检验.液体中粒子分析的试验方法.第1部分:粒子的显微镜测定
- DIN 50434:1986 半导体工艺材料的检验.对(111)和(100)表面采用蚀刻技术的单晶硅的晶体结构缺陷的测定
- DIN 50454-1:2000 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物单晶体错位的测定.第1部分:砷化镓
- DIN EN 62047-18:2014-04 半导体器件-微机电器件-第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
- DIN 50431:1988 半导体材料的试验.用探针直线排列的四探针/直流法测量单晶硅或锗单晶体的电阻率
- DIN 50435:1988 半导体材料试验:采用四探针/直流法测量硅片和锗片电阻率的径向变化
- DIN 50438-2:1982 半导体工艺材料的检验.第2部分:用红外线吸收法测量硅中杂质含量.碳
- DIN EN 62047-2:2007 半导体装置.微型电机装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法
- DIN 50456-3:1999 半导体工艺技术用材料的试验.电子元件模塑化合物材料的特性表示法.第3部分:阳离子杂质的测定
- DIN 50455-1:2009 半导体技术用材料的试验.表征光阻剂方法.第1部分:涂层厚度的光学法测定
- DIN 50452-1:1995-11 半导体技术材料的测试 - 液体中颗粒分析的测试方法 - 第 1 部分：颗粒的显微测定
- DIN 50452-2:2009 半导体技术用材料的试验.液体中粒子分析的试验方法.第2部分:利用光学粒子计数器测定粒子
- DIN 50452-2:2009-10 半导体技术材料的测试 液体中颗粒分析的测试方法 第2部分：用光学颗粒计数器测定颗粒
- DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
- DIN 50452-2:1991 半导体工艺材料的检验.液体中颗粒分析的试验方法.第2部分:用光学粒子计数器对颗粒的测定
- DIN EN IEC 60749-39:2021 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量（IEC 47/2652/CDV:2020）；英文版 prEN IEC 60749-39:2020
- DIN EN IEC 60749-39:2023-10 半导体器件 机械和气候测试方法 第 39 部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量（IEC 60749-39:2021）；德文版 EN IEC 60749-39:2022 / 注：DIN...
- DIN EN 62047-14:2012-10 半导体器件微机电器件第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
- DIN 50452-3:1995-10 半导体技术材料的测试 - 液体中粒子分析的测试方法 - 第 3 部分：光学粒子计数器的校准
- DIN 50452-3:1995 半导体工艺材料的检验.液体中颗粒分析的试验方法.第3部分:光学粒子计数器校正
- DIN 50440:1998 半导体工艺材料的试验.硅单晶中载流子寿命的测量.用光电导法在微小喷射时测量复合载流子寿命
- DIN EN 62047-12:2012-06 半导体器件-微机电器件-第12部分：利用MEMS结构共振的薄膜材料弯曲疲劳测试方法
- DIN 50453-1:1990 半导体工艺材料的检验.蚀刻混合剂浸蚀率的测定.第1部分:单晶硅测重法
- DIN 50455-1:2009-10 半导体技术材料测试 光刻胶表征方法 第1部分：用光学方法测定涂层厚度
- DIN 50450-4:1993 半导体工艺材料的检验.运载气体和掺杂剂气体中杂质的测定.用气相色谱法测定氮气中C1－C3烃类化合物
- DIN 50450-1:1987 半导体工艺材料的检验.载运气体和添加剂气体中杂质的测定.用五氧化二磷电池测定氢、氧、氮、氩和氦中的水杂质
- DIN 50453-1:2023-08 半导体技术材料的测试 - 蚀刻混合物蚀刻速率的测定 - 第 1 部分：硅单晶，重量法
- DIN 50451-7:2018-04 半导体技术材料的测试 液体中痕量元素的测定 第7部分：ICP-MS测定高纯盐酸中的31种元素
- DIN 50451-3:2014-11 半导体技术材料的测试 液体中痕量元素的测定 第3部分：ICP-MS测定高纯硝酸中的31种元素
- DIN 50455-2:1999 半导体技术用材料的试验.表征光敏抗蚀剂的方法.第2部分:阳极光敏抗蚀剂的光敏度的测定
- DIN 50455-2:1999-11 半导体技术材料测试 光刻胶表征方法 第2部分：正性光刻胶光敏性的测定
- DIN EN 62047-21:2015-04 半导体器件-微机电器件-第21部分：薄膜MEMS材料泊松比的测试方法（IEC 62047-21:2014）
- DIN 50451-6:2014-11 半导体技术材料的测试 液体中痕量元素的测定 第6部分：高纯氟化铵溶液中36种元素的测定
- DIN 50451-4:2007 半导体工艺用材料测试.液体中痕量元素测定.用电感耦合等离子体质谱测定法测定纯净水中34中微量元素
- DIN 50455-1:1991 半导体工艺材料的检验.表示光致抗蚀剂特性的方法.第1部分:用光学测量法对涂层厚度的测定
- DIN 50453-2:1990 半导体工艺材料的检验.蚀刻混合剂浸蚀率的测定.第2部分:二氧化硅涂层.光学法
- DIN 50451-2:2003-04 半导体技术材料的测试 - 液体中微量元素的测定 - 第 2 部分：钙 (Ca)、钴 (Co)、铬 (Cr)、铜 (Cu)、铁 (Fe)、镍 (Ni) 和锌 (Zn) ）在氢氟酸中，采用等离子体诱导发射光谱...
- DIN 50451-4:2007-02 半导体技术材料测试 液体中痕量元素的测定 第4部分：采用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)测定超纯水中的 34 种元素
- DIN 50456-2:1995 半导体工艺材料的试验.电子元件用模塑化合物的特性表示法.第2部分:用压力萃取法测定电离子杂质
- DIN 50450-2:1991 半导体工艺材料的检验.载运气体和混合气体中杂质的测定.第2部分:用原电池测定氮(下标2)、氩、氦、氖、氢(下标2)中的氧杂质
- DIN 50451-3:2014 半导体工艺用材料测试. 液体中痕量元素测定. 第3部分: 使用电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 测定高纯度硝酸中的31种元素
- DIN 51456:2013 半导体技术用材料的试验. 使用电感耦合等离子体质谱法 (ICP-MS) 通过水分析解决方案的多元素测定进行硅晶片的表面分析
- DIN 50450-2:1991-03 半导体技术材料测试；载气和掺杂气体中杂质的测定； N (Index) 2 、Ar、He、Ne和H (Index) 2 中氧杂质的测定通过使用原电池
- DIN 50453-2:2023-08 半导体技术材料的测试 - 蚀刻混合物蚀刻速率的测定 - 第 2 部分：二氧化硅涂层，光学方法
- DIN 50450-1:1987-08 半导体技术材料测试；载气和掺杂气体中杂质的测定；五氧化二磷电池测定水中氢、氧、氮、氩、氦中的杂质
- DIN 50451-1:2003 半导体工艺材料检验.液体中痕量元素测定.用原子吸收光谱测定法测定硝酸溶剂中银、金、钙、铜、铁、钾和钠的含量
法国标准化协会，关于常用的半导体材料的标准
- NF T51-223:1985 塑料制品.半晶体材料.用热分析法测定常规熔点
- NF ISO 10677:2011 技术陶瓷 用于测试半导体光催化材料的紫外光源
- NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 半导体装置 机械和气候试验方法 第39部分：测量用于半导体元件的有机材料的湿气扩散性和水溶解性
- NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- NF EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 39 部分：半导体元件中使用的有机材料的水分扩散率和水溶性的测量
- XP CEN/TS 16599:2014 光催化 确定照射条件以测试半导体材料的光催化性能
- XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 光催化 用于测试半导体材料光催化性能的辐照条件和这些条件的测量
- NF B44-103*NF ISO 10677:2011 细瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）测试半导体光催化材料所用的紫外光源
- NF ISO 14605:2013 技术陶瓷 在室内照明环境中测试半导体光催化材料的光源
- NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 半导体装置.微型机电装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法
- NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 半导体装置 微电机装置 第6部分：薄膜材料的轴向疲劳试验方法
- NF EN 62047-21:2014 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜MEMS材料泊松比的测试方法
- NF EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属层材料成形极限的测量方法
- NF ISO 22197-5:2021 技术陶瓷 空气净化用半导体光催化材料性能试验方法 第5部分：甲硫醇的去除
- NF ISO 22197-4:2021 技术陶瓷 空气净化用半导体光催化材料性能测试方法 第4部分：除甲醛
- NF EN 62047-10:2012 半导体器件 - 微机电器件 - 第 10 部分：使用微柱技术对 MEMS 材料进行压缩测试
- NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 半导体装置 微电机装置 第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
- NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 半导体器件 - 微型机电装置 - 第12部分: 使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法.
- NF B44-105*NF ISO 14605:2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷) - 室内照明环境下使用的半导体光催化材料的测试光源
- NF EN 62047-11:2014 半导体器件 微机电器件 第11部分：微机电系统自含材料线性热膨胀系数的测试方法
- NF S98-112:1998 用液体化学消毒剂进行消毒的确认和常规控制方法.一次性使用的含动物本原材料的医疗用器材的消毒
韩国科技标准局，关于常用的半导体材料的标准
- KS C 6520-2021 半导体工艺的部件和材料.用等离子体测量磨损特性
- KS C 6520-2019 半导体工艺的部件和材料 - 的通过等离子体磨损特性的测量
- KS C IEC 60749-39-2006(2021) 半导体器件机械和气候试验方法第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- KS C IEC 60749-39-2006(2016) 半导体器件机械和气候试验方法第39部分:半导体器件用有机材料水分扩散率和水溶性的测定
- KS C IEC 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体器件使用的有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
- KS C 6521-2019 评价的方法用于半导体和LCD的过程涂料组分
- KS L ISO 27447:2011 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工业陶瓷).半导体光催化材料的抗菌活性用测试方法
- KS L ISO 10676-2012(2022) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－用活性氧形成能力测定半导体光催化材料净水性能的试验方法
陕西省标准，关于常用的半导体材料的标准
- DB61/T 1250-2019 Sic（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范
美国材料与试验协会，关于常用的半导体材料的标准
- ASTM D3004-02 挤压交联和热塑性半导体、导体和绝缘屏蔽材料的标准规范
- ASTM D3004-97 挤压交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的标准规范
- ASTM D3004-08(2020) 交联和热塑性挤出半导体 导体和绝缘屏蔽材料的标准规范
- ASTM D6095-05 挤压交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的体积电阻率的标准试验方法
- ASTM D6095-99 挤制交联和热塑半导性导体和绝缘防护材料体电阻率的标准试验方法
- ASTM D6095-12(2018) 用于挤出交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的体积电阻率的纵向测量的标准测试方法
- ASTM D5568-22 用波导管测量微波频率下固体材料的相对复介电常数和相对磁导率的标准试验方法
- ASTM D6095-12(2023) 挤压交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的体积电阻率纵向测量的标准试验方法
- ASTM D6095-06 挤制交联和热塑半导性导体和绝缘防护材料体电阻率的经度测量标准试验方法
- ASTM D6095-12 挤制交联和热塑半导性导体和绝缘防护材料体电阻率的经度测量标准试验方法
- ASTM D7449/D7449M-22 用同轴空气线测量微波频率下固体材料的相对复介电常数和相对磁导率的标准试验方法
- ASTM D7449/D7449M-22a 用同轴空气线测量微波频率下固体材料的相对复介电常数和相对磁导率的标准试验方法
- ASTM D6343-99(2004) 电绝缘和电介质用薄导热固体材料的试验方法
- ASTM D6343-99 电绝缘和电介质用薄导热固体材料的试验方法
- ASTM D6343-10 弱导热固体材料的电气绝缘和介质应用的试验方法
- ASTM D7449/D7449M-08e1 使用同轴空气线测量微波频率下固体材料相对复数介电常数和相对磁导率的标准测试方法
- ASTM D7449/D7449M-08 使用同轴空气线测量微波频率下固体材料相对复数介电常数和相对磁导率的标准测试方法
- ASTM D6343-14(2018) 用于电绝缘和介电应用的薄导热固体材料的标准测试方法
- ASTM B976-11(2015) 复合材料增强型铝导体 (ACCR) 用纤维增强型铝基复合材料 (AMC) 芯线的标准规格
- ASTM D6826-02a 喷涂浆料 泡沫和土着材料的标准规范用作城市固体废物垃圾填埋场的替代日常保护
美国国家标准学会，关于常用的半导体材料的标准
- ANSI/ASTM D3004:2008 压塑交联和热塑性半导体导管和绝缘防护材料用规范
- ANSI/ASTM D6095:2012 压塑交叉连接的热塑性半导体、导体和绝缘屏蔽材料的体电阻纵向测量的试验方法
- ANSI/UL 2360-2004 半导体器械构造用塑料的可燃性能测定的试验方法
- ANSI/ASTM D7449:2008 用同轴线传输线在微波频率下固体材料的相对复介电常数和相对磁导率测量用试验方法
国家质检总局，关于常用的半导体材料的标准
- GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
- GB/T 31481-2015 深冷容器用材料与气体的相容性判定导则
英国标准学会，关于常用的半导体材料的标准
- BS EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候测试方法 测量用于半导体元件的有机材料的水分扩散率和水溶性
- BS EN 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.半导体器件用有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
- BS EN 62047-18:2013 半导体器件.微型机电装置.薄膜材料的弯曲测试方法
- BS EN 62047-2:2006 半导体器件.微型机电器件.薄膜材料的拉伸试验方法
- BS EN 62047-10:2011 半导体装置.微电子机械装置.MEMS材料的微型柱压缩试验
- BS EN 62047-6:2010 半导体装置.微机电装置.薄膜材料的轴向疲劳试验方法
- 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- BS EN 62047-14:2012 半导体装置.微型电机装置.金属薄膜材料的成形极限测量方法
- BS EN 62047-12:2011 半导体装置.微型机电装置.使用MEMS结构的共振,薄膜材料的弯曲挠度试验方法
- BS PD CEN/TS 16599:2014 光催化. 半导体材料光催化性能试验的辐照条件以及此类条件的测量
- BS ISO 10677:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级技术陶瓷).半导体光催化材料测试用紫外光源
- BS IEC 62047-31:2019 半导体器件 微机电器件 层状MEMS材料界面粘附能的四点弯曲测试方法
- BS ISO 13125:2013 精细陶瓷(高级陶瓷、高级工艺陶瓷).半导体光催化材料抗真菌作用试验方法
- BS ISO 14605:2013 细陶瓷 (现代陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下使用的半导体光催化材料的测试光源
- BS ISO 18061:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
- BS ISO 19635:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料抑藻活性的试验方法
- BS ISO 24448:2023 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷）。用于测试室内照明环境下使用的半导体光催化材料的LED光源
- BS ISO 22551:2020 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 室内照明环境下半导体光催化材料细菌消减率的测定用于估计抗菌活性的半干法……
- BS ISO 27448:2009 细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的自洁性能用试验方法.水接触角度的测量
- BS ISO 22197-1:2008 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的空气净化性能用试验方法.一氧化氮的移除
- 21/30403033 DC BS EN ISO 24448。精细陶瓷（高级陶瓷、先进技术陶瓷）。用于测试室内照明环境下使用的半导体光催化材料的LED光源
- BS EN 62047-11:2013 半导体器件. 微型机电装置. 微型机电装置用无需支撑物材料线性热膨胀系数试验方法
- BS 1902 Sec.7.1:1987 耐火材料的试验方法.第7部分:用于整体结构的未成形耐火材料.第1节:取样导则
- BS ISO 19722:2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 采用溶氧消耗法测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
- PD IEC TS 62607-3-3:2020 纳米制造 关键控制特性 发光纳米材料 使用时间相关单光子计数(TCSPC)测定半导体量子点的荧光寿命
- BS PD IEC TR 63304:2021 永磁体（磁性硬质）材料 使用超导磁体测量开路磁路中磁性能的方法
- BS ISO 10676:2011 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).用形成活性氧的能力测量半导体光催化材料的水净化性能的试验方法
- BS ISO 18071:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
国际电工委员会，关于常用的半导体材料的标准
- IEC 62951-5:2019 半导体器件.柔性和可伸展半导体器件.第5部分:柔性材料热特性的试验方法
- IEC 60749-39:2021 RLV 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- IEC 60749-39:2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- IEC 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体器件使用的有机材料的湿气扩散性和水溶解性的测量
- IEC 62047-2:2006 半导体装置.微型机电装置.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法
- IEC 62047-18:2013 半导体器件.微型机电器件.第18部分:薄膜材料的弯曲测试方法
- IEC 62047-6:2009 半导体装置.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳试验方法
- IEC 62047-10:2011/COR1:2012 半导体装置.微机电装置.第10部分:MEMS材料的微极压缩试验.勘误表1
- IEC 62047-12:2011 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法
- IEC 62047-14:2012 半导体装置.微电机装置.第14部分:金属薄膜材料的成型极限测量方法
- IEC 62047-31:2019 半导体器件微机电器件第31部分:层状MEMS材料界面结合能的四点弯曲试验方法
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于常用的半导体材料的标准
- GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
- GB/T 37131-2018 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法
国际建筑标准管理员与官员协会（美国），关于常用的半导体材料的标准
- BOCA ARTICLE 18 NFPC COMM-1990 使用有害生产资料的半导体制造设备
- BOCA ARTICLE 18 NFPC-1990 使用有害生产资料的半导体制造设备.第8版
丹麦标准化协会，关于常用的半导体材料的标准
- DS/EN 60749-39:2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- DS/EN 62047-10:2011 半导体器件-微机电器件-第10部分：MEMS 材料的微柱压缩试验
- DS/EN 62047-2:2007 半导体器件 微机电器件 第2部分：薄膜材料的拉伸试验方法
- DS/EN 62047-18:2013 半导体器件微机电器件第18部分：薄膜材料的弯曲试验方法
- DS/EN 62047-12:2012 半导体器件-微机电器件-第12部分：利用MEMS结构共振的薄膜材料弯曲疲劳试验方法
- DS/EN 62047-11:2013 半导体器件-微机电设备-第11部分：微机电系统用独立材料的线性热膨胀系数的测试方法
欧洲电工标准化委员会，关于常用的半导体材料的标准
- EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候试验方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- EN 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第39部分:半导体元器件用有机材料湿气扩散率和水溶率的测试 IEC 60749-39-2006
- EN 62047-18:2013 半导体器件微机电器件第18部分：薄膜材料的弯曲试验方法
- EN 62047-2:2006 半导体器件微电机器件.第2部分:薄膜材料的拉伸试验方法 IEC 62047-2:2006
- EN 62047-11:2013 半导体器件-微机电设备-第11部分：微机电系统用独立材料的线性热膨胀系数的测试方法
- EN 62047-10:2011 半导体器件.微型电机装置.第10部分:微型电机系统(MEMS)材料的微柱压缩试验
ES-UNE，关于常用的半导体材料的标准
- UNE-EN IEC 60749-39:2022 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量
- UNE-EN 60749-39:2006 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量(IEC 60749-39:2006)
- UNE-EN 62047-10:2011 半导体器件 微机电器件 第10部分：MEMS 材料的微柱压缩测试
- UNE-EN 62047-18:2013 半导体器件 微机电器件 第18部分：薄膜材料的弯曲测试方法
- UNE-EN 62047-6:2010 半导体器件 微机电器件 第6部分：薄膜材料的轴向疲劳测试方法
- UNE-EN 62047-21:2014 半导体器件 微机电器件 第21部分：薄膜 MEMS 材料泊松比的测试方法
- UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 半导体器件 - 微机电器件 - 第 2 部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）。
- UNE-EN 62047-2:2006 半导体器件 - 微机电器件 - 第 2 部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）。
- UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 半导体器件 - 微机电器件 - 第 2 部分：薄膜材料的拉伸测试方法（IEC 62047-2:2006）。
- UNE-EN 62047-14:2012 半导体器件 微机电器件 第14部分：金属薄膜材料的成形极限测量方法
- UNE-EN 62047-12:2011 半导体器件 微机电器件 第12部分：利用 MEMS 结构共振的薄膜材料弯曲疲劳测试方法
ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc.，关于常用的半导体材料的标准
- T-32-645-2012 用挤压半导体屏蔽材料建立阻水元件体积电阻相容性的试验方法
美国机动车工程师协会，关于常用的半导体材料的标准
- SAE AS6294/3-2019 空间应用中塑料封装分立半导体的要求
- SAE SSB1D-2020 在军事、航空航天和其他坚固应用中使用塑料封装微电路和半导体的指南
日本工业标准调查会，关于常用的半导体材料的标准
- JIS R 1750:2012 精细陶瓷.室内光环境下测试半导体光催化材料用光源
- JIS C 5630-2:2009 半导体器件.微型机电器件.第2部分:薄膜材料的拉伸测试方法
- JIS C 5630-18:2014 半导体器件. 微型机电装置. 第18部分: 薄膜材料的弯曲试验方法
- JIS C 5630-6:2011 半导体器件.微电机装置.第6部分:薄膜材料的轴向疲劳测试方法
- JIS C 5630-12:2014 半导体器件.微电机器件.第12部分:使用MEMS结构共振的薄膜材料的弯曲疲劳测试方法
- JIS R 1708:2016 精细陶瓷（Advanced ceramics、advanced technical ceramics） 用溶解氧消耗量测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
立陶宛标准局，关于常用的半导体材料的标准
- LST EN 60749-39-2006 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量（IEC 60749-39:2006）
- LST EN 62047-10-2011 半导体器件-微机电器件-第10部分：MEMS材料的微柱压缩试验（IEC 62047-10:2011）
- LST EN 62047-2-2007 半导体器件微机电器件第2部分：薄膜材料的拉伸试验方法（IEC 62047-2:2006）
- LST EN 62047-12-2011 半导体器件-微机电器件-第12部分：利用MEMS结构共振的薄膜材料弯曲疲劳试验方法（IEC 62047-12:2011）
美国绝缘电缆工程师协会，关于常用的半导体材料的标准
- ICEA T-32-645-2012 确定阻水元件与挤压半导体屏蔽材料的体积电阻相容性的测试方法
欧洲标准化委员会，关于常用的半导体材料的标准
- PD CEN/TS 16599:2014 光催化.半导体材料光催化性能的辐照条件及这些条件的测定
- CEN/TS 16599:2014 光催化 测试半导体材料光催化性能的辐照条件以及这些条件的测量
AT-OVE/ON，关于常用的半导体材料的标准
- OVE EN IEC 60749-39:2020 半导体器件 机械和气候测试方法 第39部分：用于半导体元件的有机材料中水分扩散率和水溶性的测量（IEC 47/2652/CDV）（英文版）
澳大利亚标准协会，关于常用的半导体材料的标准
- AS/NZS 1660.2.3:1998 电缆、包皮和导体的测试方法 绝缘、挤压半导体屏蔽和非金属外壳 PVC和卤素热塑性塑料材料的特定方法
- AS/NZS 1660.2.2:1998 电缆、包皮和导体的测试方法 绝缘、挤压半导体屏蔽和非金属外壳 人造橡胶、XLPE和XLPVC材料的特定方法
- AS/NZS 1660.2.1:1998 电缆、电线、导体的试验方法.第2.1部分:绝缘体、挤出型半导电屏蔽料和非金属管套.通用方法
- AS/NZS 1660.2.1/AMD 1:2001 电缆、电线、导体的试验方法.第2.1部分:绝缘体、挤出型半导电屏蔽料和非金属管套.通用方法.修改件1
美国保险商实验所，关于常用的半导体材料的标准
- UL 2360-2000 半导体器件制造用塑料可燃性特征测定的试验方法
SAE - SAE International，关于常用的半导体材料的标准
- SAE AS6294/4-2019 军事和航空电子应用中塑料封装分立半导体的要求
加拿大标准协会，关于常用的半导体材料的标准
- CSA N288.1-08-2008 核设施的正常运行导致的气载和液体排放物中的放射性材料的导出释放限值的计算指引
- CSA C22.2 No.199-M89-CAN/CSA-1989 煤气和燃料油用的半导体点火器及火焰监控设备.通用指令第1号
国际标准化组织，关于常用的半导体材料的标准
- ISO 27447:2009 精细陶瓷.(高级陶瓷,高级工业陶瓷).半导体光催化材料的抗菌活性用测试方法
- ISO 13125:2013 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).半导体光催化材料抗真菌作用试验方法
- ISO 18061:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
- ISO 14605:2013 精细陶瓷(高级陶瓷,高级工艺陶瓷).室内照明环境用测试半导体光电材料光源
- ISO 19635:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 半导体光催化材料抑藻活性的试验方法
- ISO 27447:2019 精细陶瓷（高级陶瓷 高级工业陶瓷）.半导体光催化材料抗菌活性的试验方法
- ISO 24448:2023 精细陶瓷（先进陶瓷、先进技术陶瓷） 用于测试室内照明环境下使用的半导体光催化材料的LED光源
- ISO 19722:2017 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 采用溶氧消耗法测定半导体光催化材料光催化活性的试验方法
- ISO 18071:2016 精细陶瓷 (高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室内照明环境下半导体光催化材料的抗病毒活性的测定. 采用噬菌体Q-β的试验方法
KR-KS，关于常用的半导体材料的标准
- KS L ISO 10677-2023 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工艺陶瓷）半导体光催化材料测试用紫外光源
- KS L ISO 14605-2023 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工艺陶瓷）室内照明环境下半导体光催化材料测试用光源
PT-IPQ，关于常用的半导体材料的标准
- NP 253-1985 塑料材料．用于传输液体的热塑导管．相关的外部直径
- NP 159-1963 低电压电动设备的原材料．用于导体保护的硬质塑料管
ES-AENOR，关于常用的半导体材料的标准
- UNE 53-615-1989 医用弹性体防静电及导电材料的特性及电阻性
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于常用的半导体材料的标准
- GB/T 35679-2017 固体材料微波频段使用波导装置的电磁参数测量方法
